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公开(公告)号：CN102484142A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037329.5
申请日：2010-08-23
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种用于基于III氮化物的光学装置的外延结构，其包括在下伏层上的具有各向异性应变的作用层，其中所述下伏层中的晶格常数及应变由于存在错配位错而在至少一个方向上部分或完全驰豫，以便通过所述下伏层调制所述作用层中的所述各向异性应变。
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公开(公告)号：CN102598314A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049856.8
申请日：2010-10-27
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 马修·T·哈迪 , 林佑达 , 太田裕朗 , 史蒂文·P·登巴尔斯 , 詹姆斯·S·斯佩克 , 周司·中村 , 凯瑟琳·M·凯尔克纳
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0045 , B82Y20/00 , H01S5/1082 , H01S5/22 , H01S5/34333
Abstract: 一种光电子装置，其包括：有源区域和波导结构，所述波导结构用以提供对从所述有源区域所发射光的光学限制；位于所述装置的相对端上的一对小面，其具有相反表面极性；和已通过结晶学化学蚀刻工艺实施粗糙化的小面中的一者，其中所述装置为基于非极性或半极性(Ga，In，Al，B)N的装置。
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公开(公告)号：CN102484047A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037288.X
申请日：2010-08-23
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种通过在空间上限制异质界面周围的错配位错制作的具有驰豫晶格常数的无位错高质量模板。此可用作高In成份装置的模板层。具体来说，本发明制备高质量InGaN模板(In成份约为5％到10％)，且可在这些模板上生长In成份比原本将可能的情况高得多的InGaN量子阱QW(或多量子阱MQW)。
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公开(公告)号：CN102473799A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031095.3
申请日：2010-07-09
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/2018 , H01S5/2031
Abstract: 一种用于改良在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构。所述结构包含非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，所述激光二极管包括波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制；以及一个或多个n型掺杂的含铝层，其可用于帮助沿特定晶面的刻面劈裂。
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