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公开(公告)号：CN118731510A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410739816.X
申请日：2024-06-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网冀北电力有限公司计量中心 , 国网四川省电力公司营销服务中心
IPC分类号： G01R29/08
摘要： 本申请提供一种EFT测试装置、方法及EFT故障诊断方法，属于电磁干扰技术领域。所述EFT测试装置与待测设备并联到交流电源，EFT测试装置包括：通断装置、干扰耦合装置以及感性负载，所述通断装置、干扰耦合装置以及感性负载串联后连接到交流电源，所述干扰耦合装置用于连接在待测设备上以将感性负载断开时产生的EFT耦合到待测设备上，所述通断装置控制感性负载的通断，以使感性负载在断开时产生EFT。该EFT测试装置采用的各元件成本低，在研发实验环境中可以快速获取相应元件并搭建好测试装置，可以实现第三方检测实验室外的EFT测试，无需采购专用设备，不受实验排期、场地的限制。成本低，周期短，可操作性强。
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公开(公告)号：CN118731511A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410747218.7
申请日：2024-06-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网冀北电力有限公司计量中心 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及芯片电磁兼容领域，提供一种测量通路谐振效应评估方法及装置、电磁干扰测试方法。所述方法包括：对芯片电磁干扰测试的测量结果进行频谱分析，以初步确定引起测量通路谐振效应的谐振频段；对测量系统进行频域测试，根据频域测试结果预测测量系统的测量通路的谐振点；利用仿真软件对测量系统进行测量仿真得到仿真结果，根据仿真结果对引起测量通路谐振效应的谐振频段以及测量通路的谐振点进行验证，以评估测量系统的测量通路谐振效应。本发明通过分析引起测量通路谐振效应的谐振频段和谐振点，通过仿真结果对其进行验证，确定高精度测量的影响因素，指导芯片电磁兼容标准的制定和芯片高可靠设计。
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公开(公告)号：CN118409180A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410593868.0
申请日：2024-05-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及集成电路测量技术领域，具体涉及晶体管电容测量设备、方法、装置、电子设备及存储介质，所述晶体管电容测量设备包括：可调偏置单元用于提供可调的偏置电压，其第一端与待测晶体管衬底连接，第二端与待测晶体管源极和漏极短接点连接；电容测量单元用于测量待测晶体管的栅与有源区交叠电容Cgc，其连接到待测晶体管栅极和可调偏置单元第二端；控制单元用于控制可调偏置单元的偏置电压在偏置电压范围内以第一预设步长扫描，以及控制电容测量单元的高压端和低压端之间的直流电压差在电压差范围内以第二预设步长扫描，以得到待测晶体管的Cgc曲线。本公开解决了电容测量时测量设备无法连续扫描的问题，显著提升了Cgc曲线测量的效率。
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公开(公告)号：CN116930670B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311205204.4
申请日：2023-09-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。
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公开(公告)号：CN116520137A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310762995.4
申请日：2023-06-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
摘要： 本申请提供一种低噪声芯片引脚干扰测量辅助装置及测量系统，属于芯片电磁兼容测量技术领域。所述低噪声芯片引脚干扰测量辅助装置包括：辅助测量支架和多个SMA转BNC接头；所述辅助测量支架上开设有多个安装孔，多个所述SMA转BNC接头一一对应安装在所述安装孔内，且与所述辅助测量支架形成导电接触，多个所述安装孔间隔预设间距设置；所述辅助测量支架与地形成导电接触。该干扰测量辅助装置采用辅助测量支架实现接地，减少接地电阻，设计SMA转BNC接头用于连接被测芯片和示波器，有利于减小寄生电感。
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公开(公告)号：CN116298653B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310586457.4
申请日：2023-05-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供一种瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法，属于电磁干扰技术领域。瞬态电磁干扰注入装置包括：控制设备、有界波模拟器以及干扰信号耦合线；所述控制设备与所述有界波模拟器连接，用于控制所述有界波模拟器产生模拟电磁场；所述干扰信号耦合线设置在所述有界波模拟器的两极板的平行板段之间，且平行于所述有界波模拟器的平行板段产生的电场，用于将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号。该瞬态电磁干扰注入装置采用有界波模拟器作为干扰源，采用干扰信号耦合线将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号，以传导的形式将瞬态电磁干扰注入到待测设备的端口，能更接近设备实际应用过程中面临的严酷电磁环境。
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公开(公告)号：CN116500348A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310792306.4
申请日：2023-06-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
摘要： 本发明提供一种低频电磁测量装置及系统，属于低频电磁测量领域，包括：屏蔽舱，为密封的舱体结构，舱壁上开设有出线孔；连接件，设置在屏蔽舱的内壁的出线孔处；连接件由一体成型的第一连接部和第二连接部构成，第一连接部为片状结构，第二连接部为柱状结构，开设于第一连接部的贯穿孔与开设于第二连接部的轴向通孔共同作为连接件的连接孔，连接孔与出线孔构型匹配；低频电磁测量设备的测量设备本体设置在屏蔽舱内，线缆通过连接孔和出线孔通出屏蔽舱；第一屏蔽层，包覆在线缆表面且填充线缆与连接孔和出线孔之间的缝隙，第一屏蔽层由带状屏蔽膜呈螺旋状缠绕而成。通过本发明提供的装置，有效将低频电磁干扰引入地下，提高低频电磁屏蔽效果。
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公开(公告)号：CN116973829A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311205203.X
申请日：2023-09-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种芯片引脚注入波形标定方法及装置，属于芯片电磁兼容测试领域。所述方法包括：获取被测芯片引脚的信号衰减曲线；以相同的采样频率测量获取第一波形；根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算芯片引脚的注入波形。通过获取的信号衰减曲线和具有相同频率的第一波形计算得到芯片引脚的注入波形，实现芯片引脚注入波形的标定，从而实现对芯片引脚干扰能量的精确注入，从而进一步用于不同特征的干扰波形对芯片引脚的失效研究中，获取芯片敏感的干扰波形。
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公开(公告)号：CN116298653A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310586457.4
申请日：2023-05-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供一种瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法，属于电磁干扰技术领域。瞬态电磁干扰注入装置包括：控制设备、有界波模拟器以及干扰信号耦合线；所述控制设备与所述有界波模拟器连接，用于控制所述有界波模拟器产生模拟电磁场；所述干扰信号耦合线设置在所述有界波模拟器的两极板的平行板段之间，且平行于所述有界波模拟器的平行板段产生的电场，用于将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号。该瞬态电磁干扰注入装置采用有界波模拟器作为干扰源，采用干扰信号耦合线将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号，以传导的形式将瞬态电磁干扰注入到待测设备的端口，能更接近设备实际应用过程中面临的严酷电磁环境。
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