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公开(公告)号：CN116387264A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310335805.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本发明增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。
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公开(公告)号：CN116466216A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310333637.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种功率芯片电气性能测试装置，包括：装置底座，包括底座壳体、集电极金属结构和集电极端子；压装电极，包括压装电极壳，压装电极壳上方设有发射极端子，压装电极壳底部设有发射极金属结构；压装电极壳的侧面设有栅极端子和栅极顶针；传动腔和按键，压装电极壳通过施压弹簧装配在传动腔内，传动腔内设有传动齿轮，传动齿轮的一侧与按键啮合，另一侧与压装电极壳啮合，传动腔底部通过旋转组件与装置底座连接，按压按键，压装电极抬升的同时传动腔下移，所述传动腔被旋转组件撑起，按压并平移按键将所述压装电极旋转至测试工位或等待工位。本发明能够保证对功率芯片电极的压接连接，保证连接界面压力一致性，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN219937044U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202320685253.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本实用新型增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。
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公开(公告)号：CN118173545A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211576821.0
申请日：2022-12-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半刚性压接型半导体子模块，承压框架两端分别设置发射极金属凸块和底板；发射极金属凸块内置电路板；底板电连接多个芯片，每个芯片电连接一个金属片，多个芯片栅极电连接电路板；发射极金属凸块和承压框架之间通过导电板隔开，发射极金属凸块通过导电板电连接所有金属片。优点：设置了导电板，每颗芯片均电联接一起，热量可以分别横、纵向扩散，增加了导电片过热熔断的时间，同时提升器件的短路失效直通能力，提升了系统的安全性和可靠性。发射极金属凸块通过外力施加在导电板，受力位置避开导电板下方芯片上方的金属片，凸块隔着导电板的力作用在承压框架上，从而起到半刚性的压接效果。
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公开(公告)号：CN113851468A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111259374.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种模组化压接型半导体模块，包括：依次电连接的顶板、芯片单元组、弹性组件和底板，所述芯片单元组、弹性组件均有若干组；每一组芯片单元组上方设有一组所述弹性组件，每个弹性组件中设有不少于每组芯片单元组所包含的芯片个数的弹性件。优点：本发明的半导体模块通过模组化设计以及导电路径结构设计，能够提升导电能力、均流及降低热阻，弹性压接使得芯片之间受力均衡；模组化的设计还方便生产，方便根据需求配置模组个数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113725199A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110850662.8
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L23/473 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明公开了一种低电感压接型半导体模块，包括：模块上桥臂P极、模块下桥臂N极、第一芯片漏极导体、第二芯片漏极导体、第一芯片源极导体（8）、第二芯片源极导体、承压限位结构、模块输出端和至少一组功率芯片单元组，所述功率芯片单元组包括第一功率芯片单元和第二功率芯片单元；模块上桥臂P极、第一芯片漏极导体、第一功率芯片单元、第一芯片源极导体、模块输出端依次相连；模块下桥臂N极、第二芯片源极导体、第二功率芯片单元、第二芯片漏极导体、模块输出端依次相连。优点：将芯片通过模块内部的结构设计连接，实现电流纵向、短距离的流动，进而实现低电感、低热阻，大电流，且具备桥式功能的半导体模块。
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公开(公告)号：CN113725179B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110849509.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种弹性子模组及模组化压接型半导体模块，弹性子模组包括：导电片、绝缘弹性件和导电板；导电片为折弯成具有若干凹槽的弯折状导电片，导电片通过其凹槽卡接在绝缘弹性件上端，绝缘弹性件的下端接导电板；模组化压接型半导体模块，包括模块集电极板、芯片子模组、模块发射极板和弹性子模组；芯片子模组包括芯片、集电极导体、发射极导体；模块集电极板、集电极导体、芯片、发射极导体、弹性子模组、模块发射极板从上至下依次连接。优点：通过将芯片模组化的形式，可进一步降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级；将芯片子单元模组化还能够降低物料成本与减少加工工序。
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公开(公告)号：CN113140524A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110348467.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块结构，包括：基板、半导体芯片、触点元件和顶板，所述半导体芯片设有第一主电极和第二主电极，所述第一主电极耦接所述基板，所述第二主电极耦接所述触点元件，所述触点元件为螺纹结构，所述顶板与所述触点元件通过螺纹连接。通过采用触点元件的方式，单独旋转调节触点元件的高度来调整半导体芯片所承载的压力，实现单颗芯片压力可调，解耦芯片间的压力，实现芯片间应力均衡，一致性更高；通过采用螺纹结构的触点元件增大导电面积，降低热阻，提高通流能力，提高可靠性；针对超过阈值压力的部分通过承压体来承担，使得半导体芯片上的压力在规定的范围内，外部压力变化不会导致半导体芯片表面的压力变化。
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公开(公告)号：CN116190335A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211618940.8
申请日：2022-12-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种功率模块、功率器件及功率模块的制备方法，其中功率模块包括从上至下设置的盖板、侧框和基板；所述基板上设有衬板，衬板正面的第一导电区的一侧电连接芯片的集电极；所述芯片的栅极通过键合线电连接衬板正面的第二导电区，第二导电区电连接信号端弹簧针，信号端弹簧针电连接外置接口；所述芯片的发射极电连接导电片，导电片电连接导电桥臂；所述导电桥臂输出端电连接外置接口；所述导电桥臂抵连盖板，盖板外周设有紧固件，紧固件贯穿侧框与基板螺纹连接。本发明能够提高功率模块的导电桥臂的通流能力。
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公开(公告)号：CN114743948A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210192349.4
申请日：2022-02-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/58 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种具备短路失效模式的压接型半导体模块，包括：依次设置的顶板、弹性导电组件、电路板、金属片、功率芯片和底板；顶板、弹性导电组件、电路板、金属片、功率芯片和底板通过外部施加压力紧密电连接；将多颗功率芯片的栅极通过一个或两个以上的导体引出，引出至外部端子。优点：多芯片并联，其中一颗芯片失效时，芯片进入短路模式，瞬时释放出大量的热，由于设置了电路板，每颗芯片均电联接一起，热量可以分别横、纵向扩散。增加了导电片过热熔断的时间，提升了系统的安全性和可靠性。通过设置电路板，从原有的单向电流路径，增加了前后左右所有的支路路径，多芯片之间电流回路可共享，起到有效均流的能力，从而增加芯片的输出能力。
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