公开(公告)号：CN110931479A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910885427.7

申请日：2019-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  王仁佑 ,  吴仲融 ,  董志航 ,  余振华

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 一种半导体封装体，包括一基底及位于基底上的半导体晶圆。一散热特征部件覆盖基底及半导体晶圆，且复合热界面材料(thermal interface material,TIM)结构热接合于半导体晶圆与散热特征部件之间。复合TIM结构包括含金属的基材层及埋入含金属的基材层内的高分子颗粒。

公开(公告)号：CN112447629A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010856135.3

申请日：2020-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仲融 ,  董志航 ,  邵栋梁 ,  萧胜聪 ,  王仁佑

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L21/50

Abstract: 一种半导体器件包括封装件及冷却盖。封装件包括第一管芯，第一管芯具有有源表面及与有源表面相对的后表面。后表面具有冷却区及封闭冷却区的外围区。第一管芯包括位于后表面的冷却区中的微沟槽。冷却盖堆叠在第一管芯上。冷却盖包括位于冷却区之上且与微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。

公开(公告)号：CN113675178A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110220213.5

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧胜聪 ,  王仁佑 ,  吴仲融 ,  邵栋梁 ,  董志航

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H05K1/18

Abstract: 公开了包括具有液冷通道的盖的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：第一集成电路管芯；盖，耦合至第一集成电路管芯，该盖包括位于盖的与第一集成电路管芯相反的表面中的多个通道；冷却盖，与第一集成电路管芯相反地耦合至盖；以及传热单元，通过管配件耦合至冷却盖，该传热单元被配置为通过冷却盖将液体冷却剂供应至多个通道。本申请的实施例提供了半导体封装件、半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN112447629B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202010856135.3

申请日：2020-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仲融 ,  董志航 ,  邵栋梁 ,  萧胜聪 ,  王仁佑

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L21/50

Abstract: 一种半导体器件包括封装件及冷却盖。封装件包括第一管芯，第一管芯具有有源表面及与有源表面相对的后表面。后表面具有冷却区及封闭冷却区的外围区。第一管芯包括位于后表面的冷却区中的微沟槽。冷却盖堆叠在第一管芯上。冷却盖包括位于冷却区之上且与微沟槽连通的流体入口端口及流体出口端口。

公开(公告)号：CN113675178B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202110220213.5

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧胜聪 ,  王仁佑 ,  吴仲融 ,  邵栋梁 ,  董志航

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H05K1/18

Abstract: 公开了包括具有液冷通道的盖的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：第一集成电路管芯；盖，耦合至第一集成电路管芯，该盖包括位于盖的与第一集成电路管芯相反的表面中的多个通道；冷却盖，与第一集成电路管芯相反地耦合至盖；以及传热单元，通过管配件耦合至冷却盖，该传热单元被配置为通过冷却盖将液体冷却剂供应至多个通道。本申请的实施例提供了半导体封装件、半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN222813598U

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202421197148.4

申请日：2024-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗珮瑄 ,  柯志明 ,  洪政男 ,  吴仲融 ,  黄友怡

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/31

Abstract: 一种封装结构，包括形成在第一基底上的第一接合膜以及形成在第一接合膜中的第一对位标记。第一对位标记包括彼此分隔开的多个第一图案。封装结构包括第二接合膜，形成在第二基底上并接合到第一接合膜。封装结构包括第二对位标记，形成在第二接合膜中。第二对位标记包括彼此分隔开的多个第二图案。在俯视图中，第一对位标记与第二对位标记分隔开，并且相邻的第一图案之间的距离小于第一对位标记与第二对位标记之间的距离。

公开(公告)号：CN220934062U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202321382942.1

申请日：2023-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仲融 ,  萧胜聪 ,  王仁佑 ,  邵栋梁 ,  董志航

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473

Abstract: 本实用新型提供一种冷却盖和包括其的封装的半导体装置。包括用于冷却封装的半导体装置的梯形冷却室的冷却盖。在一个实施例中，用于半导体装置的冷却盖包括入口；出口；冷却室与入口和出口流体连通，冷却室在截面视图中具有梯形形状。