公开(公告)号：CN106611791A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610087701.2

申请日：2016-02-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金东权 ,  徐康一

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66007

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一纳米线设置在基板上。第一纳米线在第一方向上延伸并且与基板间隔开。栅电极围绕第一纳米线的外围。栅电极在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅间隔物形成在栅电极的侧壁上。栅间隔物包括彼此面对的内侧壁和外侧壁。栅间隔物的内侧壁面对栅电极的侧壁。第一纳米线的端部分从栅间隔物的外侧壁突出。源极/漏极设置在栅电极的至少一侧。源极/漏极连接到第一纳米线的突出的端部分。

公开(公告)号：CN106067484A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610633098.3

申请日：2014-09-18

申请人： 三垦电气株式会社

发明人： 川尻智司

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7396 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其能够低廉地进行制造且是降低了反馈电容的沟槽栅型。具有：半导体基板，其是层叠第1半导体区、第2半导体区、第3半导体区、以及第4半导体区而成的；绝缘膜，其配置在槽的内壁上，该槽从第4半导体区的上表面延伸，贯通第4半导体区以及第3半导体区而达到第2半导体区；控制电极，其在槽的侧面，与第3半导体区的侧面相对地配置在绝缘膜上；第1主电极，其与第1半导体区电连接；第2主电极，其与第3半导体区以及第4半导体区电连接；底面电极，其在槽的底面中与控制电极分离地配置在绝缘膜上，与第2主电极电连接，其中，在俯视时，槽的延伸方向的长度为槽的宽度以上，且，槽的宽度大于相邻的槽彼此之间的间隔。

公开(公告)号：CN104347520A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410366642.3

申请日：2014-07-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李明宰 ,  赵成豪 ,  金镐正 ,  朴永洙 ,  D.徐 ,  柳寅敬

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/788 ,  G06N3/049 ,  G06N3/063 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/0433 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/53 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/00 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/51 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/685 ,  H01L29/78 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/147 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66007

摘要： 本发明提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。

公开(公告)号：CN103681483A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210408716.6

申请日：2012-10-19

申请人： 凌巨科技股份有限公司

发明人： 孙国昇 ,  吴瑞钦

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G03F7/00 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L21/02697 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49844 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提出一种改善透明导电层断线的方法及其结构，其系于制备薄膜晶体管时，透过提升氮化硅膜在涂布光阻材料过程中的旋转速率，以及调整氮化硅膜与光阻膜的蚀刻速率比，两者相配合之下，进而使蚀刻后的氮化硅膜的通孔具有缓和的蚀刻角度，不会造成倒角的结构，使后续所设置于其上的透明导电层不会产生断线，具良好的质量。

公开(公告)号：CN103229033A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180044665.7

申请日：2011-07-14

申请人： 微型金属薄膜电阻器有限公司

发明人： M.莫尼基诺

IPC分类号： G01L9/00

CPC分类号： H01L29/66007 ,  G01L9/0052 ,  G01L19/147 ,  G01L19/148 ,  H01L29/84

摘要： 一种传感器，尤其是压力传感器，具有：结构，其包括支撑体（10）；电路装置（4），包括电路部件（3a、3b、3c、3d），在其中检测装置（3c）用于生成表示要被检测的量的电信号；以及至少一个电路支撑件（4a），其被连接到所述支撑体（10）并且具有表面，在所述表面上形成多个所述电路部件（3a、3b、3c、3d），在其中导电路径（3a、3b），其中所述电路支撑件（4a）被层压在所述支撑体（10）的所述第一面（10a）上。

公开(公告)号：CN108140563A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061152.X

申请日：2016-11-01

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B19/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

摘要： 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有AlpGa1－pN(0.7≤p≤1)、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。

公开(公告)号：CN106328488A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510359333.8

申请日：2015-06-25

申请人： 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 李理 ,  马万里 ,  赵圣哲

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/66007 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/36

摘要： 本发明提出了一种超结功率器件的制备方法和超结功率器件，其中，上述制备方法，包括：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；在第一外延层和第二外延层内形成垂直于衬底的沟槽，沟槽的深度等于第一外延层和第二外延层的厚度之和；在第一外延层对应的沟槽内形成第三外延层，第一外延层的厚度与第三外延层的厚度一致，以形成第一级超结功率单元；在第三外延层的上方形成第四外延层，第二外延层的厚度与第四外延层的厚度一致，以形成第二级超结功率单元，进而完成超结功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案，形成了兼容了两种掺杂浓度的超结结构的超结功率器件，既满足了低导通电阻的需求，同时，也满足了对电荷失衡的低敏感度的需求。

公开(公告)号：CN106229266A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610732685.8

申请日：2016-08-27

申请人： 许昌学院

发明人： 韩红培

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66984 ,  H01L29/66007

摘要： 本发明提供了一种基于Co2MnGe/GaAs异质结自旋过滤和负微分电阻效应的制备工艺，第一步：构建全霍伊斯勒L21型Co2MnGe的晶体结构，对其晶格结构进行优化；第二步：在平衡晶格常数aeq下，对Co2MnGe的态密度进行计算并加以分析；第三步：构建Co2MnGe/GaAs 方向的异质结并进行优化；第四步：对优化后的异质结左右两端的材料分别重复一个周期，作为异质结的左右电极；第五步：在异质结的左右电极上施加偏压，计算Co2MnGe/GaAs异质结的量子自旋输运性质；第六步：通过对Co2MnGe/GaAs异质结输运性质的分析，获得输运过程中的自旋过滤和负微分电阻效应。

公开(公告)号：CN104813468A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380060946.0

申请日：2013-06-17

申请人： 英特尔公司

发明人： B·S·多伊尔 ,  D·L·肯克 ,  C·C·郭 ,  U·沙阿 ,  K·奥乌兹 ,  M·L·多齐 ,  S·苏里 ,  C·韦布

IPC分类号： H01L27/10

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 描述了具有偏移单元的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件和用于制造具有偏移单元的垂直STTM器件的方法。例如，自旋转移扭矩存储器(STTM)阵列包括设置于衬底上方并且只具有第一STTM器件的第一负载线。所述STTM阵列还包括设置于所述衬底上方、与所述第一负载线相邻并且只具有第二STTM器件的第二负载线，所述第二STTM器件与所述第一STTM器件非共面。

公开(公告)号：CN104538301A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510030332.9

申请日：2015-01-21

申请人： 安徽安芯电子科技有限公司

发明人： 汪良恩 ,  张小明 ,  安起跃

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/22 ,  H01L21/304 ,  H01L21/265 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66007 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0684

摘要： 本发明实施例公开了一种制造整流芯片的方法及整流芯片，所述方法包括，通过分两个阶段将磷原子掺入衬底，以使磷原子的第二掺杂浓度为1018cm-3-1020cm-3，以提高衬底的导电率，通过对晶圆进行研磨，使所述晶圆的厚度为190um-195um，以降低芯片的导电电阻；在第三预设温度、第三预设掺杂时间条件下，通过热扩散法或离子注入法将硼原子掺入晶圆的衬底，使所述衬底中硼原子的掺杂浓度大于或等于1020cm-3，进一步提高衬底的导电率，通过向衬底掺入磷原子和硼原子，形成高浓度的衬底，并形成包含P+-N-N--N+结构的晶圆，有效提高整流芯片的电导率以及降低正向压降。