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公开(公告)号:CN105051875B
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201480017654.3
申请日:2014-05-08
申请人: 美光科技公司
发明人: 史考特·E·西利士 , D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米
CPC分类号: H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2472 , H01L27/2481
摘要: 本发明包含存储器单元结构及其形成方法。一种此类方法包含形成存储器单元,其包含:在第一方向上形成包含形成于第一电极与第二电极之间的选择装置的选择装置堆叠;在第二方向上在所述选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线以形成通孔;在所述通孔内形成可编程材料堆叠;及移除所述多个牺牲材料线且蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分以隔离所述选择装置。
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公开(公告)号:CN109256406A
公开(公告)日:2019-01-22
申请号:CN201810768492.7
申请日:2018-07-13
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: H01L45/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C2213/31 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683 , H01L45/1691 , H01L45/1253
摘要: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括:衬底,其包括单元区域和外围区域;第一导电线,其位于衬底上;第二导电线,其穿过第一导电线;可变电阻结构,其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处;以及底电极,其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域,并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。
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公开(公告)号:CN106098933B
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201610459395.0
申请日:2010-12-15
申请人: 美光科技公司
发明人: 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC分类号: H01L45/00
CPC分类号: H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683
摘要: 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含:在第一导电电极上方形成绝缘材料;图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔;在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件,其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号:CN108886051A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780021358.4
申请日:2017-03-17
申请人: 美光科技公司
发明人: P·凡蒂尼
IPC分类号: H01L27/24
CPC分类号: H01L27/249 , G11C7/04 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2427 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/1293 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要: 本发明描述用于三维存储器阵列的方法、系统及装置。存储器单元可在暴露于高温时转换,所述高温包含与相邻单元的读取或写入操作相关联的高温,从而破坏存储于所述存储器单元中的数据。为防止此热干扰效应,存储器单元可由包含一或若干界面的热绝缘区域彼此分离。所述界面可通过将不同材料彼此层叠或在形成期间调整材料的沉积参数而形成。所述层可使用例如平面薄膜沉积技术产生。
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公开(公告)号:CN108666417A
公开(公告)日:2018-10-16
申请号:CN201810257802.9
申请日:2018-03-27
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1683
摘要: 提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料,[GeASeBTeC](1-U)[X]U……(1)其中,0.20≤A≤0.40,0.40≤B≤0.70,0.05≤C≤0.25,A+B+C=1,0.0≤U≤0.20,并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
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公开(公告)号:CN104282833B
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201310547348.8
申请日:2013-11-06
申请人: 爱思开海力士有限公司
CPC分类号: H01L45/1253 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要: 提供了种阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括:多层式绝缘层,包括形成在半导体衬底上的多个孔;下电极,形成在每个孔的底部;第间隔件,形成在下电极和每个孔的侧壁上;第二间隔件,形成在第间隔件的上侧壁上;第三间隔件,在第二间隔件之下形成在第间隔件的下侧壁上;阻变部,形成在下电极上,具有比每个孔的顶部的高度低的高度;以及上电极,形成在阻变部上以掩埋在每个孔中。
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公开(公告)号:CN108123031A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201611074755.1
申请日:2016-11-30
IPC分类号: H01L45/00
CPC分类号: H01L45/1683 , C23C16/06 , C23C16/34 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/16
摘要: 本发明公开了一种阻变式存储器及其制造方法。该制造方法包括:提供底部互连层;在所述底部互连层上形成底部电介质层,所述底部电介质层具有露出所述底部互连层的通孔;以及在所述通孔中形成底部电极层,所述底部电极层包括在所述底部互连层上选择性生长的第一电极。本发明中,底部电极层具有比较好的通孔填充能力。
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公开(公告)号:CN107093612A
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201710085743.7
申请日:2017-02-17
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1683 , H01L27/224 , H01L21/82 , H01L27/228
摘要: 本发明提供了可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括:在基板上沿第一方向设置的第一导电线,每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸,并且第一方向和第二方向平行于基板的顶表面;在第一导电线上方沿第二方向设置的第二导电线,每条第二导电线在第一方向上延伸;在第一导电线和第二导电线之间的存储单元,所述存储单元处于在基本上垂直于基板的顶表面的第三方向上交叠第一和第二导电线的每个区域中,并且所述存储单元包括可变电阻图案;以及在第一导电线和第二导电线之间的绝缘层结构,所述绝缘层结构覆盖存储单元并包括在第三方向上既不交叠第一导电线也不交叠第二导电线的区域的至少一部分中的空气间隙。
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公开(公告)号:CN103959459B
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201180075205.0
申请日:2011-12-12
申请人: 慧与发展有限责任合伙企业
CPC分类号: H01L45/1233 , H01L27/2463 , H01L28/24 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1633 , H01L45/1683
摘要: 提供了忆阻器及其制造。在一个或多个导电通路上形成第一电介质层。通孔在该电介质层中形成并且被填充导电材料。在其上形成第二电介质层,并且形成与被填充的通孔对准并延伸至被填充的通孔的通孔。将反应流体引入通孔中,使得在被填充的通孔内限定导电材料的被反应的部分。然后,用导电材料填充第二电介质层中的通孔,使得限定忆阻器。然后,在忆阻器上并与忆阻器接触形成导电通路,使得每个是可单独地寻址的。
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公开(公告)号:CN107017339A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201611085215.3
申请日:2016-11-30
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L45/00
CPC分类号: H01L27/2454 , G11C7/04 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2213/53 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/16
摘要: 一种半导体装置结构的形成方法,其包括基板及储存单元结构于基板之上,此外,储存单元结构包含第一电极层于基板之上,及一变电阻材料层于第一电极层之上。储存单元结构更包含第二电极层于变电阻材料层之上。此外,变电阻材料层包含半金属及半金属合金。
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