公开(公告)号：CN103154818A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201080069309.6

申请日：2010-09-28

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： J.罗弗 ,  J.T.纽曼 ,  J.齐默尔曼 ,  D.赫尔维格 ,  D.于尔根斯

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70141 ,  G03F7/70116 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70633

Abstract: 一种降低微光刻投射曝光设备中的图像位置误差的方法，该方法包含以下步骤：提供掩模(16)、光敏层(22)及微光刻投射曝光设备(10)，该微光刻投射曝光设备使用投射光将掩模(16)中所含特征(19)成像于光敏表面(22)上。在下一个步骤中，利用仿真或度量确定与光敏表面(22)上所形成的特征的像关联的图像位置误差。然后，将投射光的输入偏振状态变更为椭圆输出偏振状态，其被选择为致使图像位置误差降低。

公开(公告)号：CN115280463A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180020918.0

申请日：2021-03-05

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.科洛奇科夫 ,  E.福卡 ,  T.柯布 ,  A.布克斯鲍姆 ,  J.T.纽曼 ,  C.休恩 ,  B.牛

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/22 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明涉及一种双光束设备和三维电路图案检查技术，通过对半导体晶片表面以下超过1μm的大深度延伸的检查体积进行截面测量，并且更具体地，涉及一种方法、计算机程序产品和装置，用于在不从晶片移除样品的情况下生成晶片内部的深检查体积的3D体积图像数据。本发明还涉及利用双光束设备进行三维电路图案检查的3D体积图像生成、截面图像对准方法。

公开(公告)号：CN114391178A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202080063251.8

申请日：2020-09-08

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： J.C.萨拉斯瓦图拉 ,  J.T.纽曼 ,  P.胡思沃尔 ,  T.科尔布 ,  R.哈努曼萨纳亚克

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  G05B19/402 ,  G05B19/418

Abstract: 一种方法包括控制多扫描电子显微镜mSEM(32)，以在电动装卸台(90)处于第一定位的同时拍摄附接到电动装卸台(90)的晶片的第一影像(601)。第一影像(601)包括晶片(100)的凹槽(201)的至少一部分。该方法也包括基于第一影像(601)决定晶片(100)的径向轴(205)，以及控制电动装卸台(90)，以将晶片(100)沿着径向轴(205)位移晶片(100)的一半直径，以使电动装卸台(90)处于第二定位。该方法更包括控制mSEM(32)，以在电动装卸台(90)处于第二定位的同时拍摄晶片(100)的第二影像(602)。第二影像(602)包括晶片结构(112,112‑1–112‑4,113,261,262,272)。此外，该方法包括基于对第二影像(602)的晶片结构(112,112‑1–112‑4,113,261,262,272)的结构辨认，决定晶片(100)的参考定位(209)，以及基于参考定位(209)和径向轴(205)，将晶片(100)的晶片坐标系统(192)配准到电动装卸台(90)的载台坐标系统(191)。

公开(公告)号：CN113950704A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080042099.5

申请日：2020-05-25

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  卡尔蔡司SMT股份有限公司

Inventor： T.科尔布 ,  J.T.纽曼 ,  E.福卡 ,  A.布克斯鲍姆 ,  A.阿维谢 ,  K.李 ,  I.舒尔迈耶 ,  D.克洛奇科夫

IPC: G06T7/33 ,  G06T7/00 ,  G06T7/13 ,  G06T17/00 ,  G01B15/08 ,  G01N23/2251

Abstract: 本发明涉及一种通过集成电路的横截面测量进行的三维电路图案检测技术，尤其涉及一种用于获得集成半导体样品的3D体积图像的方法、计算机程序产品以及设备。该方法采用基于集成半导体样品的特征的横截面图像的基于特征的对准。

公开(公告)号：CN112805747A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201980065284.3

申请日：2019-10-01

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.蔡德勒 ,  T.柯布 ,  P.休思沃尔 ,  J.T.纽曼 ,  C.里德塞尔 ,  C.沃杰克 ,  J.科雷亚 ,  W.霍格尔

IPC: G06T7/246

Abstract: 一种使用粒子显微镜来记录图像的方法，该方法包括：记录物体的多个图像，其中，图像数据的强度值与所记录图像的坐标系中的位置和该物体上的位置相关联；确定与位置相关联的关注区域；确定包含关注区域的图像区域；确定与这些图像区域相关联的位移矢量，这些位移矢量是通过将与给定图像区域相关联的图像数据与也同给定关注区域相关联的其他图像区域的图像数据进行相关来确定的；以及基于所记录图像的图像数据来生成所得图像，其中，该所得图像的坐标系中的位置是基于与这些图像区域相关联的位移矢量来确定的。

公开(公告)号：CN103154818B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201080069309.6

申请日：2010-09-28

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： J.罗弗 ,  J.T.纽曼 ,  J.齐默尔曼 ,  D.赫尔维格 ,  D.于尔根斯

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70141 ,  G03F7/70116 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70633

Abstract: 一种降低微光刻投射曝光设备中的图像位置误差的方法，该方法包含以下步骤：提供掩模(16)、光敏层(22)及微光刻投射曝光设备(10)，该微光刻投射曝光设备使用投射光将掩模(16)中所含特征(19)成像于光敏表面(22)上。在下一个步骤中，利用仿真或度量确定与光敏表面(22)上所形成的特征的像关联的图像位置误差。然后，将投射光的输入偏振状态变更为椭圆输出偏振状态，其被选择为致使图像位置误差降低。