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公开(公告)号：CN112582571B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202011450615.6
申请日：2020-12-11
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H10K50/856 , H10K71/00 , H10K59/12 , H10K59/122
摘要： 一种有机发光面板包括基板、平坦化层、反射层与堤岸层。基板具有显示区与位于显示区旁的周边区。平坦化层配置于基板上且平坦化层具有凹槽。反射层配置于平坦化层上，其中反射层顺应凹槽的侧壁设置。堤岸层配置于平坦化层上，且堤岸层覆盖凹槽并具有位于周边区中的周边区斜面。凹槽邻近周边区斜面且比周边区斜面更接近显示区。本揭露亦提出上述有机发光面板的制作方法。
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公开(公告)号：CN114122293A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111367191.1
申请日：2021-11-18
申请人： 友达光电股份有限公司
摘要： 一种显示面板，包括：基板、多个像素电路、绝缘层、多个第一电极、第一隔离结构以及第二隔离结构。多个像素电路位于基板上。绝缘层位于多个像素电路上，且具有多个通孔。多个第一电极位于绝缘层上，且分别通过多个通孔电性连接至多个像素电路。第一隔离结构位于绝缘层上，且重叠多个通孔。第二隔离结构包括多个分隔部及多个覆盖部，其中，多个分隔部与第一隔离结构至少部分重叠，多个覆盖部分别重叠多个通孔及第一隔离结构。
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公开(公告)号：CN101022085B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200710135912.X
申请日：2007-03-12
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/82 , H01L27/144 , H01L31/18 , H01L31/105
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明是关于一种半导体元件及其制作方法，该方法包括下列步骤。提供一透光基板；形成一遮光层于透光基板上，形成一第一缓冲层于遮光层上；形成一半导体层于第一缓冲层上；图案化遮光层、第一缓冲层与半导体层，以形成一图案化叠层；在半导体层中形成一通道区与位于通道区两侧的一源极/漏极区；形成一栅绝缘层于透光基板上，以覆盖图案化叠层；形成一栅极于通道区上方的栅绝缘层上。本发明的半导体元件通过遮光层来阻挡非必要光线，以有效降低非必要的外界光线或非必要的底部背光源对半导体元件的干扰。此遮光层的制作与现有制造工艺兼容，制作方式简单且不需额外增加掩膜制造工艺，可提高生产良品率并降低制作成本。
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公开(公告)号：CN101330106B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810132098.0
申请日：2008-07-28
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管形成于一透明基板上。薄膜晶体管包括一图案化半导体层、一栅极绝缘层位于图案化半导体层上、一栅极位于栅极绝缘层上，以及一图案化光吸收层。图案化半导体层包括一通道区，以及一源极区与一漏极区分别位于通道区两侧的图案化半导体层内。图案化光吸收层位于透明基板与图案化半导体层之间。
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公开(公告)号：CN100495721C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610081729.1
申请日：2006-05-10
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/04 , H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , C30B29/06 , C30B28/00
摘要： 一种具有平坦表面的多晶硅薄膜的制造方法，主要利用侧向长晶原理和激光方式将非晶硅区域熔融后结晶，再将结晶后所形成的多晶硅突起部分以激光熔融后再结晶，如此重复激光方式并步进整面基板以达到具有平坦表面的多晶硅薄膜。所制成的多晶硅薄膜包括多个侧向结晶生长的晶粒，和多个纳米级凹槽(nano-trenches)，平行地形成于多晶硅薄膜的表面；且该些纳米级凹槽的一长轴方向大致上和该些晶粒的侧向结晶方向互相垂直。
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公开(公告)号：CN1300634C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200510004161.9
申请日：2005-01-12
申请人： 友达光电股份有限公司
发明人： 孙铭伟
摘要： 一种光罩包括一第一区域、一第二区域、一第三区域及一第四区域。第一区域具有数个第一条状不透光区及数个第一条状间隙，它们相互平行且交错排列。第二区域具有数个第二条状不透光区及数个第二条状间隙，它们呈平行且交错排列，第二和第一条状间隙相互平行。第三区域位于第一区域及第二区域之间，并具有数个第三条状不透光区及数个第三条状间隙，后两者呈平行且交错排列，第三与第一条状间隙相垂直或相对倾斜一角度。第四区域位于第二区域及第三区域之间，并具有数个第四条状不透光区及数个第四条状间隙后两者相互平行且交错排列，第四条与第三条状间隙平行。形成多晶硅层的方法包括在一基板上形成一非晶硅层；接着，利用光罩进行连续侧向长晶。
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公开(公告)号：CN1811592A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610009270.4
申请日：2006-02-15
申请人： 友达光电股份有限公司
发明人： 孙铭伟
摘要： 一种激光结晶用的光掩模图案结构与阵列，用以控制由连续性侧向长晶(Sequential Lateral Solidification；SLS)技术所形成的低温多晶硅中的结晶副晶界的宽度。本发明为于光栅(slit)的相对两侧边上分别形成第一连续波状结构和第二连续波状结构，此相对两侧边大致与晶粒(Grain)成长方向垂直，本发明通过此相对两侧边的间距距离，使得结晶顺序不同及晶种位置不同，以控制晶粒的宽度。
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公开(公告)号：CN101355090B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810161502.7
申请日：2008-09-19
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
摘要： 提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、多个多晶硅岛以及多个栅极。基板具有显示区、栅极驱动区以及源极驱动区。多晶硅岛配置于基板上，且各多晶硅岛具有源极区、漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区，多晶硅岛包括多个第一多晶硅岛以及多个第二多晶硅岛，其中第一多晶硅岛配置于显示区以及栅极驱动区内，第一多晶硅岛具有主晶界以及次晶界，且第一多晶硅岛的主晶界仅位于源极区及/或漏极区内。第二多晶硅岛配置于源极驱动区内，且第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于第二多晶硅膜中的晶粒尺寸。栅极配置于基板上，且对应于沟道区。
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公开(公告)号：CN102222644A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110151999.6
申请日：2011-06-01
申请人： 友达光电股份有限公司
摘要： 本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管器件制造方法，包括：形成多晶硅基板，构图形成下电极和第一导电层；沉积栅绝缘层和第一金属层，通过掩膜构图形成第一栅极、第二栅极和下电极；在第一导电层部分区域形成轻掺杂结构；沉积隔离层，通过掩膜进行刻蚀形成第一、第二和第三通孔，贯穿隔离层和栅绝缘层；沉积第二金属层，通过掩膜进行构图形成源极和漏极、第二导电层及第一、第二和第三导电柱；形成半导体层以连接第一源极和漏极；沉积第一和第二平坦层，通过掩膜进行刻蚀形成第四、第五和第六通孔，贯穿第一和第二平坦层；沉积第二导电层，通过掩膜进行构图形成第一、第二和第三电极。采用本发明省略n型掺杂和二次刻蚀过程，可以节约成本。
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公开(公告)号：CN1933098B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200510103240.5
申请日：2005-09-16
申请人： 友达光电股份有限公司
发明人： 孙铭伟
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , C30B1/02 , C30B29/06
摘要： 本发明提供一种用于连续横向结晶技术的掩膜及该掩膜的使用方法。该掩膜包括：至少一透明光栅，该透明光栅包括二长边，一前缘与一后缘，所述二长边相互平行且长度相等，所述前缘朝向所述透明光栅的外侧突出，所述后缘朝向所述透明光栅的内部凹陷。通过本发明可以有效消除不均匀区，还可以避免工艺速度下降的问题。随着工艺速度的提高，本发明的连续横向结晶工艺可以同时减少熔融区域的重叠面积，以防止多晶硅层吸收过多激光能量，以降低多晶硅层因聚块作用而导致破洞的可能性。
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