公开(公告)号：CN101299438A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200710149604.2

申请日：2007-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄郁惠 ,  李定邦 ,  陈富信

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种半导体结构。一第一高压N阱区埋藏于一基底中。一P型埋藏层水平邻接第一高压N阱区。一第二高压N阱区位于第一高压N阱区上。一高压P阱区位于P型埋藏层上方。一绝缘区位于第二高压N阱区的顶部表面。一栅极电介质从高压P阱区上方延伸至第二高压N阱区上方，其中部分的栅极电介质是位于绝缘区上方。一栅电极位于栅极电介质上。

公开(公告)号：CN101299438B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200710149604.2

申请日：2007-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄郁惠 ,  李定邦 ,  陈富信

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种半导体结构。一第一高压N阱区埋藏于一基底中。一P型埋藏层水平邻接第一高压N阱区。一第二高压N阱区位于第一高压N阱区上。一高压P阱区位于P型埋藏层上方。一绝缘区位于第二高压N阱区的顶部表面。一栅极电介质从高压P阱区上方延伸至第二高压N阱区上方，其中部分的栅极电介质是位于绝缘区上方。一栅电极位于栅极电介质上。

公开(公告)号：CN101252147B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200710162197.9

申请日：2007-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒋柏煜 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  李定邦 ,  巫宗晔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于上述半导体基板中，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于上述半导体基板中，且相邻于上述第一阱区，上述第二阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分上述第一阱区上，其中上述场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，上述场效应环状物具有上述第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分上述场效应环状物上，且延伸至上述第一阱区；栅极结构，形成于一部分上述场效应电介质区上，且延伸至一部分上述第二阱区。本发明能够增加元件击穿电压，同时维持导通电阻。

公开(公告)号：CN101252147A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710162197.9

申请日：2007-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒋柏煜 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  李定邦 ,  巫宗晔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于上述半导体基板中，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于上述半导体基板中，且相邻于上述第一阱区，上述第二阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分上述第一阱区上，其中上述场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，上述场效应环状物具有上述第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分上述场效应环状物上，且延伸至上述第一阱区；栅极结构，形成于一部分上述场效应电介质区上，且延伸至一部分上述第二阱区。本发明能够增加元件击穿电压，同时维持导通电阻。