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公开(公告)号：CN101504863A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200810004868.3
申请日：2008-02-05
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种存储器，包括一电流发生器、一位线、一存储器单元、以及一漏电流抑制电路。该电流发生器负责产生一控制电流。该位线耦接该电流发生器与该存储器单元，由一位线选取器控制其导通状态。该存储器单元包括串接的一晶体管与一存储元件。该晶体管的导通状态由一字线上的信号控制。该晶体管导通时，该控制电流负责决定该存储元件的组态。该漏电流抑制电路将于该存储器不作用时令该晶体管上的一电压趋近零。
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公开(公告)号：CN101458959A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710199743.6
申请日：2007-12-12
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
摘要： 一种数据编程电路以及存储器编程方法。该数据编程电路，用以将写入数据储存至存储单元。一控制电路根据写入数据而产生控制信号。一电流产生电路根据控制信号而提供流经存储单元的写入电流以改变存储单元的结晶状态，其中写入电流具有对应于写入数据的脉冲宽度，且结晶状态对应于写入数据。
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公开(公告)号：CN101471130A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710159854.4
申请日：2007-12-25
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C11/56
摘要： 本发明提供一种相变存储器技术，其中令多个相变储存单元串联以共享一电流源，并且以多个开关控制该电流源所提供的一输入电流的电流路径。本发明通过控制所述开关与该输入电流设定所述相变储存单元的电阻值以储存数据，其中，不同数据储存于所述相变储存单元时，所述相变储存单元具有不同的电阻和。
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公开(公告)号：CN101452743A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710197139.X
申请日：2007-12-05
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C11/56
摘要： 本发明的一实施例为一种相变存储器的写入系统，包括一第一写入电路、一验证电路、一第一相变存储单元与一第二相变存储单元。该第一写入电路，执行一写入程序，接收一第一数据并写入至该第一相变存储单元。该验证电路，执行一验证程序，包括一处理单元以及一第二写入电路。该处理单元，读取并比较该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据。该第二写入电路，当该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据并不符合时，将该第二数据再次写入该第二相变存储单元。
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公开(公告)号：CN101335045A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710128067.3
申请日：2007-06-27
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C11/56
摘要： 本发明提供一种相变存储器的写入电路，包括一驱动电流产生电路，用以提供一写入电流；一第一开关装置，耦接该驱动电流产生电路；一第一存储单元，耦接该第一开关装置；以及一第二开关装置，耦接该第一存储单元与一地电平。当该驱动电流产生电路输出该写入电流至该第一存储单元时，该第二开关装置在该第一开关装置导通后的一第一预定时间后导通。
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公开(公告)号：CN101414480A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710162589.5
申请日：2007-10-19
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C11/56
摘要： 本发明提供一种相变存储单元控制技术，以令彼此间具有工艺误差的多个相变存储单元在设定模式下具有相同的电阻值。
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公开(公告)号：CN101290798A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710100841.X
申请日：2007-04-20
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C11/56
摘要： 本发明提供一种补偿电路，适用在串联式操作组件，包括写入驱动电路、距离检测电路、操作组件以及辅助驱动电路。该写入驱动电路，提供写入电流至写入路径(writing path)。该距离检测电路，耦接该写入路径，检测该写入电流流经的路径长度，并输出控制信号。该操作组件，耦接该写入路径。该辅助驱动电路，根据该控制信号，用以提供辅助电流至该写入路径。
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公开(公告)号：CN101599301A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810108494.X
申请日：2008-06-06
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0092
摘要： 本发明提供一种存储器及存储器写入方法。此存储器包括一储存单元、一阻值判断器以及一写入电流脉冲产生器。该阻值判断器负责判断该储存单元的电阻值范围。该写入电流脉冲产生器负责产生一写入电流脉冲输入该储存单元以改变该储存单元的电阻值。其中，该写入电流脉冲产生器根据该储存单元的电阻值范围决定该写入电流脉冲的脉冲宽度、或振幅、或脉冲宽度与振幅。
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公开(公告)号：CN101369450A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710141615.6
申请日：2007-08-17
申请人： 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
摘要： 一种相变存储器的感测电路，该感测电路包括一数据电流源与一参考电流源、一数据存储元件与一参考存储元件、一数据开关与一参考开关、一辅助电流源以及一比较器，该数据存储元件与该参考存储元件的第一端分别耦接至该数据电流源与该参考电流源，该数据开关与该参考开关分别耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第二端，该辅助电流源动态地耦接至该数据存储元件或该参考存储元件的第一端，该比较器耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第一端。
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