公开(公告)号：CN116825635A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310541566.4

申请日：2023-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵翊翔 ,  周志昇 ,  杨舒庭 ,  翁廷玮 ,  徐鹏皓 ,  黄俊贤 ,  陈泓旭 ,  许宏彰 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本案涉及一种半导体装置及其制造方法。本案描述的预清洗技术可用以从半导体装置去除原生氧化物及/或其它污染物，这样的去除方式能降低截断、剪断及/或侧壁间隔物厚度减小的可能性。如本案所述，保护层形成在位于晶体管的栅极结构上方的盖层上。然后执行预清洗操作以从晶体管的源极/漏极区的顶表面去除原生氧化物。在预清洗操作中，被消耗的是保护层而不是盖层的材料。如此一来，保护层的使用降低了从盖层去除材料的可能性及/或减少了在预清洗操作期间材料从盖层去除的量。