一种还原炉
    1.
    发明公开
    一种还原炉 审中-实审

    公开(公告)号:CN113912065A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111458829.2

    申请日:2021-12-02

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本发明提供一种还原炉,包括:炉体,炉体的底部具有底盘,底盘为圆形;底盘的中心设有喷嘴,底盘上具有多个第一环形区域和多个第二环形区域,相邻两个第一环形区域之间具有第二环形区域,多个电极孔沿第一环形区域的周向间隔分布;多个喷嘴沿第二环形区域的周向间隔分布,第一环形区域与第二环形区域均位于第三环形区域的内部,多个排气孔沿第三环形区域的周向间隔分布。通过在不同的环形区域设置喷嘴、电极孔及排气孔,使得还原炉中的气场以及温度场更加均匀,防止运行中出现“雾化”现象。

    一种三氯氢硅汽化器
    2.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218095875U

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202221714515.4

    申请日:2022-06-29

    摘要: 本实用新型提供一种三氯氢硅汽化器,包括:壳体、换热管;所述换热管的至少部分设置在所述壳体的内部,所述换热管的一端设置有饱和蒸汽入口,所述换热管的另一端设置有凝液出口;所述壳体的外壁设置有三氯氢硅液体入口,且所述三氯氢硅液体入口与所述壳体内部连通;所述壳体的外壁设置有三氯氢硅气体出口,且所述三氯氢硅气体出口与所述壳体内部连通;所述壳体的底部设置有高沸物排放口,且所述高沸物排放口与所述壳体内部连通。本实用新型通过对三氯氢硅汽化器的结构优化,解决了高沸物在三氯氢硅汽化器内富集的问题,并且增加了三氯氢硅汽化器运行过程的稳定性和安全性,达到了提升多晶硅质量和稳定生产系统的目的。

    一种除尘装置
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220992135U

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202322685121.1

    申请日:2023-10-07

    IPC分类号: B08B5/02 B08B15/04

    摘要: 本实用新型公开一种除尘装置,所述除尘装置包括吹扫侧板、吸尘侧板、手柄,吹扫侧板和所述吸尘侧板通过连接板与手柄连接,吹扫侧板和吸尘侧板相对设置,且两者分别设置在所述连接板的一侧,手柄在连接板的另一侧,手柄上设有第一快速接头和第二快速接头,第一快速接头用于与储气罐连通,第二快速接头与吸尘器连通,手柄内部设有第一通道和第二通道,连接板内部设有第三通道和第四通道,所述第一、第三通道连通第一快速接头和吹扫侧板,所述第二、第四通道连通第二快速接头和吸尘侧板,除尘装置工作时,硅棒置于吹扫侧板和吸尘侧板之间,吹扫气体对硅棒表面进行吹扫,吸尘器对吹扫出的灰尘进行收集。该装置能有效去除并收集多晶硅棒表面的灰尘。

    多晶硅硅芯的夹持组件及多晶硅还原炉

    公开(公告)号:CN220223609U

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202322338196.2

    申请日:2023-08-29

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本实用新型提供一种多晶硅硅芯的夹持组件及多晶硅还原炉,其中夹持组件包括:石墨座,呈圆柱状,石墨座的周侧壁具有第一螺纹;石墨卡瓣,两个石墨卡瓣均设于石墨座的上端面上,两个石墨卡瓣的形心在上端面的正投影点与上端面的圆心点构成第一夹角,第一夹角的角度值为180°;两个石墨卡瓣在上端面的正投影均呈角弧度为60°的扇形;石墨盖具有第一腔室,石墨盖还具有第一开口及第二开口;石墨卡瓣自第二开口伸入第一腔室中且自第一开口部分伸出至第一腔室外;第一腔室的内侧壁具有第二螺纹。本实用新型能够实现有效避免倒炉危害,确保高多晶硅生产效率,确保硅芯在多晶硅生产的高压电击穿过程中升温均匀,提高多晶硅生产效率。

    一种电极绝缘组件及多晶硅还原炉

    公开(公告)号:CN219098752U

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202222546301.7

    申请日:2022-09-26

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本实用新型公开一种电极绝缘组件以及包括该电极绝缘组件的多晶硅还原炉,所述电极绝缘组件包括四氟套、内绝缘磁环、外绝缘磁环,电极采用铜电极,所述铜电极设于还原炉底盘的贯穿孔内,所述四氟套套设在所述铜电极上,所述内绝缘磁环套设在所述铜电极上且延伸至所述四氟套上,其与还原炉底盘的上表面以及四氟套紧密接触,所述外绝缘磁环套设在所述铜电极上,并处于内绝缘磁环的外部,且位于还原炉底盘的上表面上,所述四氟套与所述内绝缘磁环的接触位置上设有环形密封单元,所述环形密封单元设置在所述四氟套的外壁上。所述电极绝缘组件能够有效提高其绝缘性,以避免四氟套被电流击穿。

    多晶硅还原炉自动进料方法和装置

    公开(公告)号:CN108658079B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201710206853.4

    申请日:2017-03-31

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本发明提供一种多晶硅还原炉自动进料方法,其包括如下步骤:预设给定氢气进料曲线,并按照给定氢气进料曲线输出每时基对应的给定氢气流量;预设给定配比曲线,其中包括每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值;测量每时基对应的实际氢气流量;根据给定配比曲线中每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值以及该时基对应的实际氢气流量得到每时基对应的给定三氯氢硅进料值,并输出每时基对应的给定三氯氢硅流量。相应地,提供一种多晶硅还原炉自动进料装置。本发明能够自动控制多晶硅还原炉进料,从而减少甚至避免了人为操作,而且重复性高,能够适应不同的工况和参数,易于调整和改进。

    多晶硅还原炉自动进料方法和装置

    公开(公告)号:CN108658079A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201710206853.4

    申请日:2017-03-31

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本发明提供一种多晶硅还原炉自动进料方法,其包括如下步骤:预设给定氢气进料曲线,并按照给定氢气进料曲线输出每时基对应的给定氢气流量;预设给定配比曲线,其中包括每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值;测量每时基对应的实际氢气流量;根据给定配比曲线中每时基对应的给定三氯氢硅流量与实际氢气流量的配比值以及该时基对应的实际氢气流量得到每时基对应的给定三氯氢硅进料值,并输出每时基对应的给定三氯氢硅流量。相应地,提供一种多晶硅还原炉自动进料装置。本发明能够自动控制多晶硅还原炉进料,从而减少甚至避免了人为操作,而且重复性高,能够适应不同的工况和参数,易于调整和改进。

    一种柔性夹具
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208826401U

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201821246411.9

    申请日:2018-08-03

    IPC分类号: B25B11/00 C01B33/021

    摘要: 本实用新型提供一种柔性夹具,其包括相对设置的两面夹板,其中每面夹板均包括底板、设置在所述底板上的弹性垫层,以及设置在所述弹性垫层上的接触层,所述接触层与待夹件直接接触。本实用新型所述柔性夹具通过在每面夹板中设置弹性垫层,有效提高了接触层与硅棒的贴合度,尽量避免硅棒与接触层之间发生相对滑动,能够很好地适应不同粗细和表面粗糙度不一的硅棒。

    一种还原炉底盘清洗设备

    公开(公告)号:CN209393667U

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201821815127.9

    申请日:2018-11-05

    IPC分类号: B08B7/00 C01B33/035

    摘要: 本实用新型提供一种还原炉底盘清洗设备,其包括激光清洗装置和与之连接的自动夹持装置;所述激光清洗装置用于在所述自动夹持装置的控制下,沿预设路径对还原炉底盘的表面进行激光清洗。本实用新型将激光清洗技术引入至多晶硅领域,通过自动夹持装置的自动化控制手段,控制激光清洗装置自动清洗还原炉底盘表面的积垢,实现了还原炉底盘表面的自动清洗,还可以清洗到以往物理清洗方法无法彻底清理的死角,解决了现有技术中存在的清洗效果不佳、清洗不彻底、引入新的污染源和浪费人力的问题。