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公开(公告)号：CN110544645A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
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公开(公告)号：CN108728795B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710239705.2
申请日：2017-04-13
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜膜厚均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。
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公开(公告)号：CN109920925B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910062018.7
申请日：2019-01-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法，该方法包括：通过铝腔室进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；通过具有氧化性气体对所述阳极携带铝薄膜的OLED基板进行富氧处理，生成铝化合物层；通过ITO腔室基于富氧处理后的所述铝化合物层进行ITO薄膜沉积。通过上述方案，有效解决铝薄膜因与ITO薄膜中氧发生反应，从而影响阳极反射率问题，能够有效提高阳极反射率；使得经过富氧处理后的铝薄膜界面具有更好的稳定性和隔离作用。
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公开(公告)号：CN107195567B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201610142784.0
申请日：2016-03-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673
摘要： 本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其在冷却腔室的腔室壁内设置有第一冷却通道，通过向该第一冷却通道内通入冷却媒介，来冷却腔室壁；并且，在冷却腔室内设置有用于承载托盘的托架，托盘用于承载被加工工件，并且，在冷却腔室的腔室壁的至少部分内表面形成有黑色氧化层。本发明提供的冷却腔室，其可以提高对托盘的冷却效率，从而可以提高设备的产能。
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公开(公告)号：CN107492490A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201610407581.X
申请日：2016-06-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34
摘要： 本发明揭示一种半导体设备的成膜方法、半导体设备的氮化铝成膜方法以及电子装置。本发明的半导体设备的成膜方法，包括进行溅射流程，该溅射流程包括下列步骤：将基板载入腔室内，并放置于腔室内的承载底座上；在基板加载至腔室的状况下，对腔室进行加热工艺，将腔室内的温度加热至高于或等于预定温度；利用设置于腔室内的靶材对基板进行主溅射，以在基板上形成薄膜；将基板载出该腔室。本发明的半导体设备的成膜方法、半导体设备的氮化铝成膜方法以及电子装置能够提升薄膜的质量，且具有制作流程简单、制作成本低等特点，能够避免基板在其它的加热腔室加热之后在传递至溅射腔室的过程中产生微粒落在基板上的问题，并达到提升电子装置效能的目的。
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公开(公告)号：CN107227446A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710538291.3
申请日：2017-07-04
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/54 , C23C14/568
摘要： 一种半导体设备以及半导体设备的阻抗调节方法。该半导体设备包括多个腔室，各腔室包括被配置为承载基片的基座，至少一个腔室设置有阻抗调节电路，阻抗调节电路被配置为调节对应腔室的基座与接地端之间的阻抗，以使多个腔室的所述阻抗保持一致。由此，该半导体设备可通过阻抗调节电路对基座与接地端之间的阻抗进行调节，以使多个腔室的所述阻抗保持一致，从而提高该半导体设备的薄膜沉积质量。
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公开(公告)号：CN110544645B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
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公开(公告)号：CN107488828B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610409464.7
申请日：2016-06-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明揭示一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用于主溅射进行之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射，以此达到稳定靶材状况的效果。本发明的形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜，而此氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层，以此改善氮化铝以及氮化镓层的成膜质量并达到提升电子装置效能的目的。
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公开(公告)号：CN107492478A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201610407507.8
申请日：2016-06-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/02172 , H01L21/02266
摘要： 本发明揭示一种半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法。半导体设备的成膜方法包括依序进行多次溅射流程，各溅射流程包括步骤：将基板载入腔室内并放置于承载底座上；将遮蔽盘移至靶材与基板之间；在腔室内通入惰性气体以对靶材进行表面修饰工艺；进行预溅射，以对靶材的表面进行预处理；将遮蔽盘从靶材与基板之间移开，并利用靶材对基板进行主溅射，在基板上形成薄膜；将基板移出腔室；并且，对第N批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺与对第N+1批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺具有不同的工艺参数，且N为大于0之正整数。本发明的半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法，能够改善成膜质量，提升成膜厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN107492478B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610407507.8
申请日：2016-06-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明揭示一种半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法。半导体设备的成膜方法包括依序进行多次溅射流程，各溅射流程包括步骤：将基板载入腔室内并放置于承载底座上；将遮蔽盘移至靶材与基板之间；在腔室内通入惰性气体以对靶材进行表面修饰工艺；进行预溅射，以对靶材的表面进行预处理；将遮蔽盘从靶材与基板之间移开，并利用靶材对基板进行主溅射，在基板上形成薄膜；将基板移出腔室；并且，对第N批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺与对第N+1批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺具有不同的工艺参数，且N为大于0之正整数。本发明的半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法，能够改善成膜质量，提升成膜厚度均匀性。
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