公开(公告)号：CN102484047A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037288.X

申请日：2010-08-23

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 太田裕朗 ,  武凤 ,  阿努拉格·蒂雅吉 ,  阿尔潘·查克拉伯蒂 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯 ,  中村修二 ,  埃林·C·永

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明涉及一种通过在空间上限制异质界面周围的错配位错制作的具有驰豫晶格常数的无位错高质量模板。此可用作高In成份装置的模板层。具体来说，本发明制备高质量InGaN模板(In成份约为5％到10％)，且可在这些模板上生长In成份比原本将可能的情况高得多的InGaN量子阱QW(或多量子阱MQW)。

公开(公告)号：CN102484142A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037329.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 太田裕朗 ,  武凤 ,  阿努拉格·蒂雅吉 ,  阿尔潘·查克拉伯蒂 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯 ,  中村修二 ,  埃林·C·永

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明涉及一种用于基于III氮化物的光学装置的外延结构，其包括在下伏层上的具有各向异性应变的作用层，其中所述下伏层中的晶格常数及应变由于存在错配位错而在至少一个方向上部分或完全驰豫，以便通过所述下伏层调制所述作用层中的所述各向异性应变。

公开(公告)号：CN102460739A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080031130.1

申请日：2010-06-07

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 阿尔潘·查克拉伯蒂 ,  林佑达 ,  中村修二 ,  史蒂文·P·登巴尔斯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3216

Abstract: 本文揭示生长于斜切非极性或半极性衬底上的激光二极管，其与常规激光二极管结构相比具有较低阈值电流密度和较长的受激发射波长，其中对于所述激光二极管：(1)n型层是在氮载气中生长，(2)量子阱层和障壁层与其它装置层相比以较慢生长速率生长(此使得p型层能够在较高温度下生长)，(3)高Al含量电子阻挡层使得在有源区域上方的层能够在较高温度下生长，且(4)不对称AlGaN SPSLS允许高Al含量p-AlGaN层的生长。使用各种其它技术来改进所述p型层的电导率并将接触层的接触电阻降到最低。