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公开(公告)号：CN104281009B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310439447.4
申请日：2013-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01L22/20 , G01B11/14 , G03F7/70633
Abstract: 本发明的一些实施例涉及光刻重叠采样，其中一种对准方法包括：在晶圆的一面上限定多个区域；以及将多个区域组织成正交区域结构和两个或更多个连续区域结构。在两个或更多个连续区域结构的每一个区域内测量第一数量的对准结构位置，并且在正交区域结构的每一个区域内测量第二数量的对准结构位置，第二数量大于第一数量。然后，基于测量得到的两个或更多区连续区域结构和正交区域结构的对准结构位置，将部件或层与之前形成的部件或层对准。
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公开(公告)号：CN107065438B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201610809128.1
申请日：2016-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及用于光刻的场内过程控制。在一些实施例中，本申请案涉及一种用于光刻工具的过程控制的方法及系统。所述方法将参考图案转印到参考工件的曝光场以形成重叠参考层对。测量所述重叠参考层之间的未对准以形成第一基线映图及第二基线映图，且从所述第一基线映图及所述第二基线映图形成Δ基线映图。将生产图案转印到生产工件的曝光场以形成在第一生产层上方进行布置且与第一生产层对准的第二生产层。测量所述第一生产层与所述第二生产层之间的未对准以形成生产映图。变换所述Δ基线映图且随后与所述生产映图相加，以形成最终生产映图。基于所述最终生产映图更新处理工具的参数。
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公开(公告)号：CN102063063A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010284962.6
申请日：2010-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67253 , G05B19/41865 , H01L21/67276 , Y02P90/20
Abstract: 本发明提供一种半导体制造方法及系统，该方法包括：提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的一处理模型；使用该处理模型调整一处理配方；以及使用该处理配方而对一半导体晶片执行该制造程序。本发明能持续改善半导体先进工艺控制，减少时间及制造成本。
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公开(公告)号：CN102063063B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201010284962.6
申请日：2010-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67253 , G05B19/41865 , H01L21/67276 , Y02P90/20
Abstract: 本发明提供一种半导体制造方法及系统，该方法包括：提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的一处理模型；使用该处理模型调整一处理配方；以及使用该处理配方而对一半导体晶片执行该制造程序。本发明能持续改善半导体先进工艺控制，减少时间及制造成本。
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公开(公告)号：CN102201323B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010246707.2
申请日：2010-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32017 , G05B2219/32189 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值。该方法包括对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺。该方法包括测量该第一工艺参数的一实际值。该方法包括使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型。使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值。该方法包括对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。本发明能改良晶片性能与良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102201323A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010246707.2
申请日：2010-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32017 , G05B2219/32189 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值。该方法包括对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺。该方法包括测量该第一工艺参数的一实际值。该方法包括使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型。使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值。该方法包括对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。本发明能改良晶片性能与良率。
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公开(公告)号：CN1845009A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610074166.3
申请日：2006-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F7/70533 , G03F7/70541
Abstract: 一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。
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公开(公告)号：CN107065438A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610809128.1
申请日：2016-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及用于光刻的场内过程控制。在一些实施例中，本申请案涉及一种用于光刻工具的过程控制的方法及系统。所述方法将参考图案转印到参考工件的曝光场以形成重叠参考层对。测量所述重叠参考层之间的未对准以形成第一基线映图及第二基线映图，且从所述第一基线映图及所述第二基线映图形成Δ基线映图。将生产图案转印到生产工件的曝光场以形成在第一生产层上方进行布置且与第一生产层对准的第二生产层。测量所述第一生产层与所述第二生产层之间的未对准以形成生产映图。变换所述Δ基线映图且随后与所述生产映图相加，以形成最终生产映图。基于所述最终生产映图更新处理工具的参数。
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公开(公告)号：CN104281009A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310439447.4
申请日：2013-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01L22/20 , G01B11/14 , G03F7/70633
Abstract: 本发明的一些实施例涉及光刻重叠采样，其中一种对准方法包括：在晶圆的一面上限定多个区域；以及将多个区域组织成正交区域结构和两个或更多个连续区域结构。在两个或更多个连续区域结构的每一个区域内测量第一数量的对准结构位置，并且在正交区域结构的每一个区域内测量第二数量的对准结构位置，第二数量大于第一数量。然后，基于测量得到的两个或更多区连续区域结构和正交区域结构的对准结构位置，将部件或层与之前形成的部件或层对准。
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公开(公告)号：CN100470374C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610074166.3
申请日：2006-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F7/70533 , G03F7/70541
Abstract: 一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。
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