一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法

    公开(公告)号:CN108923763A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810558978.8

    申请日:2018-06-01

    IPC分类号: H03H3/02

    摘要: 本发明公开了一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法,其步骤为:于压电衬底上形成第一介质层,通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌,沉积IDT金属层,然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构,蚀刻第一介质层后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺,可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制,满足更小线宽IDT电极的要求,使得目标频率更易达成,且工艺简单,可控性强,极大的降低了成本。

    一种TC-SAW之IDT铜工艺制造方法

    公开(公告)号:CN108768334B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN201810558981.X

    申请日:2018-06-01

    IPC分类号: H03H3/02

    摘要: 本发明公开了一种TC‑SAW之IDT铜工艺制造方法,其步骤为:于压电衬底上形成第一介质层,通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌,沉积IDT金属层,然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构,然后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺,可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制,满足更小线宽IDT电极的要求,使得目标频率更易达成,且工艺简单,可控性强,极大的降低了成本。

    一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法和应用

    公开(公告)号:CN110085736A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910351510.6

    申请日:2019-04-28

    摘要: 本发明公开了一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法和应用,包括以下步骤:S1:在衬底上沉积一层介质材料;S2:于介质材料上沉积一层金属层;S3:涂覆光刻胶,曝光,显影后定义出截止层图形,形成非截止区域;S4:采用湿法蚀刻工艺刻蚀非截止区域的金属层,并去除光刻胶形成截止层;S5:将压电材料与非截止区域的介质材料键合,压电材料的硬度小于截止层的硬度;S6:先将压电材料进行研磨减薄,再采用化学机械研磨,通过截止层控制压电材料的厚度;S7:对衬底的背面进行研磨和抛光;S8:对截止层区域進行激光切割或边磨削,去除截止层。本发明不但工艺简单,而且可避免因离子植入造成的压电材料极化与损伤层修复问题。

    一种温度补偿声表滤波器的改善结构及其方法

    公开(公告)号:CN110943709B

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN201911052661.8

    申请日:2019-10-31

    IPC分类号: H03H9/64 H03H9/02

    摘要: 本发明公开了一种温度补偿声表滤波器的改善结构及其方法,是在滤波器器件的功能区外围设置补偿环,补偿环不与功能区内的器件结构相连,然后再沉积温度补偿层以及对温度补偿层进行CMP磨平处理。本发明通过绕设于功能区外围的补偿环的设置,将原出现于功能区上方的CMP后温度补偿层的斜坡转移至补偿环上方,确保了功能区内温度补偿层厚度的均匀性,避免了滤波器工作频率偏移的问题,进而改善了温度补偿滤波器特性;且在确保产品性能的前提下降低了CMP工艺对抛光垫及机台能力的需求,减少了设备成本的投入,提高生产效益。

    一种声表面波滤波器的封装结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN110957992B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN201911056769.4

    申请日:2019-10-31

    IPC分类号: H03H9/64 H03H3/08

    摘要: 本发明公开了一种声表面波滤波器的封装结构及其制作方法,于芯片功能区外围设置围坝,围坝具有环绕所述功能区的沟道,在芯片与基板键合封装时,塑封材料包覆于芯片表面并填充至所述沟道,使得围坝与基板围合成容纳所述功能区的封闭空腔,避免塑封层材料继续进入空腔,从而在避免空腔内功能器件受到污染的前提下增加塑封区域,提高了SAW滤波器的可靠性,有效解决了SAW滤波器封装过程中塑封材料的填充不足或过量的问题,可控性强,工艺简单且加工成本低,适于工业化生产及实际应用。

    滤波器和双工器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110166020B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201910471259.7

    申请日:2019-05-31

    IPC分类号: H03H11/34

    摘要: 本申请提供一种滤波器和双工器,所述滤波器包括:谐振器组,设置在晶圆上;可调电感组,设置在介电层中,并连接谐振器组,可调电感组上设置有调整点,用于通过改变调整点的断连调整可调电感组的电感值,使滤波器具有相应的电性匹配度。本申请实现了通过调整可调电感组的电感值,使滤波器具有相应的电性匹配度,以提高滤波器的工作参数稳定性。

    一种声表面波滤波器的封装结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN110957992A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201911056769.4

    申请日:2019-10-31

    IPC分类号: H03H9/64 H03H3/08

    摘要: 本发明公开了一种声表面波滤波器的封装结构及其制作方法,于芯片功能区外围设置围坝,围坝具有环绕所述功能区的沟道,在芯片与基板键合封装时,塑封材料包覆于芯片表面并填充至所述沟道,使得围坝与基板围合成容纳所述功能区的封闭空腔,避免塑封层材料继续进入空腔,从而在避免空腔内功能器件受到污染的前提下增加塑封区域,提高了SAW滤波器的可靠性,有效解决了SAW滤波器封装过程中塑封材料的填充不足或过量的问题,可控性强,工艺简单且加工成本低,适于工业化生产及实际应用。