公开(公告)号：CN119894048A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411146060.4

申请日：2024-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐绍华 ,  林佳仪 ,  简垲旻 ,  胡元正 ,  彭裕钧 ,  刘国庆 ,  陈嘉仁

IPC: H10D30/62 ,  H10D84/85 ,  H10D30/01

Abstract: 本公开涉及半导体器件中的栅极结构的轮廓。公开了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的半导体层、与半导体层相邻设置的源极/漏极区域、设置在半导体层上的栅极结构、沿栅极结构的侧壁设置的具有三角形横截面轮廓的界面间隔件层、以及栅极间隔件。栅极间隔件包括第一间隔件部分和第二间隔件部分，第一间隔件部分包括设置在半导体层上的具有基本上线性轮廓的第一底表面，第二间隔件部分包括设置在界面间隔件层上的具有倾斜轮廓的第二底表面。

公开(公告)号：CN113299647B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202110556620.3

申请日：2021-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯敦晖 ,  陈昭成 ,  李俊鸿 ,  陈欣志 ,  刘国庆 ,  王祖豪

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种包含鳍式场效晶体管的半导体装置包含第一半导体鳍片，此第一半导体鳍片是形成在基材上并沿着第一横轴延伸。此半导体装置包含第二半导体鳍片，此第二半导体鳍片亦被形成在基材上并沿着第一横轴延伸。第一半导体鳍片的至少一个尖端部分和第二半导体鳍片的至少一个尖端部分沿着第二横轴朝彼此弯曲，第二横轴是垂直于第一横轴。

公开(公告)号：CN113299647A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110556620.3

申请日：2021-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯敦晖 ,  陈昭成 ,  李俊鸿 ,  陈欣志 ,  刘国庆 ,  王祖豪

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种包含鳍式场效晶体管的半导体装置包含第一半导体鳍片，此第一半导体鳍片是形成在基材上并沿着第一横轴延伸。此半导体装置包含第二半导体鳍片，此第二半导体鳍片亦被形成在基材上并沿着第一横轴延伸。第一半导体鳍片的至少一个尖端部分和第二半导体鳍片的至少一个尖端部分沿着第二横轴朝彼此弯曲，第二横轴是垂直于第一横轴。

公开(公告)号：CN113284893A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110087771.9

申请日：2021-01-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭俊铭 ,  陈欣志 ,  许哲源 ,  刘国庆 ,  蔡函育 ,  林宥霆 ,  张壬泓

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据一些实施例，一种半导体装置包括半导体衬底、至少一个半导体鳍及栅极堆叠。半导体鳍设置在半导体衬底上。半导体鳍包括第一部分、第二部分及位于第一部分与第二部分之间的第一颈部部分。第一部分的宽度随着第一部分变得更靠近第一颈部部分而减小，且第二部分的宽度随着第二部分变得更靠近半导体衬底的底表面而增大。栅极堆叠部分地覆盖半导体鳍。

公开(公告)号：CN220963354U

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202322295534.9

申请日：2023-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯忠廷 ,  萧宇正 ,  郭力榕 ,  林颂恩 ,  刘国庆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体元件，包含第一鳍片以及第一介电结构。第一鳍片于半导体基材上方。第一介电结构于半导体基材上方并相邻于第一鳍片，其中第一介电结构具有带锥角的凸形轮廓，锥角在35度至50度的范围内，第一介电结构具有随着第一介电结构远离半导体基材延伸而变小的宽度。