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公开(公告)号：CN113054019B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202011629168.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 在一个实施例中，一种器件包括：栅电极；与栅电极相邻的外延源极/漏极区；位于外延源极/漏极区上方的一个或多个层间介电(ILD)层；延伸穿过ILD层的第一源极/漏极接触件，第一源极/漏极接触件连接至外延源极/漏极区；围绕第一源极/漏极接触件的接触间隔件；以及设置在接触间隔件和ILD层之间的孔洞。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111128884B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910956791.8
申请日：2019-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 在实施例中，一种方法包括：形成差分接触蚀刻停止层(CESL)，具有源极/漏极区域上方的第一部分和沿栅堆叠件的第二部分，源极/漏极区域在衬底中，栅极堆叠件在靠近源极/漏极区域的衬底上方，第一部分的第一厚度大于第二部分的第二厚度；在差分CESL上方沉积第一层间电介质(ILD)；在第一ILD中形成源极/漏极接触开口；沿源极/漏极接触开口的侧壁形成接触间隔件；在形成接触间隔件后，使源极/漏极接触开口延伸穿过差分CESL；和在延伸的源极/漏极接触开口中形成第一源极/漏极接触件，第一源极/漏极接触件物理和电耦合源极/漏极区域，接触间隔件将第一源极/漏极接触件与第一ILD物理地分隔开。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113284890B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202110176810.2
申请日：2021-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明实施例的半导体器件包括：在衬底上方沿着第一方向纵向延伸的第一鳍式结构；位于第一鳍式结构的源极/漏极区域上方的第一外延部件；布置在第一鳍式结构的沟道区域上方并且沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极结构；以及位于第一外延部件上方的源极/漏极接触件。该栅极结构的最底面比源极/漏极接触件的最底面更接近衬底。
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公开(公告)号：CN113363213B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110318583.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；从半导体衬底延伸的第一鳍；从半导体衬底延伸的第二鳍；外延源极/漏极区，包括：第一鳍和第二鳍中的主层，所述主层包括第一半导体材料，所述主层具有上刻面表面和下刻面表面，上刻面表面和下刻面表面分别从第一鳍和第二鳍的相应表面升高；半导体接触件蚀刻停止层(CESL)，与主层的上刻面表面和下刻面表面接触，半导体CESL包括第二半导体材料，第二半导体材料不同于第一半导体材料。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN112582475A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011001154.4
申请日：2020-09-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体结构，包括：鳍片，从半导体基板突出；第一金属栅极堆叠及第二金属栅极堆叠，设置在鳍片上；以及介电部件，定义第一金属栅极堆叠及第二金属栅极堆叠各自的侧壁。此外，介电部件包括双层结构，其中第一层的侧壁由第二层定义，以及其中第一层在组成上不同于第二层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128884A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910956791.8
申请日：2019-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 在实施例中，一种方法包括：形成差分接触蚀刻停止层(CESL)，具有源极/漏极区域上方的第一部分和沿栅堆叠件的第二部分，源极/漏极区域在衬底中，栅极堆叠件在靠近源极/漏极区域的衬底上方，第一部分的第一厚度大于第二部分的第二厚度；在差分CESL上方沉积第一层间电介质(ILD)；在第一ILD中形成源极/漏极接触开口；沿源极/漏极接触开口的侧壁形成接触间隔件；在形成接触间隔件后，使源极/漏极接触开口延伸穿过差分CESL；和在延伸的源极/漏极接触开口中形成第一源极/漏极接触件，第一源极/漏极接触件物理和电耦合源极/漏极区域，接触间隔件将第一源极/漏极接触件与第一ILD物理地分隔开。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113363213A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110318583.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；从半导体衬底延伸的第一鳍；从半导体衬底延伸的第二鳍；外延源极/漏极区，包括：第一鳍和第二鳍中的主层，所述主层包括第一半导体材料，所述主层具有上刻面表面和下刻面表面，上刻面表面和下刻面表面分别从第一鳍和第二鳍的相应表面升高；半导体接触件蚀刻停止层(CESL)，与主层的上刻面表面和下刻面表面接触，半导体CESL包括第二半导体材料，第二半导体材料不同于第一半导体材料。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113054019A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011629168.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 在一个实施例中，一种器件包括：栅电极；与栅电极相邻的外延源极/漏极区；位于外延源极/漏极区上方的一个或多个层间介电(ILD)层；延伸穿过ILD层的第一源极/漏极接触件，第一源极/漏极接触件连接至外延源极/漏极区；围绕第一源极/漏极接触件的接触间隔件；以及设置在接触间隔件和ILD层之间的孔洞。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN117423621A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311133526.2
申请日：2023-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/82
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一部分，以暴露隔离绝缘层的底部，从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口，以暴露第一前侧接点的底部，通过以导电材料填充第一开口形成第一背侧接点，以连接第一前侧接点。
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公开(公告)号：CN113284890A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110176810.2
申请日：2021-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明实施例的半导体器件包括：在衬底上方沿着第一方向纵向延伸的第一鳍式结构；位于第一鳍式结构的源极/漏极区域上方的第一外延部件；布置在第一鳍式结构的沟道区域上方并且沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极结构；以及位于第一外延部件上方的源极/漏极接触件。该栅极结构的最底面比源极/漏极接触件的最底面更接近衬底。
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