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公开(公告)号：CN108122867B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201710984940.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 一种封装结构包括第一封装层、第二封装层和位于第一封装层和第二封装层之间的芯片层。第一封装层包括与第一导热结构电隔离的电信号结构。芯片层包括电连接至电信号结构的集成电路(IC)芯片、模制材料和位于模制材料中的贯通孔。第一导热结构、贯通孔和第二导热结构配置为从IC芯片至第二封装层的芯片层相对的表面的低热阻路径。本发明的实施例还涉及用于IC封装件的热传递结构和方法。
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公开(公告)号：CN109216324A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810693005.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 方法包括将管芯嵌入在模制材料内；在模制材料和管芯上方形成第一介电层；在第一介电层的远离管芯的上表面上方形成导线；以及在第一介电层和导线上方形成第二介电层。该方法还包括形成穿过第一介电层或第二介电层延伸的第一沟槽开口，其中，第一沟槽开口的纵向轴线与导线的纵向轴线平行，并且其中，没有导电部件在第一沟槽开口的底部处暴露；以及用导电材料填充第一沟槽开口以形成第一接地沟槽。本发明的实施例还涉及具有用于减少串扰的屏蔽结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN108122867A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710984940.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 一种封装结构包括第一封装层、第二封装层和位于第一封装层和第二封装层之间的芯片层。第一封装层包括与第一导热结构电隔离的电信号结构。芯片层包括电连接至电信号结构的集成电路(IC)芯片、模制材料和位于模制材料中的贯通孔。第一导热结构、贯通孔和第二导热结构配置为从IC芯片至第二封装层的芯片层相对的表面的低热阻路径。本发明的实施例还涉及用于IC封装件的热传递结构和方法。
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公开(公告)号：CN107180795A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201611150397.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 一种方法包括通过管芯附接膜将电压调节器管芯粘附在载体上方，其中管芯附接膜位于电压调节器管芯中并环绕电压调节器管芯的金属柱，将电压调节器管芯密封在密封材料中，并且平坦化密封材料。去除电压调节器管芯的背部以暴露电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔。该方法还包括在密封材料上方形成电连接至通孔的第一再分布线，用介电材料替代管芯附接膜，在密封材料的与第一再分布线相对的侧上形成第二再分布线，并且将额外的器件管芯接合至第二再分布线。电压调节器管芯电连接至额外的器件管芯。本发明实施例涉及包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN101363882A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810126245.3
申请日：2008-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R31/2853 , G01R31/2884 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种在测量集成电路中的接触及介层寄生电容的测试结构与方法。通过从测量结果中消除非待测量的电容的测量误差，以改良接触及介层电容测量的精准性。首先，电容是在具有待测量的接触或介层电容的目标测试结构所测量的。然后，在实质类似的对照测试结构上测量，而对照测试结构并无待测量的接触或介层。通过测量上述两个测试结构的电容，即可计算出待测量的接触与介层电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107180795B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201611150397.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 一种方法包括通过管芯附接膜将电压调节器管芯粘附在载体上方，其中管芯附接膜位于电压调节器管芯中并环绕电压调节器管芯的金属柱，将电压调节器管芯密封在密封材料中，并且平坦化密封材料。去除电压调节器管芯的背部以暴露电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔。该方法还包括在密封材料上方形成电连接至通孔的第一再分布线，用介电材料替代管芯附接膜，在密封材料的与第一再分布线相对的侧上形成第二再分布线，并且将额外的器件管芯接合至第二再分布线。电压调节器管芯电连接至额外的器件管芯。本发明实施例涉及包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN101071804A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710096957.0
申请日：2007-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H05K1/0219 , H05K1/0298 , H05K2201/09236 , H05K2201/09618 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种半导体结构，包含了位于基板之上的第一屏蔽线与第二屏蔽线，此第一屏蔽线与第二屏蔽线连接于第一电压。在第一屏蔽线与第二屏蔽线间具有导线，此导线连结到第二电压。第一屏蔽层位于基材上，且通过第一导体分别连接第一屏蔽线与第二屏蔽线，以围绕导线，借此产生屏蔽的效果。
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公开(公告)号：CN1482670A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03138627.X
申请日：2003-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L21/66
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 一种评估内连线结构中的金属片电阻的方法，包含下列步骤：首先，选择一既定制程技术等级；接着设计一测试内连线布局，其中包含至少一内连线层，且每内连线层布局中包含一系列线宽与一系列线距的交叉汇编；以该既定制程技术等级制作该测试内连线布局，完成后量测该各内连线布局层中，系列线宽与系列线距交叉汇编的阻值。最后，根据各层的系列线宽与系列线距的交叉汇编与其对应的阻值仿真一分布模型。
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公开(公告)号：CN109216324B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810693005.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 方法包括将管芯嵌入在模制材料内；在模制材料和管芯上方形成第一介电层；在第一介电层的远离管芯的上表面上方形成导线；以及在第一介电层和导线上方形成第二介电层。该方法还包括形成穿过第一介电层或第二介电层延伸的第一沟槽开口，其中，第一沟槽开口的纵向轴线与导线的纵向轴线平行，并且其中，没有导电部件在第一沟槽开口的底部处暴露；以及用导电材料填充第一沟槽开口以形成第一接地沟槽。本发明的实施例还涉及具有用于减少串扰的屏蔽结构的半导体器件。
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