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    投射曝光设备与测量投射镜头的方法
    1.
    发明授权
    投射曝光设备与测量投射镜头的方法 有权

    公开(公告)号：CN108700832B

    公开(公告)日：2021-06-01

    申请号：CN201780014155.2

    申请日：2017-03-02

    申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

    发明人： E.福卡 ,  F.沙特 ,  U.赫姆佩尔曼 ,  F.施莱歇尔

    IPC分类号： G03F7/20

    摘要： 微光刻投射曝光设备(100)，具有将物平面(155)成像至像平面(156)的投射镜头(150)，其中在投射曝光设备(100)的操作期间至少暂时地提供浸没液体于投射镜头(150)与像平面(156)之间，其中测量结构(121)配置于浸没液体中，其中测量结构(121)构造为产生测量图案；具有测量该测量图案的测量装置(130，160)，且其中测量结构(121)具有包含氧化硅和/或氮氧化硅和/或氮化物的吸收层(125)。

    带电粒子束系统及其操作方法、记录多个图像的方法
    2.
    发明公开
    带电粒子束系统及其操作方法、记录多个图像的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116230480A

    公开(公告)日：2023-06-06

    申请号：CN202211539923.5

    申请日：2022-12-02

    申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

    发明人： E.福卡 ,  A.阿维沙伊 ,  T.柯布 ,  D.费希尔

    IPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/147 ,  H03M1/12

    摘要： 本发明涉及一种带电粒子束系统，带电粒子束系统包括偏转子系统，偏转子系统被配置来基于由第一数字信号和第二数字信号的独立数字模拟转换产生的模拟信号的总和在偏转方向上偏转带电粒子束。本发明还涉及一种配置带电粒子束系统的方法，使得可以通过仅改变第一数字信号来扫描多个感兴趣区域中的每一个，而第二数字信号保持恒定为与相应感兴趣区域相关联的值。本发明还涉及一种在减少由于电荷累积而导致的干扰的前提下记录感兴趣区域的多个图像的方法。

    集成半导体样本中三维结构之间的接触区域尺寸确定
    4.
    发明公开
    集成半导体样本中三维结构之间的接触区域尺寸确定 审中-实审

    公开(公告)号：CN114616589A

    公开(公告)日：2022-06-10

    申请号：CN202080074478.2

    申请日：2020-10-29

    申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

    发明人： A.布克斯鲍姆 ,  A.阿维谢 ,  D.克洛奇科夫 ,  T.科布 ,  E.福卡 ,  K.李

    IPC分类号： G06T7/00 ,  G06T7/30 ,  G06T7/62

    摘要： 本发明揭露了一种用以确定在集成半导体样本中的第一3D结构与第二3D结构之间的接触区域的尺寸的方法，其包含以下步骤：获得至少第一横截面图像和平行于第一横截面图像的第二横截面图像，其中获得第一横截面图像和第二横截面图像包含随后使用聚焦离子束移除集成半导体样本的横截面表面层，以使新横截面可用于成像，以及使用成像装置对集成半导体样本的新横截面进行成像；对所获得的横截面图像进行图像配准并获得3D数据集；确定表示3D数据集中的第一3D结构和第二3D结构的3D模型；以及基于3D模型确定第一3D结构与第二3D结构的相对重叠。