公开(公告)号：CN112710600A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011455614.0

申请日：2020-12-10

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  清华大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  杨睿 ,  陈燕宁 ,  甄岩 ,  黄海潮 ,  周敏 ,  王文赫 ,  董广智 ,  王帅鹏 ,  安振华

IPC分类号： G01N17/00 ,  G01N21/3504

摘要： 本发明提供一种聚碳酸酯类材料稳定性快速评价方法，属于高分子材料检测分析领域。所述方法包括：利用高灵敏度红外光谱仪实时监测原位反应仓中的样品在一定条件下老化早期产生的痕量气相产物来评价聚碳酸酯类材料的稳定性，该方法检测精度高，在聚碳酸酯类材料老化早期就能检测到痕量的气相老化产物，能够实现在材料发生老化的同时在线监测老化产物，因此极大程度缩减了老化评价周期。本发明的方案能够将整个聚碳酸酯类材料稳定性的测试时间缩短为6‑10小时，解决了目前聚碳酸酯类材料稳定性的评价方法耗时很长的问题。

公开(公告)号：CN112710599A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011455404.1

申请日：2020-12-10

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  清华大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  杨睿 ,  庞振江 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  黄海潮 ,  钟明琛 ,  安振华 ,  王立城 ,  董广智

IPC分类号： G01N17/00 ,  G01N21/3504

摘要： 本发明提供一种聚酰胺类材料稳定性快速评价方法，属于高分子材料检测分析领域。所述方法包括：实时监测原位反应单元中的聚酰胺类材料的待测样品在一定条件下老化早期产生的痕量气相产物来评价聚酰胺类材料的待测样品的稳定性。该方法检测精度高，在聚酰胺类材料老化早期就能检测到痕量的气相老化产物，同时能够实现在聚酰胺类材料发生老化的同时在线监测老化产物，因此极大程度缩减了老化评价周期。采用这种方法能够将整个聚酰胺类材料稳定性的测试时间缩短为6‑10小时，解决了目前聚酰胺类材料稳定性的评价方法耗时很长的问题。

公开(公告)号：CN117313625A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311605343.6

申请日：2023-11-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  戴飞 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王柏清 ,  王凯 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC分类号： G06F30/367 ,  G01R31/26 ,  G01N33/2022 ,  G06F119/04

摘要： 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。

公开(公告)号：CN116754920B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202311053826.X

申请日：2023-08-21

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  刘芳

IPC分类号： G01R31/26 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/048 ,  G06N3/084 ,  G06N3/096

摘要： 本申请实施例提供一种半导体寿命测试方法、装置、存储介质及终端设备，属于半导体技术领域。方法包括：实时获取待测半导体在加速应力试验下的特征参数；在确定获取到的特征参数的退化量达到第一阈值的情况下，以当前获取到的特征参数构成的时间序列数据集为输入，经半导体寿命预测模型输出待测半导体的失效时刻。半导体寿命预测模型由与待测半导体同一类别的半导体在加速应力试验下的第一时间序列样本数据集对目标域模型训练后得到，目标域模型由对预训练的源域模型进行迁移学习后得到。本申请能够有效减少试验数据的采集量，降低了半导体器件的可靠性测试时间，提高了测试效率。

公开(公告)号：CN116805864A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310612009.7

申请日：2023-05-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  王帅鹏 ,  李振荣 ,  付振 ,  黄海潮 ,  李文彬

IPC分类号： H03H11/04 ,  H03H11/34

摘要： 本发明实施例提供一种低通滤波器及设备，属于滤波器技术领域。所述低通滤波器，包括：第一滤波网络，其输入端接入待处理信号，用于提供针对该待处理信号的低通截止频率和可调增益以进行信号滤波，并输出第一滤波信号；以及第二滤波网络，其输入端接入所述第一滤波信号，用于滤除该第一滤波信号中的杂波，并输出第二滤波信号。本发明实施例通过第一滤波网络进行了低通截止频率和可调增益的设计，有助于适应场景来降低滤波器功耗，通过第二滤波网络进行杂波滤除，有助于进一步降低滤波器功耗，且改善了信号的线性度。

公开(公告)号：CN115308558B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211039166.5

申请日：2022-08-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  张东嵘 ,  鹿祥宾 ,  付振 ,  刘芳

IPC分类号： G01R31/26 ,  G06F18/214 ,  G06F18/241 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/045

摘要： 本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。

公开(公告)号：CN112574529B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202011349297.4

申请日：2020-11-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  天津大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  李秀伟 ,  甄岩 ,  于秋生 ,  彭业凌 ,  黄海潮 ,  赵扬 ,  董广智 ,  王文赫 ,  朱艳吉 ,  申小松 ,  汪怀远

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08K3/38 ,  C08K7/26 ,  C08K3/28 ,  C08K7/24 ,  C08G59/50 ,  C09K5/14

摘要： 本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN114818393B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210740098.9

申请日：2022-06-28

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  鹿祥宾 ,  张东嵘 ,  付振 ,  刘芳 ,  闫振华 ,  张庆平 ,  夏绪卫

IPC分类号： G06F30/20 ,  G01R31/26 ,  G06F119/04

摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。

公开(公告)号：CN115062730B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202210944464.2

申请日：2022-08-08

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 王于波 ,  赵东艳 ,  翟振 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  张东

IPC分类号： G06F18/24 ,  G06F18/214 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0442 ,  G06V10/764 ,  G01R31/58 ,  G01R31/54

摘要： 本公开涉及电力设备技术领域，具体涉及一种输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取输电线状态采集器采集的至少一组采集器状态数据，并根据至少一组采集器状态数据获取至少一组输电线状态数据；对至少一组输电线状态数据进行检测，以生成输电线状态检测结果；响应于至少两组连续的输电线状态数据的检测结果均满足状态数据超标条件，生成输电线断落故障信息。该方案可以在耗费较少资源的前提下，准确的确定两个输电线塔之间的目标输电线是否出现了断落故障，从而改善了检测效率，并提高了检测的准确率。

公开(公告)号：CN115224113B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211124222.5

申请日：2022-09-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  张泉 ,  尹强 ,  田俊 ,  杨毓龙

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。