一种微机电系统红外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN109399552A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811422318.3

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 本发明提供一种微机电系统红外探测器,包括配置至少二垂直导电区的衬底,相对固定于衬底、配置至少二电极的热敏感器件,及数量与电极的数量相同,电连接电极与垂直导电区的导电引线;其中,衬底配置热绝缘层,热绝缘层位于热敏感器件于衬底的投影面处。本发明提供MEMS红外探测器的结构,热敏感器件用于接收红外辐射信号,输出电学感应信号,将热敏感器件上面朝向待探测区域,并于热敏感器件的下部的热绝缘层,并于下热敏感器件的下部设置引线结构,提高测量的精准度。基于此,本发明还提供了一种微机电系统红外探测器的制作方法。

    一种微机电系统红外探测器

    公开(公告)号:CN209128032U

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201821960157.9

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 本实用新型提供一种微机电系统红外探测器,包括配置至少二垂直导电区的衬底,相对固定于衬底、配置至少二电极的热敏感器件,及数量与电极的数量相同,电连接电极与垂直导电区的导电引线;其中,衬底配置热绝缘层,热绝缘层位于热敏感器件于衬底的投影面处。本实用新型提供MEMS红外探测器的结构,热敏感器件用于接收红外辐射信号,输出电学感应信号,将热敏感器件上面朝向待探测区域,并于热敏感器件的下部的热绝缘层,并于下热敏感器件的下部设置引线结构,提高测量的精准度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种基于四芯光纤的曲率光纤传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN118960612B

    公开(公告)日:2025-06-06

    申请号:CN202411121188.5

    申请日:2024-08-15

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于四芯光纤的曲率光纤传感器及制备方法,属于光纤传感技术领域。解决了传统马赫曾德尔干涉仪传感器中较长的光纤受外界因素干扰灵敏度较低的技术问题。由宽带光源、第一个单模光纤、第一个耦合点、微双臂结构、第二个耦合点、第二个单模光纤、光谱仪依次连接而成;制备方法:将单模光纤与无芯光纤和四芯光纤直接熔接,形成单模光纤‑无芯光纤‑四芯光纤‑无芯光纤‑单模光纤在线型马赫曾德尔干涉仪对称结构;将一段去除涂覆层的单模光纤与上述对称结构中的单模光纤平行放置在熔接机中心,放电两次后使两根光纤熔接耦合,形成两个耦合点间距离为8cm。本发明的有益效果为:四芯光纤具有多个纤芯均匀分布的结构特点。

    高阶模态兰姆波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119401973A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411510827.7

    申请日:2024-10-28

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本申请的实施例提供了一种高阶模态兰姆波谐振器及其制备方法,属于射频MEMS器件领域。所述高阶模态兰姆波谐振器包括:衬底,所述衬底的上表面中央设置有释放腔;压电振动结构,悬浮在所述释放腔中;顶部插指电极,布置在所述压电振动结构的上表面上,并且包括主体电极和连接主体电极的bus区域;底部平板电极,布置在所述压电振动结构的下表面上,其中,所述bus区域设置有空槽结构,用于抑制横向杂散模态。本发明的无杂散的高阶模态兰姆波谐振器,具有无杂散和高频率的特点。

    一种基于四芯光纤的曲率光纤传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN118960612A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411121188.5

    申请日:2024-08-15

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于四芯光纤的曲率光纤传感器及制备方法,属于光纤传感技术领域。解决了传统马赫曾德尔干涉仪传感器中较长的光纤受外界因素干扰灵敏度较低的技术问题。由宽带光源、第一个单模光纤、第一个耦合点、微双臂结构、第二个耦合点、第二个单模光纤、光谱仪依次连接而成;制备方法:将单模光纤与无芯光纤和四芯光纤直接熔接,形成单模光纤‑无芯光纤‑四芯光纤‑无芯光纤‑单模光纤在线型马赫曾德尔干涉仪对称结构;将一段去除涂覆层的单模光纤与上述对称结构中的单模光纤平行放置在熔接机中心,放电两次后使两根光纤熔接耦合,形成两个耦合点间距离为8cm。本发明的有益效果为:四芯光纤具有多个纤芯均匀分布的结构特点。

    横向激励体声波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118890025A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202411092501.7

    申请日:2024-08-09

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明的实施例提供一种横向激励体声波谐振器及其制备方法,属于射频MEMS器件领域。所述横向激励体声波谐振器包括:衬底;压电层,所述压电层位于衬底上;空腔结构,所述空腔结构设置成从衬底的上表面向下的释放腔并且所述释放腔的顶部由压电层覆盖;声学散射阵列,所述声学散射阵列设置成贯穿所述压电层的成阵列形式排布的多个孔。在本发明的实施例中,通过在横向激励体声波谐振器中设置声学散射阵列,可以达到抑制杂散模态的目的,从而具有杂散模态少的性能特点,能够实现高频、大带宽且极小带内纹波的滤波器。

    优化通信功耗的2.5D chiplet排布方法

    公开(公告)号:CN114297983B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202210027770.X

    申请日:2022-01-11

    Abstract: 本发明公开一种优化通信功耗的2.5D chiplet排布方法,步骤包括根据每个chiplet之间的比例关系以及排布间距确定每个chiplet的尺寸理论值;根据全部chiplet的尺寸理论值确定拓扑结构的大小,并将拓扑结构划分为若干个相等尺寸的第一单位格;根据待映射排布的chiplet的通信数据量的大小从大到小依次确认待映射排布的chiplet在拓扑结构上的未确认有chiplet的映射排布位置的第一单位格上的映射排布位置,形成映射排布方式;计算每一个映射排布方式的总体通信能耗;选择总体通信能耗的最小值对应的映射排布方式作为最终映射排布方式。本申请能够实现映射排布在2.5D集成中硅载板上的chiplet之间通信能耗达到最小并减小拓扑结构的面积,有效解决2.5D集成功耗和散热方面的问题,并有效降低成本。

    一种高频Lamb波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116667810A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310470060.9

    申请日:2023-04-27

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明属于射频微机电系统(MEMS)器件领域,涉及一种高频兰姆(Lamb)波谐振器及制备方法。本发明提供的Lamb波谐振器,包括具有中部内凹的释放腔且上表面沉积有释放保护层的衬底、上表面为顶部电极结构且下表面为底部电极结构的压电振动结构以及设置于所述电极结构四周的焊盘。本发明申请的高频Lamb波谐振器,通过优化工艺形成边缘剪切角趋近60°的底部低阻硅电极以高质量生长压电振动结构,提高了谐振器的Q值从而使器件的性能得到提升。

    优化通信功耗的2.5D chiplet排布方法

    公开(公告)号:CN114297983A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202210027770.X

    申请日:2022-01-11

    Abstract: 本发明公开一种优化通信功耗的2.5D chiplet排布方法,步骤包括根据每个chiplet之间的比例关系以及排布间距确定每个chiplet的尺寸理论值;根据全部chiplet的尺寸理论值确定拓扑结构的大小,并将拓扑结构划分为若干个相等尺寸的第一单位格;根据待映射排布的chiplet的通信数据量的大小从大到小依次确认待映射排布的chiplet在拓扑结构上的未确认有chiplet的映射排布位置的第一单位格上的映射排布位置,形成映射排布方式;计算每一个映射排布方式的总体通信能耗;选择总体通信能耗的最小值对应的映射排布方式作为最终映射排布方式。本申请能够实现映射排布在2.5D集成中硅载板上的chiplet之间通信能耗达到最小并减小拓扑结构的面积,有效解决2.5D集成功耗和散热方面的问题,并有效降低成本。

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