-
公开(公告)号：CN106467288A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610609220.3
申请日：2016-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B3/0005 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00293 , B81C2201/112 , B81C2203/0145 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , B81B7/0041 , B81C3/001
Abstract: 一种半导体结构包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第二衬底，设置在第一表面上方并包括第一器件和第二器件；第一覆盖结构，设置在第二衬底上方，并且包括延伸穿过第一覆盖结构到达第二器件的通孔；第一腔，环绕第一器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；第二腔，环绕第二器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；以及第二覆盖结构，设置在第一覆盖结构上方并覆盖通孔，其中，通过第二覆盖结构密封第二腔和通孔。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
-
公开(公告)号：CN105023909B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410332205.X
申请日：2014-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/743 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/535 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/1601
Abstract: 本发明公开了一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL包括穿过低电阻衬底并且两侧均由隔离沟槽划界的导电路径。TSV由隔离沟槽和RDL划界。制备用于接合的晶圆可以包括：制备隔离沟槽，该隔离沟槽对穿过低电阻衬底的用于RDL的导电路径划界以及对低电阻衬底中的用于TSV的立柱中的垂直导电路径划界；在隔离沟槽中填充隔离沟槽材料；以及制备晶圆接合面。本发明还公开了提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法。
-
公开(公告)号：CN102674234B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110324343.X
申请日：2011-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H02K35/04 , B81B7/02 , G01P15/11 , H01F5/003 , H02K15/00 , H02M7/04 , H02N1/006 , Y10T29/49009
Abstract: 在本披露的一些实施例中，传感器包括基板、传感器元件和能量收集器件。传感器元件包括板件，并且板件相对于基板可移动。能量收集器件形成在传感器元件的板件上。
-
公开(公告)号：CN102674234A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110324343.X
申请日：2011-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H02K35/04 , B81B7/02 , G01P15/11 , H01F5/003 , H02K15/00 , H02M7/04 , H02N1/006 , Y10T29/49009
Abstract: 在本发明披露的一些实施例中，传感器包括基板、传感器元件和能量收集器件。传感器元件包括板件，并且板件相对于基板可移动。能量收集器件形成在传感器元件的板件上。
-
公开(公告)号：CN110745773A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911039434.1
申请日：2014-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于气密密封的薄膜结构。本发明涉及具有气密密封结构的MEMS器件以及相关的方法。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯在接合界面区处接合以形成腔室。共形薄膜结构设置为覆盖接合界面区的外侧壁以提供气密密封。在一些实施例中，共形薄膜结构是覆盖第二管芯的外表面和第一管芯的顶面的连续薄层。在一些其他实施例中，共形薄膜结构包括纵向设置的若干离散的薄膜补片。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110071083A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910115849.6
申请日：2013-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/98 , H01L23/10
Abstract: 本发明公开的一种方法包括可以在晶圆上形成晶圆密封环，该晶圆密封环具有带图案密度的图案结构。晶圆密封环图案结构可以包括具有宽度和间隔约等于晶圆上管芯接合环的宽度和间隔的多条线。具有形成在其上的晶圆密封环的晶圆可以接合至不具有晶圆密封环的晶圆。一对晶圆可以形成为具有以相应的方式形成的对应晶圆密封环。可以将该对晶圆接合在一起并且具有对准并接合在一起的晶圆密封环以在接合的晶圆之间形成密封环结构。
-
公开(公告)号：CN105967138B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
-
公开(公告)号：CN105967138A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
-
公开(公告)号：CN105023909A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410332205.X
申请日：2014-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/743 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/535 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/1601
Abstract: 本发明公开了一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL包括穿过低电阻衬底并且两侧均由隔离沟槽划界的导电路径。TSV由隔离沟槽和RDL划界。制备用于接合的晶圆可以包括：制备隔离沟槽，该隔离沟槽对穿过低电阻衬底的用于RDL的导电路径划界以及对低电阻衬底中的用于TSV的立柱中的垂直导电路径划界；在隔离沟槽中填充隔离沟槽材料；以及制备晶圆接合面。本发明还公开了提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法。
-
公开(公告)号：CN110071083B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910115849.6
申请日：2013-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/98 , H01L23/10
Abstract: 本发明公开的一种方法包括可以在晶圆上形成晶圆密封环，该晶圆密封环具有带图案密度的图案结构。晶圆密封环图案结构可以包括具有宽度和间隔约等于晶圆上管芯接合环的宽度和间隔的多条线。具有形成在其上的晶圆密封环的晶圆可以接合至不具有晶圆密封环的晶圆。一对晶圆可以形成为具有以相应的方式形成的对应晶圆密封环。可以将该对晶圆接合在一起并且具有对准并接合在一起的晶圆密封环以在接合的晶圆之间形成密封环结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.03 seconds)
