公开(公告)号：CN101685833A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910140146.5

申请日：2009-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄柏晟 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  黄麒铨 ,  巫宗晔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压阱(pre-high-voltage well，pre-HVW)区于该半导体基底中，其中该前高压阱区为与该第一导电形式相反的一第二导电形式；一高压阱(high-voltage well，HVW)区于该前高压阱区上，其中该高压阱区为该第二导电形式；一场环(field ring)，其为该第一导电形式，占据该高压阱区的一顶部，其中至少该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一包括至少两个通道(tunnel)；一绝缘区于该场环与该高压阱区的一部分上；一漏极区于该高压阱区中且邻接该绝缘区；一栅极电极于该绝缘区的一部分上；以及一源极区相对于该源极区在该栅极的一相对侧上。通过使用本发明的实施例，减低了高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的导通电阻与增高了元件的击穿电压。

公开(公告)号：CN101252147A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710162197.9

申请日：2007-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒋柏煜 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  李定邦 ,  巫宗晔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于上述半导体基板中，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于上述半导体基板中，且相邻于上述第一阱区，上述第二阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分上述第一阱区上，其中上述场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，上述场效应环状物具有上述第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分上述场效应环状物上，且延伸至上述第一阱区；栅极结构，形成于一部分上述场效应电介质区上，且延伸至一部分上述第二阱区。本发明能够增加元件击穿电压，同时维持导通电阻。

公开(公告)号：CN101685833B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200910140146.5

申请日：2009-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄柏晟 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  黄麒铨 ,  巫宗晔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压阱(pre-high-voltage well，pre-HVW)区于该半导体基底中，其中该前高压阱区为与该第一导电形式相反的一第二导电形式；一高压阱(high-voltage well，HVW)区于该前高压阱区上，其中该高压阱区为该第二导电形式；一场环(field ring)，其为该第一导电形式，占据该高压阱区的一顶部，其中至少该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一包括至少两个通道(tunnel)；一绝缘区于该场环与该高压阱区的一部分上；一漏极区于该高压阱区中且邻接该绝缘区；一栅极电极于该绝缘区的一部分上；以及一源极区相对于该源极区在该栅极的一相对侧上。通过使用本发明的实施例，减低了高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的导通电阻与增高了元件的击穿电压。

公开(公告)号：CN101252147B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200710162197.9

申请日：2007-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒋柏煜 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  李定邦 ,  巫宗晔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于上述半导体基板中，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于上述半导体基板中，且相邻于上述第一阱区，上述第二阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分上述第一阱区上，其中上述场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，上述场效应环状物具有上述第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分上述场效应环状物上，且延伸至上述第一阱区；栅极结构，形成于一部分上述场效应电介质区上，且延伸至一部分上述第二阱区。本发明能够增加元件击穿电压，同时维持导通电阻。