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公开(公告)号：CN112231695A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011484779.0
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F21/52
Abstract: 本发明涉及信息安全技术领域，提供一种基于分支预测机制的攻击方法及系统、存储介质。所述方法包括：基于分支预测机制构建针对目标程序的分支预测信息矩阵；对符合所述目标程序的输入数据规则的明文数据进行选择；将选择后的明文数据作为所述目标程序的输入数据或部分输入数据，采集所述目标程序运行的时间样本数据；根据所述分支预测信息矩阵确定与所述时间样本数据相对应的秘密信息。本发明在攻击过程中利用了目标程序运行的整体时间数据，对采集时间点位要求低，能够对泄露信息（秘密信息）进行整体刻画，减少对目标程序的控制要求，并且通过统计分析的方式进行攻击，对泄露的刻画更精确，提升时间攻击检测的精准性。
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公开(公告)号：CN112149138A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011327250.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明涉及信息安全技术领域，提供一种密码算法程序漏洞检测方法及系统、存储介质。所述方法包括：对密码算法程序的汇编文件和配置文件进行解析；根据解析后的汇编文件和配置文件构造程序对象；根据指令分类信息执行所述程序对象的对应指令，在执行首个指令的过程中建立安全类型系统的初始分配集，在执行所述程序对象的对应指令的过程中监测每一指令的执行情况，在所有指令执行完毕后比较所述安全类型系统的最终分配集与指定分配集的偏序关系，以确定所述密码算法程序是否存在信息泄露。本发明漏洞检出的准确率高，实施性强，扩展性好，适用于在指令集架构上运行的不同类型的密码算法程序。
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公开(公告)号：CN112149138B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011327250.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明涉及信息安全技术领域，提供一种密码算法程序漏洞检测方法及系统、存储介质。所述方法包括：对密码算法程序的汇编文件和配置文件进行解析；根据解析后的汇编文件和配置文件构造程序对象；根据指令分类信息执行所述程序对象的对应指令，在执行首个指令的过程中建立安全类型系统的初始分配集，在执行所述程序对象的对应指令的过程中监测每一指令的执行情况，在所有指令执行完毕后比较所述安全类型系统的最终分配集与指定分配集的偏序关系，以确定所述密码算法程序是否存在信息泄露。本发明漏洞检出的准确率高，实施性强，扩展性好，适用于在指令集架构上运行的不同类型的密码算法程序。
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公开(公告)号：CN112231695B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011484779.0
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F21/52
Abstract: 本发明涉及信息安全技术领域，提供一种基于分支预测机制的攻击方法及系统、存储介质。所述方法包括：基于分支预测机制构建针对目标程序的分支预测信息矩阵；对符合所述目标程序的输入数据规则的明文数据进行选择；将选择后的明文数据作为所述目标程序的输入数据或部分输入数据，采集所述目标程序运行的时间样本数据；根据所述分支预测信息矩阵确定与所述时间样本数据相对应的秘密信息。本发明在攻击过程中利用了目标程序运行的整体时间数据，对采集时间点位要求低，能够对泄露信息（秘密信息）进行整体刻画，减少对目标程序的控制要求，并且通过统计分析的方式进行攻击，对泄露的刻画更精确，提升时间攻击检测的精准性。
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公开(公告)号：CN114325303B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113990866B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN113903857B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111475179.2
申请日：2021-12-06
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电容器、芯片及电容器的制备方法，该电容器包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合。该电容器提高了各个电介质膜的表面平整度、降低了缺陷数量，而且提高了不同折射率电介质膜的耦合性，提升了层叠电介质的击穿电压和经时击穿性能，从而大幅度提高了电容器的电性能。
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公开(公告)号：CN114065674B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号：CN113851466B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111436654.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种隔离电容及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括衬底、下极板、上极板以及位于所述下极板与所述上极板之间的电介质层，还包括设置于所述下极板与所述衬底之间的隔离层；所述隔离层由介电常数在2~3之间的电介质材料形成，所述隔离层用于降低所述下极板与所述衬底之间的寄生电容。本发明在下极板与衬底之间增加超低介电常数的隔离层，大幅度降低下极板与衬底之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN114050818A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111182262.0
申请日：2021-10-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及隔离器技术领域，提供一种数字隔离器及芯片。所述数字隔离器包括：调制发送模块，用于将接收到的输入信号转换为全差分信号；隔离电容模块，与所述调制发送模块连接，用于传输所述全差分信号；有源共模滤波模块，与所述隔离电容模块连接，用于过滤所述隔离电容模块传输所述全差分信号过程中的共模瞬态脉冲；接收解调模块，与所述隔离电容模块连接，用于对过滤共模瞬态脉冲后的全差分信号进行解调并输出。本发明通过调制发送模块将输入信号转换为全差分信号，利用有源共模滤波模块过滤全差分信号传输过程中的共模瞬态脉冲，提高了数字隔离器的共模瞬态脉冲抑制能力。
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