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公开(公告)号：CN116825635A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310541566.4
申请日：2023-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本案涉及一种半导体装置及其制造方法。本案描述的预清洗技术可用以从半导体装置去除原生氧化物及/或其它污染物，这样的去除方式能降低截断、剪断及/或侧壁间隔物厚度减小的可能性。如本案所述，保护层形成在位于晶体管的栅极结构上方的盖层上。然后执行预清洗操作以从晶体管的源极/漏极区的顶表面去除原生氧化物。在预清洗操作中，被消耗的是保护层而不是盖层的材料。如此一来，保护层的使用降低了从盖层去除材料的可能性及/或减少了在预清洗操作期间材料从盖层去除的量。
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公开(公告)号：CN111261518B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910531792.8
申请日：2019-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/768 , C23C16/50 , C23C16/42 , C23C16/04
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区域，其中栅极结构位于鳍之上并且被第一电介质层围绕；在第一电介质层中形成开口以暴露源极/漏极区域；使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺选择性地在源极/漏极区域上的开口中形成硅化物区域；以及用导电材料填充开口。
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公开(公告)号：CN116314030A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210795276.8
申请日：2022-07-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及半导体器件的接触件特征及其形成方法。一种方法包括在源极/漏极区域之上形成电介质层。在电介质层中形成开口。开口暴露源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成导电内衬。对导电内衬的暴露表面执行表面改性工艺。表面改性工艺在导电内衬之上形成表面涂层。去除表面涂层，以暴露导电内衬。从开口的侧壁去除导电内衬。以自下而上的方式用导电材料填充开口。导电材料与导电内衬的剩余部分和电介质层实体接触。
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公开(公告)号：CN110504170A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910085896.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本公开实施例关于制作半导体结构的方法。方法包括提供具有栅极结构、栅极结构上的绝缘结构、以及源极/漏极区的基板。以第一化学气相沉积制程沉积钛硅化物层于源极/漏极区上。第一化学气相沉积制程包括第一氢气流。方法亦包括以第二化学气相沉积制程沉积氮化钛层于绝缘结构上。第二化学气相沉积制程包括第二氢气流。第一化学气相沉积制程与第二化学气相沉积制程在单一的反应腔室中进行，且第一氢气流的流速大于第二氢气流的流速。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110504170B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201910085896.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本公开实施例关于制作半导体结构的方法。方法包括提供具有栅极结构、栅极结构上的绝缘结构、以及源极/漏极区的基板。以第一化学气相沉积制程沉积钛硅化物层于源极/漏极区上。第一化学气相沉积制程包括第一氢气流。方法亦包括以第二化学气相沉积制程沉积氮化钛层于绝缘结构上。第二化学气相沉积制程包括第二氢气流。第一化学气相沉积制程与第二化学气相沉积制程在单一的反应腔室中进行，且第一氢气流的流速大于第二氢气流的流速。
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公开(公告)号：CN116153785A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210854441.2
申请日：2022-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/768 , H01L23/482
Abstract: 本公开涉及半导体器件的接触特征及其形成方法。一种方法包括在外延源极/漏极区域之上形成电介质层，在电介质层中形成开口。开口暴露外延源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成阻挡层。对开口的侧壁和底部执行氧化工艺。氧化工艺将阻挡层的一部分转化为氧化阻挡层，并将电介质层的与所述氧化阻挡层相邻的部分转化为衬垫层。去除氧化阻挡层。以自下而上的方式用导电材料填充开口，导电材料与衬垫层实体接触。
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公开(公告)号：CN111261518A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910531792.8
申请日：2019-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/768 , C23C16/50 , C23C16/42 , C23C16/04
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区域，其中栅极结构位于鳍之上并且被第一电介质层围绕；在第一电介质层中形成开口以暴露源极/漏极区域；使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺选择性地在源极/漏极区域上的开口中形成硅化物区域；以及用导电材料填充开口。
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公开(公告)号：CN222852559U
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202421501220.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一半导体结构包含一源/漏极特征于半导体层。半导体结构包含介电层于该源/漏极特征上方。半导体结构包含硅化物层于源/漏极特征上方。半导体结构包含阻障层于硅化物层上方。半导体结构包含晶种层于阻障层上方。半导体结构包含金属层介于晶种层的侧墙和介电层的侧墙之间、各硅化物层的侧墙、阻障层和金属层直接接触介电层的侧墙。半导体结构包含源/漏极接触于晶种层上方。
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公开(公告)号：CN220172124U
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202321174513.5
申请日：2023-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/538 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体装置，包括由介电材料的多个侧壁所划定的凹洞；一导电结构，接壤(bordering)于该凹洞的底部；一层或多层材料，于该凹洞中且直接位于该导电结构上及直接位于该介电材料的该侧壁上，其中所述一层或多层材料包括阻障金属；及导电插塞，于该凹洞中且直接位于所述一层或多层材料上且直接位于该介电材料的该侧壁上。
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