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公开(公告)号：CN118731510A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410739816.X
申请日：2024-06-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网冀北电力有限公司计量中心 , 国网四川省电力公司营销服务中心
IPC分类号： G01R29/08
摘要： 本申请提供一种EFT测试装置、方法及EFT故障诊断方法，属于电磁干扰技术领域。所述EFT测试装置与待测设备并联到交流电源，EFT测试装置包括：通断装置、干扰耦合装置以及感性负载，所述通断装置、干扰耦合装置以及感性负载串联后连接到交流电源，所述干扰耦合装置用于连接在待测设备上以将感性负载断开时产生的EFT耦合到待测设备上，所述通断装置控制感性负载的通断，以使感性负载在断开时产生EFT。该EFT测试装置采用的各元件成本低，在研发实验环境中可以快速获取相应元件并搭建好测试装置，可以实现第三方检测实验室外的EFT测试，无需采购专用设备，不受实验排期、场地的限制。成本低，周期短，可操作性强。
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公开(公告)号：CN118627291A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410747506.2
申请日：2024-06-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明提供一种掺杂浓度文件生成方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：获取新拓扑结构网格中的所有节点坐标；基于原拓扑结构网格中所有图形网格内的指定点坐标构建KD树；基于所述KD树搜索出所述新拓扑结构网格中的每个节点坐标在所述原拓扑结构网格对应的目标图形网格；基于每个所述目标图形网格的节点掺杂浓度对新拓扑结构网格中的每个节点坐标进行插值，得到新拓扑结构网格中的所有节点坐标的掺杂浓度，以形成新掺杂浓度文件。相比现有技术采用顺序遍历原有拓扑结构的三角形网格方式，过程效率低、耗时长。本发明采用KD树的方式建立原有图形网格的快速搜索，实现新拓扑结构网格的节点在原有拓扑结构网格上的快速定位。
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公开(公告)号：CN118626374A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410745770.2
申请日：2024-06-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G06F11/36
摘要： 本发明提供一种图形用户界面程序的自动测试方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。其中方法包括：获取图形用户界面程序的测试用例中操作的控件坐标信息；基于测试用例中操作的控件坐标信息，编写自动化测试脚本；运行自动化测试脚本；重复执行以下步骤，直至所有测试任务测试结束：间隔预设时间周期获取图形用户界面的截图，以及提取截图中的多个测试任务的字符和每个测试任务对应的颜色状态；基于截图、多个测试任务的字符和每个测试任务的颜色状态，生成测试用例状态报告；基于测试用例状态报告确定所有测试任务的测试进程。本发明用以解决图形用户界面程序的测试过程中耗费大量的人力成本和时间成本的问题。
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公开(公告)号：CN118610265A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411082426.6
申请日：2024-08-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体领域。晶体管包括：衬底，由下至上依次包括：第一衬底层、第一氧化层、重掺杂硅层及突出于重掺杂硅层的第二衬底层和第二氧化层；第二氧化层包括栅氧化层和场板氧化层，场板氧化层厚度大于栅氧化层厚度；重掺杂多晶硅层和第三氧化层形成于未被第二氧化层和第二衬底层覆盖的重掺杂硅层上；重掺杂多晶硅层、第三氧化层、形成于体区及部分漂移区底部的第二氧化层和重掺杂多晶硅层、体区及部分漂移区底部的重掺杂硅层作为第二栅极，剩余的重掺杂硅层和第二氧化层作为第二场板。本发明能够增加载流子流通通道，增大晶体管的工作电流。
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公开(公告)号：CN117276349A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311569965.8
申请日：2023-11-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L27/02
摘要： 本申请公开了一种抗辐射动态阈值调制半导体器件、工艺、电路及芯片，属于半导体技术领域。抗辐射动态阈值调制半导体器件包括顺次层叠的衬底、底栅层、底栅介质层、外延层、顶栅介质层和顶栅层，外延层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，底栅层位于体区和漂移区的正下方，顶栅层位于体区和漂移区的正上方，底栅层和顶栅层在体区和漂移区内形成方向相反的电场。在器件开态时，导电沟道形成于器件内部，远离器件表面，从而不易受外界辐射干扰，器件更稳定；此外，通过采用双栅结构，能够通过器件设计，双栅动态调控获得电路所需的不同阈值电压，从而节约了调整工艺参数及工序的成本。
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公开(公告)号：CN116930670B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311205204.4
申请日：2023-09-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。
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公开(公告)号：CN116520137A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310762995.4
申请日：2023-06-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
摘要： 本申请提供一种低噪声芯片引脚干扰测量辅助装置及测量系统，属于芯片电磁兼容测量技术领域。所述低噪声芯片引脚干扰测量辅助装置包括：辅助测量支架和多个SMA转BNC接头；所述辅助测量支架上开设有多个安装孔，多个所述SMA转BNC接头一一对应安装在所述安装孔内，且与所述辅助测量支架形成导电接触，多个所述安装孔间隔预设间距设置；所述辅助测量支架与地形成导电接触。该干扰测量辅助装置采用辅助测量支架实现接地，减少接地电阻，设计SMA转BNC接头用于连接被测芯片和示波器，有利于减小寄生电感。
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公开(公告)号：CN116231314A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310464492.9
申请日：2023-04-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种结合二维材料的电磁环境测量天线，属于无线电测量技术领域。所述结合二维材料的电磁环境测量天线，所述电磁环境测量天线包括：介质基板、微带馈线和辐射单元；所述辐射单元包括四个菱形环辐射贴片，四个菱形环辐射贴片呈阵列布置在所述介质基板上表面，每个菱形环辐射贴片与相邻的两个菱形环辐射贴片顶点相连；所述微带馈线设于介质基板上表面，与任意两个菱形环辐射贴片的连接处相连。该天线工作于太赫兹频段，天线的结构简单，该结构能产生双谐振频率，具有双频特性。
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公开(公告)号：CN115878631B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310054937.6
申请日：2023-02-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： G06F16/22
摘要： 本发明涉及芯片领域，尤其涉及生产过程数据信息化领域，公开了一种用于变更数据库表的表结构的方法和装置。该方法包括：根据变更操作和变更事项修改预设数据库字段表和/或预设数据内容表；基于待变更数据类型标识，从预设数据库字段表和预设数据内容表中获取表字段名称信息和表字段内容信息；以及基于所获取的表字段名称信息和表字段内容信息，生成数据库表，以得到变更后的数据库表。藉此，实现了变更数据库表的表结构。
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公开(公告)号：CN115878631A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310054937.6
申请日：2023-02-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： G06F16/22
摘要： 本发明涉及芯片领域，尤其涉及生产过程数据信息化领域，公开了一种用于变更数据库表的表结构的方法和装置。该方法包括：根据变更操作和变更事项修改预设数据库字段表和/或预设数据内容表；基于待变更数据类型标识，从预设数据库字段表和预设数据内容表中获取表字段名称信息和表字段内容信息；以及基于所获取的表字段名称信息和表字段内容信息，生成数据库表，以得到变更后的数据库表。藉此，实现了变更数据库表的表结构。
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