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公开(公告)号：CN112710600A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011455614.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 清华大学
IPC: G01N17/00 , G01N21/3504
Abstract: 本发明提供一种聚碳酸酯类材料稳定性快速评价方法，属于高分子材料检测分析领域。所述方法包括：利用高灵敏度红外光谱仪实时监测原位反应仓中的样品在一定条件下老化早期产生的痕量气相产物来评价聚碳酸酯类材料的稳定性，该方法检测精度高，在聚碳酸酯类材料老化早期就能检测到痕量的气相老化产物，能够实现在材料发生老化的同时在线监测老化产物，因此极大程度缩减了老化评价周期。本发明的方案能够将整个聚碳酸酯类材料稳定性的测试时间缩短为6‑10小时，解决了目前聚碳酸酯类材料稳定性的评价方法耗时很长的问题。
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公开(公告)号：CN112710599A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011455404.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 清华大学
IPC: G01N17/00 , G01N21/3504
Abstract: 本发明提供一种聚酰胺类材料稳定性快速评价方法，属于高分子材料检测分析领域。所述方法包括：实时监测原位反应单元中的聚酰胺类材料的待测样品在一定条件下老化早期产生的痕量气相产物来评价聚酰胺类材料的待测样品的稳定性。该方法检测精度高，在聚酰胺类材料老化早期就能检测到痕量的气相老化产物，同时能够实现在聚酰胺类材料发生老化的同时在线监测老化产物，因此极大程度缩减了老化评价周期。采用这种方法能够将整个聚酰胺类材料稳定性的测试时间缩短为6‑10小时，解决了目前聚酰胺类材料稳定性的评价方法耗时很长的问题。
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公开(公告)号：CN115356606B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210929159.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电力技术领域，具体涉及一种隔离器件耐压测试的装置、制造方法及耐压测试的方法，所述装置包括：一对夹具、PCB板、金属和底座；所述一对夹具固定于所述底座上；每个夹具包括上夹板和下夹板，所述下夹板上设置所述PCB板，所述PCB板上设置所述金属；其中，当隔离器的两侧端子分别接触所述金属短接时，所述隔离器与所述底座之间为空气隔开。本公开提供的装置，隔离器与底座之间由空气隔开，利用空气绝缘性较好的原理，可以大大提高隔离器耐压测试的上限，防止在隔离器测试过程当中，因测试工装自身耐压不足产生闪络、火花等击穿现象，从而可以在较高的测试电压下测试隔离器，能够更加全面的评估隔离器的性能指标。
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公开(公告)号：CN114268310B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111331236.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种电平移位器和数字隔离器，该电平移位器还包括偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述输入信号端连接电平移位主体单元、偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述偏置电流瞬态增强单元的输出端与边沿快速响应单元的输入端连接，所述边沿快速响应单元的输出端与所述电平移位主体单元的输出端连接，所述电平移位主体单元的输出端作为所述输出信号端；所述偏置电流瞬态增强单元用于在输入信号跳变过程中为边沿快速响应单元提供瞬态增强后的偏置电流，所述边沿快速响应单元用于在所述偏置电流的作用下快速响应，以加快电平移位主体单元输出电平的转换速度。解决了传统电平移位器在输入信号电平突变时响应较慢的问题。
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公开(公告)号：CN112574529B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011349297.4
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 天津大学
Abstract: 本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114818393B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210740098.9
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/20 , G01R31/26 , G06F119/04
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN115062730B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210944464.2
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F18/24 , G06F18/214 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06V10/764 , G01R31/58 , G01R31/54
Abstract: 本公开涉及电力设备技术领域，具体涉及一种输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取输电线状态采集器采集的至少一组采集器状态数据，并根据至少一组采集器状态数据获取至少一组输电线状态数据；对至少一组输电线状态数据进行检测，以生成输电线状态检测结果；响应于至少两组连续的输电线状态数据的检测结果均满足状态数据超标条件，生成输电线断落故障信息。该方案可以在耗费较少资源的前提下，准确的确定两个输电线塔之间的目标输电线是否出现了断落故障，从而改善了检测效率，并提高了检测的准确率。
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公开(公告)号：CN113866690B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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公开(公告)号：CN115020478B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210944506.2
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底，衬底由具有第一导电类型的碳化硅材料制成；第一外延层，由具有第一导电类型的碳化硅材料制成，为顶部具有条形梳齿的梳状结构；第二外延层，由具有第一导电类型的硅材料制成，形成于第一外延层上并填充梳齿之间的空隙；具有第二导电类型的漂移区，形成于第二外延层内；具有第一导电类型的体区，形成于第二外延层内漂移区两侧；源极形成于体区内，漏极形成于漂移区内，场板形成于漂移区表面，栅极形成于漂移区和体区表面并覆盖部分场板。通过本发明提供的晶体管能够提高击穿电压，降低器件的温度，提高器件的性能和可靠性，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN114720923A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210532932.5
申请日：2022-05-17
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本申请涉及磁传感器领域，提供一种镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法。所述镂空立方体封装的三维磁传感器，包括：镂空立方体构件和三个磁阻单元，三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面，三个所述磁阻单元在所述镂空立方体构件的内部电气互联。本申请充分利用垂直空间实现高密度的三维磁传感器集成，体积小，功耗低。本申请借助镂空立方体构件的固定作用，其相邻平面的磁阻单元的角度相互垂直，形状稳定性好，灵敏度高，可实现优良的三维磁传感能力。
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