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公开(公告)号：CN115862703B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202211666488.2
申请日：2022-12-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C7/10
Abstract: 本发明公开了一种基于导电桥阈值开关器件的1S1C存储器及其操作方法，该1S1C存储器包括导电桥阈值开关器件和电容，导电桥阈值开关器件中的选通层为对称结构，包括第一离子层、转换层和第二离子层，构成具有正反向导通特性的选通管；在1S1C存储器上施加电脉冲，当加载在选通层两端的电压差大于阈值电压时，第一离子层或第二离子层中的活性金属离子进入转换层形成导电细丝，选通层处于低阻态；当该电压差降为小于保持电压时，转换层中的导电细丝断裂，选通层变为高阻态，电容两端电压维持在一稳定值，利用电容上存储的电荷量和极性实现数据存储。本发明可有效提升1S1C存储器的刷新周期，降低功耗，且还能简化其操作方法的设计。
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公开(公告)号：CN112186482A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010923234.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种激光输出状态可调的固体激光器，属于激光技术领域，包括第一谐振腔、第一增益介质、第二谐振腔、第二增益介质、泵浦光源和谐振腔损耗调制模块；谐振腔损耗调制模块用于调节谐振腔损耗；减小第二谐振腔损耗，第二增益介质增加对第一激光的吸收能力，使第二增益介质的增益快速达到阈值并产生第二激光，实现第一激光与第二激光均为脉冲输出激光；增大第二谐振腔损耗，第二增益介质降低对第一激光的吸收能力，使第二增益介质的增益速度变慢，实现第一激光与第二激光均为连续输出激光。本发明通过控制所搭建子腔内具有饱和吸收特性的激光晶体的吸收漂白特性，控制该激光器工作在连续、稳定的脉冲、稳定的多脉冲和混沌脉冲的状态。
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公开(公告)号：CN115954028A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211731083.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/409 , G11C11/406
Abstract: 本发明公开了一种存储器的操作方法，该操作方法包括如下步骤：接收操作指令：写入操作和刷新操作；若操作指令为写入状态1操作，则对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压；若为写入状态0操作，则对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压；若为刷新操作，则对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压，并检测被选中存储单元是否存在电流，若不存在电流，则先对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压，再对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压；若存在电流，则对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压。本发明在进行数据写入前无需进行读取操作，可有效缩短写入过程的操作流程，提高写入效率。
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公开(公告)号：CN116322032B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202211686527.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于环状电容的三维1S1C存储器及制备方法，存储器包括：水平的外围电极层、垂直的功能层及电容介质层：外围电极层包括在衬底上交替堆叠生长的第一电介质层与第一金属电极层，外围电极层中设置有若干在垂直方向贯穿的沟槽，设置有若干在垂直方向贯穿的孔洞，每个孔洞外均设置有一环形凹槽，环形凹槽环绕孔洞并垂直切断外围电极层，环形凹槽内均匀填充有电容介质层，第二金属电极层顶部延伸至最顶层的第一电介质层表面形成位线电极并与位线连接，第二金属电极层与第一金属电极层正对的区域构成存储单元。本发明中减少了制备电容时的刻蚀次数，只需要一次刻蚀并沉积一次电容介质层便可完成全部电容单元的制备，提高了电容制备的良率。
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公开(公告)号：CN117672318A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311667733.6
申请日：2023-12-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于导电桥阈值开关型选通管的动态存储单元及其操作方法，包括导电桥阈值开关型选通管和存储电容；所述导电桥阈值开关型选通管的第一端与存储电容的第一端相连，所述导电桥阈值开关型选通管的第二端为所述动态存储单元的输入端，所述存储电容的第二端为所述动态存储单元的输出端；本发明的导电桥阈值开关型选通管的漏电流较小，即导电桥阈值开关型选通管的关闭电阻较大，从而使存储电容放电时间变长，即提升存储电容的数据存储时间，因此可以使得利用选通管构成的动态存储结构的数据保持时间大大增加，从而减少刷新操作，并延长其使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115915758A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211676233.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直电极的三维1S1C存储器及制备方法，三维1S1C存储器包括外围电极层和垂直的选通管功能层：外围电极层为第一电介质层与第一金属电极层相互交替堆叠，外围电极层中设置有若干个在垂直方向贯穿的沟槽，每层第一金属电极层均被沟槽分隔为若干独立条状电极，条状电极为存储器的字线；外围电极层中设置有若干个在垂直方向贯穿的孔洞，第二电介质层与第二金属电极形成的表面上形成有选通管功能层，第三金属电极层顶部延伸到最顶层的第一电介质层表面形成位线电极并与位线连接在一起，第三金属电极层与所述第一金属电极层正对的区域构成存储单元。本发明避免了多次套刻带来的精度不准和成本过高等问题。
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公开(公告)号：CN117672319A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311671791.6
申请日：2023-12-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于单向选通器件的动态存储单元及其操作方法，包括单向选通模块和电容；所述单向选通模块的第一端为所述动态存储单元的输入端，所述单向选通模块的第二端和所述电容的第一端连接，所述电容的第二端作为所述动态存储单元的输出端；所述单向选通模块在工作时根据操作电压转换为低阻态向所述电容充电，并在所述电容电压达到目标电压时转换为高阻态。本发明采用的单向选通模块相较于双向选通管而言，单向选通模块用的漏电流较小，并且数据保持时间较长。
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公开(公告)号：CN116322032A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211686527.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于环状电容的三维1S1C存储器及制备方法，存储器包括：水平的外围电极层、垂直的功能层及电容介质层：外围电极层包括在衬底上交替堆叠生长的第一电介质层与第一金属电极层，外围电极层中设置有若干在垂直方向贯穿的沟槽，设置有若干在垂直方向贯穿的孔洞，每个孔洞外均设置有一环形凹槽，环形凹槽环绕孔洞并垂直切断外围电极层，环形凹槽内均匀填充有电容介质层，第二金属电极层顶部延伸至最顶层的第一电介质层表面形成位线电极并与位线连接，第二金属电极层与第一金属电极层正对的区域构成存储单元。本发明中减少了制备电容时的刻蚀次数，只需要一次刻蚀并沉积一次电容介质层便可完成全部电容单元的制备，提高了电容制备的良率。
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公开(公告)号：CN115862703A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211666488.2
申请日：2022-12-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C7/10
Abstract: 本发明公开了一种基于导电桥阈值开关器件的1S1C存储器及其操作方法，该1S1C存储器包括导电桥阈值开关器件和电容，导电桥阈值开关器件中的选通层为对称结构，包括第一离子层、转换层和第二离子层，构成具有正反向导通特性的选通管；在1S1C存储器上施加电脉冲，当加载在选通层两端的电压差大于阈值电压时，第一离子层或第二离子层中的活性金属离子进入转换层形成导电细丝，选通层处于低阻态；当该电压差降为小于保持电压时，转换层中的导电细丝断裂，选通层变为高阻态，电容两端电压维持在一稳定值，利用电容上存储的电荷量和极性实现数据存储。本发明可有效提升1S1C存储器的刷新周期，降低功耗，且还能简化其操作方法的设计。
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公开(公告)号：CN112186482B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010923234.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种激光输出状态可调的固体激光器，属于激光技术领域，包括第一谐振腔、第一增益介质、第二谐振腔、第二增益介质、泵浦光源和谐振腔损耗调制模块；谐振腔损耗调制模块用于调节谐振腔损耗；减小第二谐振腔损耗，第二增益介质增加对第一激光的吸收能力，使第二增益介质的增益快速达到阈值并产生第二激光，实现第一激光与第二激光均为脉冲输出激光；增大第二谐振腔损耗，第二增益介质降低对第一激光的吸收能力，使第二增益介质的增益速度变慢，实现第一激光与第二激光均为连续输出激光。本发明通过控制所搭建子腔内具有饱和吸收特性的激光晶体的吸收漂白特性，控制该激光器工作在连续、稳定的脉冲、稳定的多脉冲和混沌脉冲的状态。
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