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公开(公告)号：CN113594073B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202110851441.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 一种微影系统及形成半导体装置的方法，方法包括在晶圆台上的晶圆载物台上方传送晶圆。晶圆台包括台主体、晶圆载物台、第一滑动部件、第二滑动部件、第一缆线、第一托架及第二托架，以及挡止器。第二滑动部件为沿着第一方向可移动的，其中第一滑动部件耦接至第二滑动部件的轨道，第一滑动部件为沿着垂直于第一方向的第二方向可移动的。第一托架及第二托架通过板弹簧连接。方法包括朝向台主体的边缘移动晶圆载物台，使得晶圆载物台向外推动第一缆线，使得板弹簧朝向挡止器的面向板弹簧的表面上的第一保护膜移动。
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公开(公告)号：CN115494700A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210036595.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种能够将集光器表面的温度保持在预定温度或在预定温度以下的光源以及生成极紫外光的方法。根据本发明的各种实施例的光源包括：处理器；液滴产生器，用于产生液滴以产生极紫外光；集光器，用于将极紫外光反射至中间焦点；光产生器，用于产生预脉冲光和主脉冲光；以及热影像撷取装置，用于撷取来自集光器的反射面的热影像。
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公开(公告)号：CN115007087A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210387368.2
申请日：2022-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种在极紫外微影系统中处理燃料、移除杂质及净化燃料的方法，自容纳液化固体燃料的容器移除在极紫外微影系统的液滴产生器中利用的液化固体燃料中的杂质。移除杂质增加液滴形成的稳定性及可预测性，这对晶圆良率及液滴产生器寿命产生积极影响。
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公开(公告)号：CN114924465A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210010143.5
申请日：2022-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本揭露关于模块化容器液滴产生器组件及其部件替换方法，包括液滴产生器组件(DGA)的模块化容器液滴产生器组件(MVDGA)。在正常运作下，液体燃料沿着延伸通过DGA的运作路径移动以将液体燃料(例如，液态锡)从DGA的喷嘴喷射或排放到真空室中。然后将真空室中的液体燃料暴露于产生极紫外(EUV)光的激光中。在维修运作下，关闭运作路径并开启延伸通过DGA的维修路径。气体被引入维修路径，以在气体与液体燃料之间形成气液界面。气液界面被驱动到与DGA直接相邻的隔离阀。换句话说，气体将液体燃料推回隔离阀。一旦气液界面到达隔离阀，隔离阀就会关闭，以隔离DGA与液体燃料。
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公开(公告)号：CN114859662A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210060438.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种检查极紫外光光源的方法及检查设备，用于检查极紫外光(EUV)光源的方法包含：将EUV光源的集光镜自收集器腔室中移除；在收集器腔室内安装检查设备，检查设备包含可选择性伸缩的构件及处于构件的一端处的摄影机；操作第一致动器以沿着穿过EUV光源的内部腔室的路径延伸构件，从而将摄影机移动至EUV光源的内部腔室内的给定位置；操作第二致动器以绕旋转轴平移摄影机，从而在EUV光源的内部内建立给定摄影机定向；及当摄影机处于由第一致动器及第二致动器的操作建立的给定位置及定向时，用摄影机拍摄EUV光源的内部腔室的影像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113267963A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110495908.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻系统利用锡滴生成用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极紫外辐射。光刻系统检测锡滴对聚光镜的污染，并调节缓冲流体的流量以减少污染。本申请的实施例提供了用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法。
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公开(公告)号：CN103543611A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210407666.X
申请日：2012-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70633
Abstract: 本发明公开了一种光刻工艺，如图案化半导体晶圆的光刻。该工艺包括接收其上形成有各种部件和层的入检半导体晶圆。接收单元诱发的重叠(uniiOVL)修正以及对重叠模块中的入检半导体晶圆进行形变测量。通过对形变测量结果应用预定算法，以通过形变测量结果得出形变诱发的重叠(defiOVL)修正。将defiOVL修正和uniiOVL修正前向馈送给曝光模块，然后对入检半导体晶圆进行曝光处理。
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公开(公告)号：CN103246152A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210195645.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F1/44
Abstract: 一种确定覆盖误差的方法。该方法包括将图案从中间掩模转印至晶圆以及选择第一组数据点以测量中间掩模上的部件与晶圆上的部件之间的位置差。该方法还包括确定第一组数据点但包含较少数据点的第二组数据点。控制系统使用第二组数据点来动态地调整中间掩模的位置。本发明还提供了动态控制中间掩模位置的控制系统。
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公开(公告)号：CN114967357A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210115812.5
申请日：2022-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外光曝光工具及其操作方法，曝光工具配置以移除污染物及/或防止在曝光工具中包括的镜子及/或其它光学部件的污染。在一些实施中，曝光工具配置以使用加热气体(诸如臭氧(O3)或超净干燥空气(extra clean dry air；XCDA)，以及其他实例)从照明器、投影光学盒、及/或曝光工具的一或多个其他子系统冲洗及/或以其他方式移除污染物。在一些实施中，曝光工具配置以提供包括氢气(H2)或另一类型的气体的气帘(或气体壁)以降低污染物到达曝光工具中包括的镜子的可能性。以此方式，镜子及曝光工具的一或多个其他部件经清洗并且维持在干净环境中，其中控制吸收辐射的污染物以增加曝光工具的效能。
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公开(公告)号：CN114911138A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110732867.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种微影系统与其操作的方法，操作微影系统的方法包括沉积遮罩层在基材上、根据图案将反射自微影系统的组合式集光器的集光器中央区的第一辐射导向遮罩层、根据图案将反射自组合式集光器的第一集光器周边区的第二辐射导向遮罩层，其中第一集光器周边区通过第一缝隙与集光器中央区垂直隔开。操作微影系统的方法包括移除遮罩层的数个第一区域和数个第二区域以形成数个开口在此遮罩层中，其中遮罩层的第一区域暴露在第一辐射及遮罩层的第二区域暴露在第二辐射。操作微影系统的方法包括移除显露在开口中位于此遮罩层下方的层的材料。
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