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公开(公告)号：CN108768334B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201810558981.X
申请日：2018-06-01
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种TC‑SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，然后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN110190826B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910470766.9
申请日：2019-05-31
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振薄膜层、谐振器和滤波器，该谐振薄膜层包括第一电极层，设置在第一晶圆上；压电层，设置在所述第一电极层上；第二电极层，设置在所述压电层上；可调整层，设置在所述第二电极层上，配重图案，实施于所述可调整层上设置在所述第二电极层上，用于调整所述配重图案的不同重量，以调整所述谐振薄膜谐振薄膜层的不同工作频率。本申请实现了根据需要调整谐振薄膜层的配重图案，进而使不同的谐振薄膜层具有不同的工作频率。
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公开(公告)号：CN111934645A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010814063.6
申请日：2020-08-13
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
摘要： 一种铝铜合金膜层的制备方法、声表面波滤波器以及双工器，涉及合金膜层制备技术领域。该铝铜合金膜层的制备方法包括：获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，其中，铝铜合金膜层具有目标膜层厚度和目标膜层面积，且铝铜合金膜层的铝元素和铜元素具有预设质量比；根据反应基材的消耗量对应计算铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，添加计算的铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，以补充反应基材；提供预设反应条件，在基层上制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层，其中，铝铜合金膜层的铝元素和铜元素呈预设质量比。该铝铜合金膜层的制备方法能够提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，从而改善器件的耐功率性。
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公开(公告)号：CN108923763A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810558978.8
申请日：2018-06-01
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，蚀刻第一介质层后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN110943709B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201911052661.8
申请日：2019-10-31
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
摘要： 本发明公开了一种温度补偿声表滤波器的改善结构及其方法，是在滤波器器件的功能区外围设置补偿环，补偿环不与功能区内的器件结构相连，然后再沉积温度补偿层以及对温度补偿层进行CMP磨平处理。本发明通过绕设于功能区外围的补偿环的设置，将原出现于功能区上方的CMP后温度补偿层的斜坡转移至补偿环上方，确保了功能区内温度补偿层厚度的均匀性，避免了滤波器工作频率偏移的问题，进而改善了温度补偿滤波器特性；且在确保产品性能的前提下降低了CMP工艺对抛光垫及机台能力的需求，减少了设备成本的投入，提高生产效益。
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公开(公告)号：CN110957992B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201911056769.4
申请日：2019-10-31
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
摘要： 本发明公开了一种声表面波滤波器的封装结构及其制作方法，于芯片功能区外围设置围坝，围坝具有环绕所述功能区的沟道，在芯片与基板键合封装时，塑封材料包覆于芯片表面并填充至所述沟道，使得围坝与基板围合成容纳所述功能区的封闭空腔，避免塑封层材料继续进入空腔，从而在避免空腔内功能器件受到污染的前提下增加塑封区域，提高了SAW滤波器的可靠性，有效解决了SAW滤波器封装过程中塑封材料的填充不足或过量的问题，可控性强，工艺简单且加工成本低，适于工业化生产及实际应用。
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公开(公告)号：CN110957992A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911056769.4
申请日：2019-10-31
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
摘要： 本发明公开了一种声表面波滤波器的封装结构及其制作方法，于芯片功能区外围设置围坝，围坝具有环绕所述功能区的沟道，在芯片与基板键合封装时，塑封材料包覆于芯片表面并填充至所述沟道，使得围坝与基板围合成容纳所述功能区的封闭空腔，避免塑封层材料继续进入空腔，从而在避免空腔内功能器件受到污染的前提下增加塑封区域，提高了SAW滤波器的可靠性，有效解决了SAW滤波器封装过程中塑封材料的填充不足或过量的问题，可控性强，工艺简单且加工成本低，适于工业化生产及实际应用。
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公开(公告)号：CN110277483A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910582822.8
申请日：2019-06-28
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H01L41/047 , H01L41/29 , H03H3/02 , H03H9/05
摘要： 本申请提供一种滤波器器件结构及其制备方法，涉及滤波器领域，包括：一衬底；一指插电极，置于衬底之一侧面上；以及一配线层，置于指插电极相对衬底之另一侧面上；其中，利用真空清洗指插电极，在镀膜制程制备配线层时去除指插电极与配线层接触之一侧面的表面氧化层。制备方法包括：获取一衬底材料，对衬底材料进行清洗；在衬底材料上制备指插电极；在指插电极上形成配线层。解决现有技术中，在制备滤波器配线层时，指插电极会氧化生成氧化层，从而导致配线层与指插电极的接触电阻增大的问题。
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公开(公告)号：CN108768334A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810558981.X
申请日：2018-06-01
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H03H3/02
CPC分类号： H03H3/02 , H03H2003/023
摘要： 本发明公开了一种TC‑SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，然后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN111934645B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010814063.6
申请日：2020-08-13
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
摘要： 一种铝铜合金膜层的制备方法、声表面波滤波器以及双工器，涉及合金膜层制备技术领域。该铝铜合金膜层的制备方法包括：获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，其中，铝铜合金膜层具有目标膜层厚度和目标膜层面积，且铝铜合金膜层的铝元素和铜元素具有预设质量比；根据反应基材的消耗量对应计算铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，添加计算的铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，以补充反应基材；提供预设反应条件，在基层上制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层，其中，铝铜合金膜层的铝元素和铜元素呈预设质量比。该铝铜合金膜层的制备方法能够提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，从而改善器件的耐功率性。
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