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公开(公告)号:CN115280463A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202180020918.0
申请日:2021-03-05
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号: H01J37/26 , H01J37/22 , H01J37/305
摘要: 本发明涉及一种双光束设备和三维电路图案检查技术,通过对半导体晶片表面以下超过1μm的大深度延伸的检查体积进行截面测量,并且更具体地,涉及一种方法、计算机程序产品和装置,用于在不从晶片移除样品的情况下生成晶片内部的深检查体积的3D体积图像数据。本发明还涉及利用双光束设备进行三维电路图案检查的3D体积图像生成、截面图像对准方法。