公开(公告)号：CN119894048A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411146060.4

申请日：2024-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐绍华 ,  林佳仪 ,  简垲旻 ,  胡元正 ,  彭裕钧 ,  刘国庆 ,  陈嘉仁

IPC: H10D30/62 ,  H10D84/85 ,  H10D30/01

Abstract: 本公开涉及半导体器件中的栅极结构的轮廓。公开了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的半导体层、与半导体层相邻设置的源极/漏极区域、设置在半导体层上的栅极结构、沿栅极结构的侧壁设置的具有三角形横截面轮廓的界面间隔件层、以及栅极间隔件。栅极间隔件包括第一间隔件部分和第二间隔件部分，第一间隔件部分包括设置在半导体层上的具有基本上线性轮廓的第一底表面，第二间隔件部分包括设置在界面间隔件层上的具有倾斜轮廓的第二底表面。

公开(公告)号：CN115881793A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211035427.6

申请日：2022-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭裕钧 ,  许昶志 ,  吴铉智 ,  张正忠 ,  陈书涵 ,  曹修豪 ,  李旻珈 ,  简垲旻 ,  温明璋 ,  游国丰

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包括形成从衬底突出的鳍结构，并且鳍结构包括交替堆叠的第一半导体材料层和第二半导体材料层。方法还包括形成跨过鳍结构的伪栅极结构以及在伪栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件。方法还包括部分地氧化栅极间隔件以形成氧化物层和去除氧化物层以形成修改的栅极间隔件。方法还包括去除第一半导体材料层以形成间隙，并形成栅极结构，栅极结构位于间隙中以环绕第二半导体材料层并且位于第二半导体材料层上方以覆盖修改的栅极间隔件。

公开(公告)号：CN222532106U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202420588862.X

申请日：2024-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐绍华 ,  林佳儀 ,  曹修豪 ,  简垲旻 ,  黄侦晃 ,  魏安祺 ,  陈嘉仁

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体装置，包括设置于鳍片上方的晶体管的第一通道区，鳍片可包括在第一方向上延伸的半导体材料。栅极结构衬垫第一通道区并在垂直于第一方向的第二方向上在隔离区上方延伸，栅极结构的第一部分向下延伸至隔离区的上表面中一凹痕中。装置亦包括嵌入鳍片中第一通道区的任一侧上的磊晶结构，磊晶结构由第一层间介电质侧向围绕。