公开(公告)号：CN102598314A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080049856.8

申请日：2010-10-27

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 马修·T·哈迪 ,  林佑达 ,  太田裕朗 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  周司·中村 ,  凯瑟琳·M·凯尔克纳

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0045 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种光电子装置，其包括：有源区域和波导结构，所述波导结构用以提供对从所述有源区域所发射光的光学限制；位于所述装置的相对端上的一对小面，其具有相反表面极性；和已通过结晶学化学蚀刻工艺实施粗糙化的小面中的一者，其中所述装置为基于非极性或半极性(Ga，In，Al，B)N的装置。

公开(公告)号：CN102460739A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080031130.1

申请日：2010-06-07

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 阿尔潘·查克拉伯蒂 ,  林佑达 ,  中村修二 ,  史蒂文·P·登巴尔斯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3216

Abstract: 本文揭示生长于斜切非极性或半极性衬底上的激光二极管，其与常规激光二极管结构相比具有较低阈值电流密度和较长的受激发射波长，其中对于所述激光二极管：(1)n型层是在氮载气中生长，(2)量子阱层和障壁层与其它装置层相比以较慢生长速率生长(此使得p型层能够在较高温度下生长)，(3)高Al含量电子阻挡层使得在有源区域上方的层能够在较高温度下生长，且(4)不对称AlGaN SPSLS允许高Al含量p-AlGaN层的生长。使用各种其它技术来改进所述p型层的电导率并将接触层的接触电阻降到最低。