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公开(公告)号：CN117155067A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311078000.9
申请日：2023-08-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H02M1/00 , H02M7/00 , H02M7/483 , H02M7/5387 , H02M1/32
Abstract: 本发明公开了一种三电平三极管模块，其中：上桥臂电路和下桥臂电路分别设置在上桥臂覆铜陶瓷衬板和下桥臂覆铜陶瓷衬板上，上桥臂覆铜陶瓷衬板和下桥臂覆铜陶瓷衬板设置于覆铜基板上；上桥臂电路包括串联的三极管芯片组S1和S2，下桥臂电路包括串联的三极管芯片组S3和S4；三极管芯片组包括IGBT芯片和FRD芯片，三极管芯片组中的IGBT芯片的长边和宽边的布置方向相同，三极管芯片组中的FRD芯片的长边和宽边的布置方向相同。采用上述技术方案，通过设置覆铜基板，增加机械强度的基础上，可以更好地释放热量、扩大模块可用于布置半导体器件的尺寸面积，结合三极管模块的结构布置优化，能够利用的半导体器件的数量增多，提升电流规格。
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公开(公告)号：CN116387264A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310335805.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本发明增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。
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公开(公告)号：CN219937044U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202320685253.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本实用新型增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。
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公开(公告)号：CN118412880A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410385209.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种新能源发电系统动态阻尼能力调节方法、装置及系统，在弱电网条件下或微电网以及与主电网保持微弱连接的独立电网中利用接入自同步电压源变流器动态改善传统跟随型变流器的新能源场站运行稳定性。在大电网、微电网(含弱联独立电网)应用中，利用自同步电压源设备实现采用跟随型变流技术的新能源场站在源侧功率复杂波动、运行机组数量变化、电网运行方式变化等影响因素下的阻尼能力在线调节，提高了弱电网条件下新能源场站的运行稳定性，解决了现有技术中存在的兼容性、通用性、可拓展差的问题。
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公开(公告)号：CN119733915A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411683197.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京南瑞半导体有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国网江苏省电力有限公司
IPC: B23K3/08 , B23K1/012 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开一种功率模块焊接工装，属于半导体器件领域。包括将焊接材料和衬板定位于基板上的工装主体，所述的工装主体靠近限位槽的侧边开设有若干个插槽，插槽内插入用于顶压衬板的限位块，限位块底部开设有限制焊层边缘翘起的限高槽。衬板包括依次叠加设置的上铜层、中间陶瓷层和下铜层。限高槽的高度为焊接材料、中间陶瓷层和下铜层三者厚度之和。插槽靠近工装主体外侧的一边比其对边的长度长，以便使限位块更好地装入其中。限位块与插槽的形状互相配合，以限制衬板边缘在竖直方向的翘起高度。本发明提供的功率模块焊接工装，能够达到改善衬板下焊层厚度一致性的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112086420A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010997150.X
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种用于功率器件内部连接的弹性组件，包括导电套筒，导电套筒内设有碟簧，导电套筒上口两侧分别设有导电弹片，导电弹片一端与导电套筒侧壁接触形成原子间键合，另一端与碟簧接触，导电套筒上口两侧的导电弹片之间设有导电柱，导电柱一端与两个导电弹片接触，另一端与芯片钼片接触；工作时，在器件发射极和集电极两端施加一定的压力，各个组件连接更为紧密，碟簧通过收缩提供压应力方向的位移Δh，达到器件的负载阈值，此时器件中各芯片间在压应力的作用下导通压降等性能的变化值保持一致；本发明可有效提高压接模块芯片的压应力均衡性，同时极大程度提高模块的电路通流能力。
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公开(公告)号：CN111787695A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010721380.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本发明简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN113725190A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN113725190B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN112086372B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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