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公开(公告)号：CN105977201B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510859578.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开提供一种半导体装置的制造方法。此方法包含形成一材料层于一基底之上；形成一第一硬掩膜层于材料层之上；沿着一第一方向，形成一第一沟槽于第一硬掩膜层中。此方法亦包含:沿着第一沟槽的侧壁形成一第一间隔物；通过第一间隔物防护第一沟槽，于第一硬掩膜层中形成平行于第一沟槽的一第二沟槽。此方法亦包含:蚀刻材料层穿过第一沟槽及第二沟槽；移除第一硬掩膜层及第一间隔物；形成第二硬掩膜层于材料层之上；形成一第三沟槽于第二硬掩膜层中。第三沟槽沿着垂直于第一方向之一第二方向延伸，且与第一沟槽重叠。此方法亦包含:蚀刻材料层穿过第三沟槽。本公开可减少圆角角落变形，可减少线末端短缩变形且可克服失准。
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公开(公告)号：CN105977201A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510859578.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L21/823481 , H01L21/823878 , H01L21/76805 , H01L21/76895 , H01L2221/101 , H01L2221/1068
Abstract: 本公开提供一种半导体装置的制造方法。此方法包含形成一材料层于一基底之上；形成一第一硬掩膜层于材料层之上；沿着一第一方向，形成一第一沟槽于第一硬掩膜层中。此方法亦包含:沿着第一沟槽的侧壁形成一第一间隔物；通过第一间隔物防护第一沟槽，于第一硬掩膜层中形成平行于第一沟槽的一第二沟槽。此方法亦包含:蚀刻材料层穿过第一沟槽及第二沟槽；移除第一硬掩膜层及第一间隔物；形成第二硬掩膜层于材料层之上；形成一第三沟槽于第二硬掩膜层中。第三沟槽沿着垂直于第一方向之一第二方向延伸，且与第一沟槽重叠。此方法亦包含:蚀刻材料层穿过第三沟槽。本公开可减少圆角角落变形，可减少线末端短缩变形且可克服失准。
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公开(公告)号：CN100461004C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610109531.X
申请日：2006-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种浸润式光刻的方法及其处理方法，包括：提供一光致抗蚀剂层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光致抗蚀剂层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤以中和在浸润式曝光过程中，一些不希望的元素扩散至光致抗蚀剂层所产生的效应；经过处理后，进行曝后烤及显影步骤。本发明所述浸润式光刻的方法及其处理方法，可在光致抗蚀剂上产生想要的图案并减少缺陷。
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公开(公告)号：CN101414131B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810170515.0
申请日：2008-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70833 , G03F7/70258 , G03F7/70641 , G03F7/70858
Abstract: 本发明是有关于一种微影制程的曝光装置及方法，该微影制程的曝光装置，至少包括可变聚焦元件。可变聚焦元件可包含在电场存在下可被变形的透明膜。透明膜的变形可允许放射光束的焦距作调整。在一实施例中，可调整可变聚焦元件，藉以提供曝光目标上的第一位置具有第一焦距的放射光束、和提供此曝光目标上的第二位置具有第二焦距的放射光束。也提供一种微影制程的方法和电脑可读取媒体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102540761B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110461339.8
申请日：2006-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。
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公开(公告)号：CN102540761A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110461339.8
申请日：2006-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。
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公开(公告)号：CN107424954B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201710173639.3
申请日：2017-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 半导体结构的制造方法包含在导电部件上形成介电层，在介电层上形成具有第一开口的第一掩模。在第一掩模上形成第二掩模，在第二掩模上形成具有第二开口的第三掩模。在第三掩模上形成具有第三开口的第四掩模，第三开口的一部分与第二开口重叠。将第三开口的此部分转移至第二掩模以形成第四开口，第四开口的一部分与第一开口重叠。将第四开口的此部分转移至介电层以形成第五开口。第五开口延伸至介电层中以形成延伸的第五开口，延伸的第五开口暴露出导电部件，将导电材料填入延伸的第五开口。
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公开(公告)号：CN1916766A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610109531.X
申请日：2006-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种浸润式光刻的方法及其处理方法，包括：提供一光致抗蚀剂层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光致抗蚀剂层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤以中和在浸润式曝光过程中，一些不希望的元素扩散至光致抗蚀剂层所产生的效应；经过处理后，进行曝后烤及显影步骤。本发明所述浸润式光刻的方法及其处理方法，可在光致抗蚀剂上产生想要的图案并减少缺陷。
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公开(公告)号：CN1892445A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610095874.5
申请日：2006-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/70341 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统。该晶边残余物去除系统与湿浸式光刻工艺一起使用，包括：多转速马达，用以旋转晶片吸盘，该马达可使该吸盘保持在第一转速大于1500rpm，第二转速约介于1500rpm和1000rpm之间，以及第三转速小于1000rpm；以及第一喷嘴，配置于该吸盘上，靠近该吸盘上的晶片边缘，该第一喷嘴用以喷洒溶剂。本发明的所述的半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统避免了因光致刻蚀剂残留物与浸入曝光液和透镜接触而污染曝光液和透镜，也避免了光致刻蚀剂在曝光过程中被污染，并且减少了晶片上形成的缺陷。
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