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公开(公告)号：CN106328655B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510429176.3
申请日：2015-07-21
申请人： 力晶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/24
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器结构，包括电阻式随机存取存储器。电阻式随机存取存储器包括晶体管、介电层及多个第一电阻式随机存取存储单元串。介电层覆盖晶体管。第一电阻式随机存取存储单元串设置于介电层中。各第一电阻式随机存取存储单元串包括多个第一存储单元、多条第一位线及内连线结构。第一位线分别电连接各第一存储单元。内连线结构电连接于第一存储单元，第一位线与内连线结构分别位于第一存储单元两侧。第一电阻式随机存取存储单元串包含的内连线结构彼此分离，内连线结构将第一电阻式随机存取存储单元串电连接至同一晶体管的同一端子。
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公开(公告)号：CN105990392B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510067873.9
申请日：2015-02-09
申请人： 力晶科技股份有限公司
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1616
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层与至少一存储单元串。介电层设置于基底上。存储单元串包括多个存储单元与至少一第一内连线结构。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各存储单元包括第一导线、第二导线与可变电阻结构。第二导线设置于第一导线的一侧，且第二导线的上表面高于第一导线的上表面。可变电阻结构设置于第一导线与第二导线之间。在垂直相邻的存储单元中的可变电阻结构彼此隔离。第一内连线结构连接垂直相邻的第一导线。
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公开(公告)号：CN106328655A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510429176.3
申请日：2015-07-21
申请人： 力晶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/115 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器结构，包括电阻式随机存取存储器。电阻式随机存取存储器包括晶体管、介电层及多个第一电阻式随机存取存储单元串。介电层覆盖晶体管。第一电阻式随机存取存储单元串设置于介电层中。各第一电阻式随机存取存储单元串包括多个第一存储单元、多条第一位线及内连线结构。第一位线分别电连接各第一存储单元。内连线结构电连接于第一存储单元，第一位线与内连线结构分别位于第一存储单元两侧。第一电阻式随机存取存储单元串包含的内连线结构彼此分离，内连线结构将第一电阻式随机存取存储单元串电连接至同一晶体管的同一端子。
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公开(公告)号：CN105990392A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510067873.9
申请日：2015-02-09
申请人： 力晶科技股份有限公司
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1616
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层与至少一存储单元串。介电层设置于基底上。存储单元串包括多个存储单元与至少一第一内连线结构。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各存储单元包括第一导线、第二导线与可变电阻结构。第二导线设置于第一导线的一侧，且第二导线的上表面高于第一导线的上表面。可变电阻结构设置于第一导线与第二导线之间。在垂直相邻的存储单元中的可变电阻结构彼此隔离。第一内连线结构连接垂直相邻的第一导线。
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公开(公告)号：CN105742484A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410763257.2
申请日：2014-12-11
申请人： 力晶科技股份有限公司
发明人： 徐懋腾
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L45/04
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器结构及其随机存取存储器操作方法，该电阻式随机存取存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管与电阻式随机存取存储单元串。通过第一晶体管的第一端子与第二晶体管电连接，而使得第一晶体管与第二晶体管串联。电阻式随机存取存储单元串包括彼此电连接的多个存储单元，且电连接至第一晶体管的第二端子。
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公开(公告)号：CN105529398B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201410519579.2
申请日：2014-09-30
申请人： 力晶科技股份有限公司
发明人： 徐懋腾
CPC分类号： H01L45/1616 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层、多个存储单元及内连线结构。介电层设置于基底上。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各个存储单元包括第一电极、第二电极及可变电阻结构。第二电极设置于第一电极上。可变电阻结构设置于第一电极与第二电极之间。在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的存储单元的第一电极与位于下方的存储单元的第二电极设置于相邻的可变电阻结构之间且彼此隔离。内连线结构设置于介电层中且将存储单元的第一电极进行连接。
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公开(公告)号：CN105655485B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410640719.1
申请日：2014-11-13
申请人： 力晶科技股份有限公司
发明人： 徐懋腾
CPC分类号： H01L45/1666 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1616
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层与至少一存储单元串。介电层设置于基底上。存储单元串包括多个存储单元与多个第二介层窗。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各个存储单元包括第一介层窗、二导线与二可变电阻结构。导线分别设置于第一介层窗的两侧。可变电阻结构分别设置于第一介层窗与导线之间。在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的存储单元的可变电阻结构与位于下方的存储单元的可变电阻结构彼此隔离。第二介层窗分别设置于第一介层窗下方的介电层中并连接于第一介层窗，且垂直相邻的两个第一介层窗通过第二介层窗进行连接。
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公开(公告)号：CN105529398A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410519579.2
申请日：2014-09-30
申请人： 力晶科技股份有限公司
发明人： 徐懋腾
CPC分类号： H01L45/1616 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层、多个存储单元及内连线结构。介电层设置于基底上。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各个存储单元包括第一电极、第二电极及可变电阻结构。第二电极设置于第一电极上。可变电阻结构设置于第一电极与第二电极之间。在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的存储单元的第一电极与位于下方的存储单元的第二电极设置于相邻的可变电阻结构之间且彼此隔离。内连线结构设置于介电层中且将存储单元的第一电极进行连接。
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公开(公告)号：CN105742484B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201410763257.2
申请日：2014-12-11
申请人： 力晶科技股份有限公司
发明人： 徐懋腾
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L45/04
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器结构及其随机存取存储器操作方法，该电阻式随机存取存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管与电阻式随机存取存储单元串。通过第一晶体管的第一端子与第二晶体管电连接，而使得第一晶体管与第二晶体管串联。电阻式随机存取存储单元串包括彼此电连接的多个存储单元，且电连接至第一晶体管的第二端子。
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公开(公告)号：CN105655485A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410640719.1
申请日：2014-11-13
申请人： 力晶科技股份有限公司
发明人： 徐懋腾
CPC分类号： H01L45/1666 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1616
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层与至少一存储单元串。介电层设置于基底上。存储单元串包括多个存储单元与多个第二介层窗。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各个存储单元包括第一介层窗、二导线与二可变电阻结构。导线分别设置于第一介层窗的两侧。可变电阻结构分别设置于第一介层窗与导线之间。在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的存储单元的可变电阻结构与位于下方的存储单元的可变电阻结构彼此隔离。第二介层窗分别设置于第一介层窗下方的介电层中并连接于第一介层窗，且垂直相邻的两个第一介层窗通过第二介层窗进行连接。
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