一种高增益可见和近红外硅基光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103715292B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201410012447.0

    申请日:2014-01-02

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: H01L31/102 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法,其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结,该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素;该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收;该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下,硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离,并向两边的电极运动,被电极收集后形成光电流,从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点,最突出的,该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内,-5V偏压下的响应度均大于为1A/W,在低偏压下实现了高增益。

    一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN102976326B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201210543892.0

    申请日:2012-12-17

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: C01B33/021 B82Y30/00

    摘要: 本发明公开了一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片置于加工腔内,经过飞秒激光在六氟化硫(SF6)气体中辐照硅片制备硫掺杂硅样品和飞秒激光辐照硫掺杂硅样品制备硫掺杂硅纳米颗粒两大步骤,制备出球形粒径范围为1-500nm的硫掺杂硅纳米颗粒,掺杂浓度为1×1019/cm3~1×1021/cm3。本发明能够快速的制备硫掺杂硅纳米颗粒,掺杂浓度高,而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法,控制颗粒的粒径和颗粒量。解决了通常制造硅纳米颗粒速度慢、工艺过程复杂、成本高的问题。

    一种窄带发光黄色纳米硅颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN104310403B

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201410539525.2

    申请日:2014-10-14

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: C01B33/021 B82Y30/00

    摘要: 本发明公开了一种窄带发光黄色纳米硅颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片及收集装置置于加工腔内,在一定气压范围的氮气或惰性气体气氛环境下,飞秒激光辐照硅片制备窄带发光黄色纳米硅颗粒。实验表明收集物中不含制备环境中的气体元素杂质,主要为粒径1‑4nm的单晶硅纳米颗粒,其间夹杂一些粒径为40‑240nm的硅单晶大颗粒,室温可见光范围内表现出窄带发光性质。本发明方法简单易行,绿色环保;在飞秒激光辐照硅片过程中调控气压,优化了在气相中对纳米颗粒的收集,同时能够将颗粒粒径控制于很小范围内且不引入杂质,提高了收集的硅纳米颗粒的纯度。

    一种大面积表面增强拉曼散射基底的制备方法

    公开(公告)号:CN103033496A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210543908.8

    申请日:2012-12-17

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: G01N21/65

    摘要: 本发明公开了一种表面拉曼散射增强基底的制备方法。首先飞秒激光辐照硬质固体材料表面,制作大面积硬质微结构母版;其次利用纳米压印技术,向硬质微结构母版上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS),复制硬质微结构母版上的结构,制备出PDMS模板;最后在PDMS模板上镀一层金膜,制备出PDMS表面增强拉曼散射基底。实验表明,本发明具有增强因子高,基底上不同位置的增强因子均匀性好,可制备大面积的表面拉曼散射增强基底,母版可重复压印,降低了生产成本,另外,采用金作拉曼增强金属,克服了银极易氧化的缺点。

    一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101894744B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201010197397.X

    申请日:2010-06-11

    申请人: 南开大学

    摘要: 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法,步骤如下:在玻璃衬底正面上沉积阻挡层;在阻挡层上沉积晶化前驱物;在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层;用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面,晶化完成后形成多晶硅表面;在多晶硅表面旋涂一层光刻胶;通过湿法刻蚀的方法,用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层;将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是:可有效提高激光晶化多晶硅的性能,且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施,不会对形成的多晶硅造成任何影响;所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等,具有重要的实用价值。

    一种制作表面增强拉曼散射基底的方法

    公开(公告)号:CN103361601B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201310307061.8

    申请日:2013-07-22

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: C23C14/14 C23C14/34 G01N21/65

    摘要: 本发明公开了一种制作超高性能SERS基底的方法。首先,选取蝉翼、蝴蝶翅膀、金刚鹦鹉羽毛等生物微结构作为基板,对生物微结构基板进行简单的清洗、晾干和整形处理。然后,通过磁控溅射或者离子束溅射等精确镀膜方法在生物微结构基板上镀金、银等贵金属膜制作出SERS基底。通过控制镀膜厚度达到精确控制微纳结构间隙尺寸的目的,微纳间隙尺寸可控制到小于10nm。制作出的SERS基底具有大面积、低成本、均匀、环保、超灵敏且间隙精确可控等突出优点。本发明选取环保材料作为基板,用一种非常简单、成熟且低成本的方法制作出了符合实际应用需要和理论研究需要的高性能SERS基底,为SERS效应的理论研究和实际应用提供了强大工具和坚实基础。

    一种窄带发光黄色纳米硅颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN104310403A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410539525.2

    申请日:2014-10-14

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: C01B33/021 B82Y30/00

    摘要: 本发明公开了一种窄带发光黄色纳米硅颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片及收集装置置于加工腔内,在一定气压范围的氮气或惰性气体气氛环境下,飞秒激光辐照硅片制备窄带发光黄色纳米硅颗粒。实验表明收集物中不含制备环境中的气体元素杂质,主要为粒径1-4nm的单晶硅纳米颗粒,其间夹杂一些粒径为40-240nm的硅单晶大颗粒,室温可见光范围内表现出窄带发光性质。本发明方法简单易行,绿色环保;在飞秒激光辐照硅片过程中调控气压,优化了在气相中对纳米颗粒的收集,同时能够将颗粒粒径控制于很小范围内且不引入杂质,提高了收集的硅纳米颗粒的纯度。

    一种制作表面增强拉曼散射基底的方法

    公开(公告)号:CN103361601A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310307061.8

    申请日:2013-07-22

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: C23C14/14 C23C14/34 G01N21/65

    摘要: 本发明公开了一种制作超高性能SERS基底的方法。首先,选取蝉翼、蝴蝶翅膀、金刚鹦鹉羽毛等生物微结构作为基板,对生物微结构基板进行简单的清洗、晾干和整形处理。然后,通过磁控溅射或者离子束溅射等精确镀膜方法在生物微结构基板上镀金、银等贵金属膜制作出SERS基底。通过控制镀膜厚度达到精确控制微纳结构间隙尺寸的目的,微纳间隙尺寸可控制到小于10nm。制作出的SERS基底具有大面积、低成本、均匀、环保、超灵敏且间隙精确可控等突出优点。本发明选取环保材料作为基板,用一种非常简单、成熟且低成本的方法制作出了符合实际应用需要和理论研究需要的高性能SERS基底,为SERS效应的理论研究和实际应用提供了强大工具和坚实基础。

    一种快速检测蛋白O-GlcNAc修饰的试剂盒及应用

    公开(公告)号:CN116539690A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310143220.9

    申请日:2023-02-21

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: G01N27/327 G01N27/48

    摘要: 本发明公开了一种快速检测蛋白O‑GlcNAc修饰的试剂盒及应用,其试剂盒包括如下组分:A.与链霉亲和素蛋白融合表达的糖苷酶突变体;B.阳性对照:O‑GlcNAc修饰的MBP‑sOGT蛋白,所述O‑GlcNAc为氧连接的β‑N‑乙酰葡萄糖胺的简称;C.阴性对照:MBP‑sOGT蛋白;D.生物素修饰的辣根过氧化物酶;本发明的试剂盒能帮助实验人员快速准确判断样本中蛋白O‑GlcNAc修饰情况,结果可靠、操作简单、节约时间,可在5‑7h小时内实现快速检测蛋白O‑GlcNAc修饰。

    一种宽带隙晶体材料表面微纳结构的制备方法

    公开(公告)号:CN107627025B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201710844768.0

    申请日:2017-09-15

    申请人: 南开大学

    摘要: 本发明公开了一种宽带隙晶体材料表面微纳结构的制备方法。将选取的宽带隙晶体材料清洗干净后置于加工腔内,加工腔内可以是真空(真空度为10‑2‑10‑5Pa)也可以通入一定气压(<1bar)的气体,气体可以为六氟化硫、氯气等刻蚀性气体,也可以为氮气、氦气、氩气甚至空气等非刻蚀性气体。然后对样品进行加热(温度范围20~1500℃),并利用超短脉冲激光(波长可以为紫外至近红外,脉宽可以为5fs‑5000fs,超短脉冲激光的通量范围为1kJ/m2‑100kJ/m2)辐照样品表面制备微纳结构。本发明解决了常温下宽带隙晶体材料在受到超短脉冲激光辐照时引起的库仑爆炸问题,实现了宽带隙材料表面微纳结构的制备,而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法,控制微纳结构的大小。