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公开(公告)号：CN1591247A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410058348.2
申请日：2004-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B17/00
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32191 , Y02P90/18 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 一种协调管制界限与机台效能的方法，替控制图定义相关的图片属性，其包括节点类型(Node Type)、管制方法(Control Method)以及制程类别(Process Catalog)，然后将图片属性与所有产生的控制图产生关联。接着，根据图片属性决定其相应控制图的管制界限，并且根据所取得的管制界限，对原先设定的管制界限进行修正。
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公开(公告)号：CN1983089A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610145300.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/04 , G05B19/048
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B23/0297 , H01L22/20 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种制程机台监控的离线量测的方法与系统。提供一自我调整监控规则数据库，用以储存用于执行晶圆批量处理的预定监控规则。定义用于执行该晶圆批量处理的监控数据，根据选取自该自我调整监控规则数据库中的监控规则取得所欲监控数据，根据该监控数据并利用一制程机台执行一离线量测操作以产生监控结果，并且根据该监控结果比较该选取的监控规则与数据以判断是否发生异常状态。若否，则利用该制程机台执行晶圆批量处理。若是，则结束该制程机台的晶圆批量处理。接着反馈一失效通知，并且重新定义监控规则以更新该自我调整监控规则数据库。本发明可改善晶圆批量处理的效率与流程，减少生产损失。
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公开(公告)号：CN1845009A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610074166.3
申请日：2006-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F7/70533 , G03F7/70541
Abstract: 一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。
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公开(公告)号：CN1804746A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510130509.9
申请日：2005-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G06Q10/06
Abstract: 本发明提供一种用于管理批次整合的系统、用于管理批次整合的方法，其包括一界面、一储存装置、及一处理器。该界面是用以接收一批次整合设定数据。该储存装置是用以储存第一批次制造信息和该批次整合设定数据。该处理器是用以依据该批次整合设定数据与该第一批次制造信息，产生第二批次制造信息。本发明所述的用于管理批次整合的系统、用于管理批次整合的方法，依据更新过的该制造数据的制程时程表和派工设定数据，使得制造程序中的产品物流被调整，使得能够依据使用者的设定，将原本属于同一批次，而在制程中被分割开来的批次重新整合为同一批次。
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公开(公告)号：CN100465829C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610145300.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/04 , G05B19/048
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B23/0297 , H01L22/20 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种制程机台监控的离线量测的方法与系统。提供一自我调整监控规则数据库，用以储存用于执行晶圆批量处理的预定监控规则。定义用于执行该晶圆批量处理的监控数据，根据选取自该自我调整监控规则数据库中的监控规则取得所欲监控数据，根据该监控数据并利用一制程机台执行一离线量测操作以产生监控结果，并且根据该监控结果比较该选取的监控规则与数据以判断是否发生异常状态。若否，则利用该制程机台执行晶圆批量处理。若是，则结束该制程机台的晶圆批量处理。接着反馈一失效通知，并且重新定义监控规则以更新该自我调整监控规则数据库。本发明可改善晶圆批量处理的效率与流程，减少生产损失。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983259A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610071088.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G05B19/41845 , Y02P90/16 , Y02P90/18
Abstract: 一种数据检索系统及方法，执行于一信息提供模块中，其中上述信息提供模块储存并提供制造工程数据集合。上述信息提供模块连接一网络。从上述网络接收一第一操作。响应上述第一操作经由上述网络提供上述工程数据集合的一部分。根据上述工程数据集合的上述部分的特征，自动提供引导信息，上述引导信息引导至上述信息提供模块可执行的下一操作。
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公开(公告)号：CN1664985A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410083729.6
申请日：2004-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , Y02P90/22
Abstract: 一种具有防止制程污染的制造系统，其包括多个制程机台、污染属性确认系统及污染防制系统。上述制程机台用以处理在制品，其具有贡献污染属性设定值及拒绝污染属性设定值。上述污染属性确认系统用以确认上述贡献/拒绝污染属性设定值的设定为正确。上述污染防制系统于上述制程机台接受上述在制品前，检查上述在制品的第一产品污染属性设定值是否符合上述拒绝污属性设定值，并于上述制程机台接受及处理上述在制品时，根据上述贡献污染属性设定值，对上述产品污染属性设定值分别产生中途污染属性设定值及第二产品污染属性设定值。
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公开(公告)号：CN100470374C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610074166.3
申请日：2006-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F7/70533 , G03F7/70541
Abstract: 一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。
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公开(公告)号：CN100419763C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200610071088.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G05B19/41845 , Y02P90/16 , Y02P90/18
Abstract: 一种数据检索系统及方法，执行于一信息提供模块中，其中上述信息提供模块储存并提供制造工程数据集合。上述信息提供模块连接一网络。从上述网络接收一第一操作。响应上述第一操作经由上述网络提供上述工程数据集合的一部分。根据上述工程数据集合的上述部分的特征，自动提供引导信息，上述引导信息引导至上述信息提供模块可执行的下一操作。
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公开(公告)号：CN1329950C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410083729.6
申请日：2004-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , Y02P90/22
Abstract: 一种具有防止制程污染的制造系统，其包括多个制程机台、污染属性确认系统及污染防制系统。上述制程机台用以处理在制品，其具有贡献污染属性设定值及拒绝污染属性设定值。上述污染属性确认系统用以确认上述贡献/拒绝污染属性设定值的设定为正确。上述污染防制系统于上述制程机台接受上述在制品前，检查上述在制品的第一产品污染属性设定值是否符合上述拒绝污属性设定值，并于上述制程机台接受及处理上述在制品时，根据上述贡献污染属性设定值，对上述产品污染属性设定值分别产生中途污染属性设定值及第二产品污染属性设定值。
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