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公开(公告)号：CN117793062A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311511317.7
申请日：2023-11-14
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要： 本发明属于集成电路设计技术领域，具体涉及一种适用于可扩展系统的高可靠Chiplet互连网络架构，旨在解决Chiplet传统的互连技术面临着信号延迟、可扩展性和故障容错的问题。本系统包括：互连一致性存储结构、片上互连网络、层次化外设空间及多个高速互连接口；高速互连接口，包括协议层、数据链路层和物理层；互连一致性存储结构包括多个分布式Cache；各分布式Cache与对应的高速互联接口连接；片上互连网络包括多个具有数据传输层级关系的路由器节点；层次化外设空间，包括高速存储空间、高速外设空间、低速外设空间。本发明解决了Chiplet传统互联技术存在的问题，提升了可扩展系统的性能。
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公开(公告)号：CN112701669A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011534002.0
申请日：2020-12-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种利用公共放电通路提高抗静电网络电荷泄放能力的电路。其特点在于：本专利设计一种新型的ESD网络，针对电路中不适合借助电源通路进行ESD电荷泄放的端口，建立除电源通路外的公共放电通路，利用各通路的ESD保护器件钳位电压的不同，使该类端口电荷泄放借助公共放电通路完成。只需加强公共放电通路的电荷泄放能力，每个端口的电荷泄放能力均得到加强。本专利设计的ESD网络尤其适用于上述端口数量较多的模拟电路，旨在解决该类端口因到电源或地通路电荷泄放压力大导致的ESD能力无法得到保障的难题，同时降低电路成本。
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公开(公告)号：CN105656439B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201511023398.1
申请日：2015-12-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 一种可降低运算放大器功耗的开关电容偏置电路，包括P型电流源管偏置单元SCP和N型电流源管偏置单元SCN，该偏置电路利用电容分压，快速传递输入信号；受时钟馈通效应干扰小；可产生不同偏置电压，无需复杂的前端偏置产生电路，节约芯片面积；无直流电流通路，不增加额外功耗。可广泛地适用于任何工作在一定开关频率下的运算放大电路中，帮助运算放大器实现较低的功耗开销和较快速的信号建立。
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公开(公告)号：CN106558582A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611046358.3
申请日：2016-11-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0248
摘要： 本发明公开了一种基于低压器件实现对高压电路的ESD保护的方法和电路，其中，所述方法包括：当电容C0接收到ESD脉冲时，产生充电电流，电阻R0上产生压降，控制第二PMOS晶体管MP1和第三PMOS晶体管开启；当通过第二PMOS晶体管MP1和第一NMOS晶体管MN0输出的输出电压Vb1为高电平，且，通过第三PMOS晶体管MP2和第一PMOS晶体管MP0输出的偏置电压Vb2为高电平时，开启第三NMOS晶体管MN2和第二NMOS晶体管MN1,泄放电流。通过本发明提高了芯片的ESD防护能力，保证了芯片的成品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN103731125A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310714281.2
申请日：2013-12-20
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K17/08
摘要： 本发明提供一种非对称高压MOS器件的双端应用方法，包括（1）将两个非对称高压MOS器件各自的源端与衬底端连接；以及（2）将这两个非对称高压MOS器件采取背靠背连接的方式进行串接。针对选定的不存在对称高压MOS器件的工艺，利用其现有器件进行电路及版图设计就可以完成设计需求，节省成本。尤其在某些需要高可靠性电路的场合，电路设计不用再受到本身为数不多的高可靠工艺提供的器件种类不满足要求的限制。在工艺选择方面，不用受到工艺是否提供对称高压MOS器件的限制，工艺选择更加灵活。
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公开(公告)号：CN105634488B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201511021009.1
申请日：2015-12-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03M1/00
摘要： 本发明涉及一种降低流水线模数转换器中运算放大器功耗的系统及方法包括：电流源管M1…Mn；两组开关单元Kb1….Kbn和K1….Kn；两个时钟信号CK1和CK2，其中CK1为保持相时钟，CK2为采样相时钟；产生偏置电压Vb1….Vbn和偏置电压V1….Vn的偏置电压供给模块VBIAS；运算放大器的主体电路OPAbody；电流源管M1…Mn，包括并联的恒流源尾管Ma1…Man和动态源管Mb1…Mbn，电流源管M1…Mn的源端直接接电源或接地；本发明可广泛地应用于任何工作在一定频率下的流水线模数转换器运算放大电路中，具有设计简单、降功耗效果明显、通用性强等优点。提供了设计简单、降功耗明显、通用性强的降低流水线中运算放大器功耗的系统及方法。
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公开(公告)号：CN105634488A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511021009.1
申请日：2015-12-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03M1/00
CPC分类号： H03M1/002
摘要： 本发明涉及一种降低流水线模数转换器中运算放大器功耗的系统及方法包括：电流源管M1…Mn；两组开关单元Kb1….Kbn和K1….Kn；两个时钟信号CK1和CK2，其中CK1为保持相时钟，CK2为采样相时钟；产生偏置电压Vb1….Vbn和偏置电压V1….Vn的偏置电压供给模块VBIAS；运算放大器的主体电路OPAbody；电流源管M1…Mn，包括并联的恒流源尾管Ma1…Man和动态源管Mb1…Mbn，电流源管M1…Mn的源端直接接电源或接地；本发明可广泛地应用于任何工作在一定频率下的流水线模数转换器运算放大电路中，具有设计简单、降功耗效果明显、通用性强等优点。提供了设计简单、降功耗明显、通用性强的降低流水线中运算放大器功耗的系统及方法。
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公开(公告)号：CN116521231A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310362519.3
申请日：2023-04-06
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 一种用于SPARC V8指令集动态仿真验证的参考模型，包括存储单元，指令预处理单元，陷阱处理单元，指令执行单元及寄存器堆。存储单元用于存储指令与数据；指令预处理单元从存储单元中取指令码，将指令码按照SPARC V8指令集的定义进行翻译，提取指令类型、操作数等；陷阱处理单元判断是否进入陷阱，进入陷阱后会改变处理器的工作状态，并进入陷阱处理程序；寄存器堆用于存放指令的执行结果以及处理器的工作状态及控制信息。本发明可实现待测代码与检测器的解耦，极大地降低了验证平台的维护成本，节省了大量的验证时间，提升验证效率。
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公开(公告)号：CN106558582B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611046358.3
申请日：2016-11-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于低压器件实现对高压电路的ESD保护的方法和电路，其中，所述方法包括：当电容C0接收到ESD脉冲时，产生充电电流，电阻R0上产生压降，控制第二PMOS晶体管MP1和第三PMOS晶体管开启；当通过第二PMOS晶体管MP1和第一NMOS晶体管MN0输出的输出电压Vb1为高电平，且，通过第三PMOS晶体管MP2和第一PMOS晶体管MP0输出的偏置电压Vb2为高电平时，开启第三NMOS晶体管MN2和第二NMOS晶体管MN1,泄放电流。通过本发明提高了芯片的ESD防护能力，保证了芯片的成品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN104638887B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510050634.2
申请日：2015-01-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明提出了一种可实现输出高电平转换的输出驱动电路，其特征在于：包括第一电源VDD1，第二电源VDD2、输出控制电路T、上拉P管预驱动电路、上拉输出驱动PMOS管MP2、下拉输出驱动管MN5、输出隔离电路、下拉N管预驱动电路、可变驱动信号MID发生电路、下拉预驱动电路。上拉P管预驱动电路通过电平移位缓冲电路SHIFT的拉升，并利用反馈电路加速，为驱动管MP2提供可变驱动信号MID，使得整个电路在无高压器件的条件下实现输出高电平电压的转换。该技术相比其他电路的特点是：不需要额外的高压器件的输出管；可实现低电平输入高电平输出的不同选择；快速驱动负载；可隔离电源噪声；面积较小；功耗较小。
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