公开(公告)号：CN1892445B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200610095874.5

申请日：2006-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  柯建州 ,  游大庆

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70341 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统。该晶边残余物去除系统与湿浸式光刻工艺一起使用，包括：多转速马达，用以旋转晶片吸盘，该马达可使该吸盘保持在第一转速大于1500rpm，第二转速约介于1500rpm和1000rpm之间，以及第三转速小于1000rpm；以及第一喷嘴，配置于该吸盘上，靠近该吸盘上的晶片边缘，该第一喷嘴用以喷洒溶剂。本发明的所述的半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统避免了因光致刻蚀剂残留物与浸入曝光液和透镜接触而污染曝光液和透镜，也避免了光致刻蚀剂在曝光过程中被污染，并且减少了晶片上形成的缺陷。

公开(公告)号：CN1892445A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610095874.5

申请日：2006-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  柯建州 ,  游大庆

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70341 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统。该晶边残余物去除系统与湿浸式光刻工艺一起使用，包括：多转速马达，用以旋转晶片吸盘，该马达可使该吸盘保持在第一转速大于1500rpm，第二转速约介于1500rpm和1000rpm之间，以及第三转速小于1000rpm；以及第一喷嘴，配置于该吸盘上，靠近该吸盘上的晶片边缘，该第一喷嘴用以喷洒溶剂。本发明的所述的半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统避免了因光致刻蚀剂残留物与浸入曝光液和透镜接触而污染曝光液和透镜，也避免了光致刻蚀剂在曝光过程中被污染，并且减少了晶片上形成的缺陷。

公开(公告)号：CN119960254A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510305939.7

申请日：2019-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜忠逸 ,  赖美足 ,  林振宏 ,  柯建州 ,  叶宥成 ,  林泰翔

IPC: G03F1/82 ,  G03F7/20

Abstract: 一种光罩清洗方法。光罩清洗方法包括以下方法。打开一舱，舱中具有光罩。通过端效器夹持光罩。将端效器从已打开的舱移动至气体出口所朝向的目的地。使气体自气体出口朝向经夹持光罩排出，以及当端效器在气体出口所朝向的目的地处时使端效器相对于水平面旋转。

公开(公告)号：CN110727173A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910042127.2

申请日：2019-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜忠逸 ,  赖美足 ,  林振宏 ,  柯建州 ,  叶宥成 ,  林泰翔

IPC: G03F1/82

Abstract: 一种光罩清洗系统及其方法。光罩清洗方法包括以下方法。打开一舱，舱中具有光罩。通过端效器夹持光罩。将端效器从已打开的舱移动至气体出口所朝向的目的地。使气体自气体出口朝向经夹持光罩排出，以及当端效器在气体出口所朝向的目的地处时使端效器相对于水平面旋转。