公开(公告)号：CN115565949A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210925939.3

申请日：2022-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈书文 ,  李威养 ,  林彦伯 ,  郭俊铭 ,  赵高毅 ,  彭远清

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 在基底的前侧上方形成多个第一半导体层及多个第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层在垂直方向交错。蚀刻第一半导体层及第二半导体层为堆叠物，进行蚀刻使得最底部第一半导体层在剖面示意图中具有渐缩轮廓。以介电层取代最底部第一半导体层，介电层承袭最底部第一半导体层的渐缩轮廓。在堆叠物上方形成栅极结构，栅极结构在第一水平方向延伸；在栅极结构上方形成第一互连结构；在基底的背侧上方形成第二互连结构。

公开(公告)号：CN117423621A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311133526.2

申请日：2023-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈书文 ,  林彦伯 ,  陈俊翰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/82

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一部分，以暴露隔离绝缘层的底部，从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口，以暴露第一前侧接点的底部，通过以导电材料填充第一开口形成第一背侧接点，以连接第一前侧接点。

公开(公告)号：CN114864676A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210112312.6

申请日：2022-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈书文

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体装置结构。装置包括：复数个半导体层；以及栅极电极层，围绕复数个半导体层的每个半导体层。栅极电极层包括：第一部件；以及第二部件，在第一部分下方。第二部分包括：第一部分，设置相邻于复数个半导体层的第一半导体层，且第一部分的外表面具有第一曲率半径；第二部分，在第一部分下方并接触复数个半导体层的第二半导体层；以及第三部分，在第二部分下方并接触复数个半导体层的第三半导体层，且第三部分的外表面具有第二曲率半径，第二曲率半径大于第一曲率半径。

公开(公告)号：CN115881543A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211069081.1

申请日：2022-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈书文 ,  郭俊铭 ,  彭远清 ,  杨季璇 ,  林政纬 ,  陈建鸿

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成半导体堆叠件，其中，半导体堆叠件包括交替地堆叠在衬底上的第一半导体材料的第一半导体层和第二半导体材料的第二半导体层；图案化半导体堆叠件和衬底以形成沟槽和与沟槽相邻的有源区域；在沟槽的侧壁和有源区域的侧壁上外延生长第一半导体材料的衬垫；在沟槽中形成隔离部件；执行快速热氮化工艺，从而将衬垫转化为氮化硅层；以及在氮化硅层上方形成第二半导体材料的包覆层。

公开(公告)号：CN114864494A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210117913.6

申请日：2022-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈书文 ,  陈振平

IPC: H01L21/8234

Abstract: 在半导体装置的制造方法中，形成鳍结构，鳍结构包含设置于底部鳍结构上方的第一半导体层和第二半导体层的堆叠层及位于堆叠层上方的硬遮罩层。在暴露的硬遮罩层和堆叠层的至少侧壁上方形成牺牲包覆层。进行蚀刻操作，以移除牺牲包覆层的横向部分，进而在暴露的硬遮罩层和堆叠层的侧壁上留下牺牲包覆层。形成第一介电层及第二介电层，第二介电层的材料不同于第一介电层的材料。将第二介电层凹陷，且在凹陷的第二介电层上形成第三介电层，第三介电层的材料不同于第二介电层的材料。在蚀刻操作期间，在牺牲包覆层上方形成保护层。

公开(公告)号：CN113451136A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110334754.0

申请日：2021-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈书文 ,  林宥霆 ,  郭俊铭 ,  彭远清 ,  李益诚 ,  梁品筑 ,  郑培仁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供半导体装置的制造方法，是鳍状堆叠结构的侧壁轮廓的矫正方法。范例方法包含在基底上形成第一鳍状结构和第二鳍状结构，第一鳍状结构和第二鳍状结构各包含交错的多个通道层和多个牺牲层；在第一鳍状结构和第二鳍状结构上方沉积第一硅衬垫；在基底、第一鳍状结构和第二鳍状结构上方沉积介电层；回蚀刻介电层，以在第一鳍状结构与第二鳍状结构之间形成隔离部件，以及移除了在第一鳍状结构和第二鳍状结构上的第一硅衬垫，以暴露出多个通道层和多个牺牲层的侧壁；以及在多个通道层和多个牺牲层暴露的侧壁上外延沉积第二硅衬垫。