公开(公告)号：CN115881793A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211035427.6

申请日：2022-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭裕钧 ,  许昶志 ,  吴铉智 ,  张正忠 ,  陈书涵 ,  曹修豪 ,  李旻珈 ,  简垲旻 ,  温明璋 ,  游国丰

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包括形成从衬底突出的鳍结构，并且鳍结构包括交替堆叠的第一半导体材料层和第二半导体材料层。方法还包括形成跨过鳍结构的伪栅极结构以及在伪栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件。方法还包括部分地氧化栅极间隔件以形成氧化物层和去除氧化物层以形成修改的栅极间隔件。方法还包括去除第一半导体材料层以形成间隙，并形成栅极结构，栅极结构位于间隙中以环绕第二半导体材料层并且位于第二半导体材料层上方以覆盖修改的栅极间隔件。

公开(公告)号：CN113257740A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202011410902.4

申请日：2020-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭裕钧 ,  曹修豪 ,  陈书涵 ,  许昶志 ,  游国丰 ,  陈建豪 ,  尤志豪 ,  张长昀

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 在本申请的实施例中，一种半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的栅极间隔件，该栅极间隔件具有上部和下部，上部的第一宽度沿远离半导体衬底的顶面延伸的第一方向连续减小，下部的第二宽度沿第一方向恒定；沿栅极间隔件的第一侧壁和半导体衬底的顶面延伸的栅极堆叠件；以及与栅极间隔件的第二侧壁相邻的外延源极/漏极区域。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN112992788A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011481766.8

申请日：2020-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许昶志 ,  尤志豪 ,  张长昀 ,  曹修豪 ,  彭裕钧

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 控制半导体器件的栅极形成的方法包括：获得栅极临界尺寸(CD)和用于形成栅极沟槽的蚀刻方案之间的相关性；测量目标晶圆上的栅极CD；基于校正和测量的栅极CD确定蚀刻方案；以及对目标晶圆实施蚀刻工艺以利用确定蚀刻方案形成栅极沟槽。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的系统。

公开(公告)号：CN112992788B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202011481766.8

申请日：2020-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许昶志 ,  尤志豪 ,  张长昀 ,  曹修豪 ,  彭裕钧

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 控制半导体器件的栅极形成的方法包括：获得栅极临界尺寸(CD)和用于形成栅极沟槽的蚀刻方案之间的相关性；测量目标晶圆上的栅极CD；基于校正和测量的栅极CD确定蚀刻方案；以及对目标晶圆实施蚀刻工艺以利用确定蚀刻方案形成栅极沟槽。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的系统。

公开(公告)号：CN119894048A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411146060.4

申请日：2024-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐绍华 ,  林佳仪 ,  简垲旻 ,  胡元正 ,  彭裕钧 ,  刘国庆 ,  陈嘉仁

IPC: H10D30/62 ,  H10D84/85 ,  H10D30/01

Abstract: 本公开涉及半导体器件中的栅极结构的轮廓。公开了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的半导体层、与半导体层相邻设置的源极/漏极区域、设置在半导体层上的栅极结构、沿栅极结构的侧壁设置的具有三角形横截面轮廓的界面间隔件层、以及栅极间隔件。栅极间隔件包括第一间隔件部分和第二间隔件部分，第一间隔件部分包括设置在半导体层上的具有基本上线性轮廓的第一底表面，第二间隔件部分包括设置在界面间隔件层上的具有倾斜轮廓的第二底表面。