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公开(公告)号：CN108923763A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810558978.8
申请日：2018-06-01
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，蚀刻第一介质层后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN108768334B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201810558981.X
申请日：2018-06-01
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种TC‑SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，然后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN110190826B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910470766.9
申请日：2019-05-31
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振薄膜层、谐振器和滤波器，该谐振薄膜层包括第一电极层，设置在第一晶圆上；压电层，设置在所述第一电极层上；第二电极层，设置在所述压电层上；可调整层，设置在所述第二电极层上，配重图案，实施于所述可调整层上设置在所述第二电极层上，用于调整所述配重图案的不同重量，以调整所述谐振薄膜谐振薄膜层的不同工作频率。本申请实现了根据需要调整谐振薄膜层的配重图案，进而使不同的谐振薄膜层具有不同的工作频率。
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公开(公告)号：CN110277483A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910582822.8
申请日：2019-06-28
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H01L41/047 , H01L41/29 , H03H3/02 , H03H9/05
摘要： 本申请提供一种滤波器器件结构及其制备方法，涉及滤波器领域，包括：一衬底；一指插电极，置于衬底之一侧面上；以及一配线层，置于指插电极相对衬底之另一侧面上；其中，利用真空清洗指插电极，在镀膜制程制备配线层时去除指插电极与配线层接触之一侧面的表面氧化层。制备方法包括：获取一衬底材料，对衬底材料进行清洗；在衬底材料上制备指插电极；在指插电极上形成配线层。解决现有技术中，在制备滤波器配线层时，指插电极会氧化生成氧化层，从而导致配线层与指插电极的接触电阻增大的问题。
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公开(公告)号：CN108768334A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810558981.X
申请日：2018-06-01
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H03H3/02
CPC分类号： H03H3/02 , H03H2003/023
摘要： 本发明公开了一种TC‑SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，然后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN109560020B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201811130025.8
申请日：2018-09-27
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种使用NMP蒸汽剥离晶圆金属膜的结构，包括层叠设置的至少两层承载层，每一层承载层分别具有放置晶圆的圆孔，以及沿着承载层厚度方向贯穿设置的通孔；所述晶圆设置金属膜的一面向下设置；NMP蒸汽由承载层的底部通过通孔向上流动，使得每一层承载层放置于圆孔中的晶圆浸泡在NMP蒸汽中。上述的一种使用NMP蒸汽剥离晶圆金属膜的结构和方法，改良NMP液浸泡步骤，采用NMP蒸汽浸泡方法替代传统的NMP液浸泡方式。
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公开(公告)号：CN108899414A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810509999.0
申请日：2018-05-24
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H01L41/053 , H01L41/23
摘要： 本发明提供了一种表面波滤波器件结构，包括：基板、芯片、晶圆片、封装材料；所述芯片键合在基板的上表面，所述芯片远离基板的一侧连接所述晶圆片；所述晶圆片在芯片外设置有阻隔件，所述阻隔件沿着平行和垂直晶圆片的方向延伸，并且阻隔件的端面与基板之间间隔一定缝隙；所述封装材料位于阻隔件外，并包覆所述晶圆片的侧面和远离基板的一面；所述阻隔件阻挡封装材料进入所述晶圆片设置芯片的区域中。本发明提供了一种表面波滤波器的器件结构和制作方法，有效的解决表面波滤波器在封装过程中环氧树脂的填充不足或过量的问题，提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN108574469B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201810259045.9
申请日：2018-03-27
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H03H3/04
摘要： 本发明提供了一种调整滤波器频率的方法和装置，利用每个滤波器单元体表面的介电材料对于不同波长的吸收系数，选择对应波长的激光、激光输出功率、激光光斑直径和激光照射时间，使得激光蒸发一定重量的介电材料，单独调整滤波器上每一个滤波器单元体的介电材料的厚度，从而单独调整每个滤波器单元体的频率。本发明提供了一种滤波器芯片，包括压电材料基板和排列设置于基板上的多个滤波器单元体；所述滤波器单元体的表面具有一层介电层；所述多个滤波器单元体的介电层厚度各不相同。
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公开(公告)号：CN108923763B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201810558978.8
申请日：2018-06-01
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，蚀刻第一介质层后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN110190826A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910470766.9
申请日：2019-05-31
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振薄膜层、谐振器和滤波器，该谐振薄膜层包括第一电极层，设置在第一晶圆上；压电层，设置在所述第一电极层上；第二电极层，设置在所述压电层上；可调整层，设置在所述第二电极层上，配重图案，实施于所述可调整层上设置在所述第二电极层上，用于调整所述配重图案的不同重量，以调整所述谐振薄膜谐振薄膜层的不同工作频率。本申请实现了根据需要调整谐振薄膜层的配重图案，进而使不同的谐振薄膜层具有不同的工作频率。
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