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公开(公告)号：CN118763118A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411239239.4
申请日：2024-09-05
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/10 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种分离式深栅LDMOS器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区、分离式深栅结构及场板结构，体区、漂移区、源区及漏区形成于衬底中，体区与源区相接，漂移区与漏区相接；分离式深栅结构包括多个嵌入体区内的纵向深栅，相邻两个纵向深栅之间通过体区相互隔离；场板结构包括多个嵌入漂移区内的场氧化层，相邻两个场氧化层之间通过漂移区相互隔离；相邻两个纵向深栅之间的体区与相邻两个场氧化层之间的漂移区相接，多个纵向深栅分别与多个场氧化层相接。本发明采用分离式的纵向深栅结构和场板结构形成多个导电沟道，增加栅对沟道的控制，增加器件的导通电流，从而降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN118132404A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410576360.X
申请日：2024-05-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种内存泄漏检测方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：控制多个资源使用线程执行第一轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第一内存检测，得到第一内存检测值；重复执行以下步骤，直至达到设定时间阈值：控制多个资源使用线程执行第二轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第二内存检测，得到第二内存检测值；基于第一内存检测值和第二内存检测值的对比结果，确定内存泄漏检测结果。通过重复对比多个资源使用线程经过轮转切换后的内存检测值进行内存泄漏检测，由于多个资源使用线程通过短时间片切换来循环获取资源和释放资源，本发明能够在短时间内精准检测到每个时间点可能产生的内存泄漏。
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公开(公告)号：CN115525293A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211250692.6
申请日：2022-10-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网冀北电力有限公司计量中心 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本申请公开了一种智能电表的子程序资源配额管理方法、装置和系统。其中，该方法应用于上位机，包括：获取可执行子程序，其中，可执行子程序在开发时采用预设资源配额进行编写；确定目标资源配额，并在目标资源配额小于预设资源配额时，对可执行子程序进行更新；将更新后的可执行子程序下发至智能电表，以便智能电表根据目标资源配额加载并运行更新后的可执行子程序。该方法能够限定每个可执行子程序的资源配额，使多个可执行子程序可以协同工作，实现智能电表的多应用化。
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公开(公告)号：CN115098406A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210706000.8
申请日：2022-06-21
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网冀北电力有限公司计量中心 , 中国电力科学研究院有限公司
IPC分类号： G06F12/02 , G06F9/4401 , G06F9/445
摘要： 本发明公开了一种应用程序地址空间的管理方法、装置以及介质、终端设备，应用程序地址空间的管理方法包括：在终端设备上电后，读取预设的地址空间分区信息，其中，所述地址空间分区信息包括所述终端设备各应用程序对应分区的分区地址，且所有分区地址的起始地址相同；将各分区的分区地址映射到对应的物理地址，以在应用程序运行时通过相应的物理地址进行访问。该方法可实现应用程序运行时统一的访问地址，从而可降低操作系统维护的难度，提升代码的通用性，达到模块化编程的目的。
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公开(公告)号：CN113820649A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111010099.X
申请日：2021-08-31
申请人： 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种电能表固件的寿命可靠性测试方法和装置。其中，该电能表固件的寿命可靠性测试方法包括：对电能表的万年历时间相关功能进行遍历加速；在遍历加速的情况下，对电能表的与时间相关的功能数据进行功能准确性验证，以生成验证的结果；以及根据验证的结果判断电能表的时间同步运行功能是否存在异常。本发明利用软件侵入式加速逻辑运行，通过电能表内置的时间计时加速程序对电能表万年历时间相关功能进行遍历加速，然后再由内置的监控程序对电能表既定时间相关功能进行功能准确性验证。从而，可以对电能表软件开发过程中遗留的长周期隐藏bug缺陷进行有效识别和验证。
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公开(公告)号：CN113820649B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111010099.X
申请日：2021-08-31
申请人： 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种电能表固件的寿命可靠性测试方法和装置。其中，该电能表固件的寿命可靠性测试方法包括：对电能表的万年历时间相关功能进行遍历加速；在遍历加速的情况下，对电能表的与时间相关的功能数据进行功能准确性验证，以生成验证的结果；以及根据验证的结果判断电能表的时间同步运行功能是否存在异常。本发明利用软件侵入式加速逻辑运行，通过电能表内置的时间计时加速程序对电能表万年历时间相关功能进行遍历加速，然后再由内置的监控程序对电能表既定时间相关功能进行功能准确性验证。从而，可以对电能表软件开发过程中遗留的长周期隐藏bug缺陷进行有效识别和验证。
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公开(公告)号：CN113918448A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111035471.2
申请日：2021-09-01
申请人： 中国电力科学研究院有限公司 , 国网冀北电力有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种电能表软件测试的方法及系统。其中，该方法包括：根据电能表软件编程标准以及电能表系统接口标准，在windows环境下，实现电能表软件APP各接口，生成电能表软件虚拟运行可执行程序；在虚拟运行环境下，调用接口函数记录电能表数据，根据所述电能表数据检验电能表软件APP各接口入参和调用的业务数据和技术手段是否符合标准；当所述电能表软件虚拟运行可执行程序初始化时，监控和记录所述电能表软件虚拟运行可执行程序的申请内存大小；当所述电能表软件虚拟运行可执行程序正常运行时，通过系统内核提供的时钟片段测量所述电能表软件虚拟运行可执行程序占用一次CPU资源的时间长短，统计一秒时间内APP调用系统的次数并记录。
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公开(公告)号：CN118132404B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410576360.X
申请日：2024-05-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种内存泄漏检测方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：控制多个资源使用线程执行第一轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第一内存检测，得到第一内存检测值；重复执行以下步骤，直至达到设定时间阈值：控制多个资源使用线程执行第二轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第二内存检测，得到第二内存检测值；基于第一内存检测值和第二内存检测值的对比结果，确定内存泄漏检测结果。通过重复对比多个资源使用线程经过轮转切换后的内存检测值进行内存泄漏检测，由于多个资源使用线程通过短时间片切换来循环获取资源和释放资源，本发明能够在短时间内精准检测到每个时间点可能产生的内存泄漏。
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公开(公告)号：CN113986359A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111131298.6
申请日：2021-09-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： G06F9/4401 , G06Q50/06
摘要： 本发明公开了一种智能电表及用于其的操作系统以及操作系统的运行方法。其中，用于智能电表的操作系统包括：内核模块，内核模块包括实时操作系统单元、设备驱动框架单元、文件系统单元，其中，实时操作系统单元用于提供实时操作系统内核，设备驱动框架单元用于提供系统内核与多个业务子程序的标准接口，文件系统单元用于存储多个业务子程序；应用模块，应用模块包括子程序加载器单元，其中，子程序加载器单元用于将存储在文件系统单元中的多个业务子程序加载到系统内核，并通过标准接口访问智能电表的底层设备。该用于智能电表的操作系统，可以满足泛在电力物联网对新业务拓展的需求。
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公开(公告)号：CN118016718A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410189753.5
申请日：2024-02-20
申请人： 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司 , 浙江大学杭州国际科创中心
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/40
摘要： 本发明公开一种LDMOS器件。本发明包括衬底、位于衬底内的漂移区和体区，以及位于衬底之上、且横跨漂移区和体区的第一栅极，还包括位于漂移区的场板中的第二栅极，用于降低漂移区的掺杂浓度，有助于耗尽区在横向方向上的扩展，同时调控靠近漏极一侧场板拐角处的电场强度分布，优化器件击穿电压。本发明利用对分离的栅极施加电压调控LDMOS器件靠近漏极一侧拐角处电场强度以及耗尽区宽度，能够在不改变导通电阻情况下改善击穿电压。
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