公开(公告)号：CN106158596A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510859640.2

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何育如 ,  洪爱真 ,  谢弘璋 ,  吕奎亮 ,  张雅惠

IPC: H01L21/027 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种置入散色条于微影工艺的方法，该方法包括接收包含第一主要部件的集成电路设计布局，以及置入第一多个散色条于上述集成电路设计布局，以形成围绕于上述第一主要部件的第一环形图案的散色条。上述第一主要部件是设置于上述第一环形图案的散色条的一中央部分。本发明展现了改良聚焦深度、散色条印出窗口以及降低焦点位移。

公开(公告)号：CN107065438B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201610809128.1

申请日：2016-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪爱真 ,  黄晟砚 ,  卢欣荣 ,  曾衍迪

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请涉及用于光刻的场内过程控制。在一些实施例中，本申请案涉及一种用于光刻工具的过程控制的方法及系统。所述方法将参考图案转印到参考工件的曝光场以形成重叠参考层对。测量所述重叠参考层之间的未对准以形成第一基线映图及第二基线映图，且从所述第一基线映图及所述第二基线映图形成Δ基线映图。将生产图案转印到生产工件的曝光场以形成在第一生产层上方进行布置且与第一生产层对准的第二生产层。测量所述第一生产层与所述第二生产层之间的未对准以形成生产映图。变换所述Δ基线映图且随后与所述生产映图相加，以形成最终生产映图。基于所述最终生产映图更新处理工具的参数。

公开(公告)号：CN106158596B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201510859640.2

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何育如 ,  洪爱真 ,  谢弘璋 ,  吕奎亮 ,  张雅惠

IPC: H01L21/027 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种置入散色条于微影工艺的方法，该方法包括接收包含第一主要部件的集成电路设计布局，以及置入第一多个散色条于上述集成电路设计布局，以形成围绕于上述第一主要部件的第一环形图案的散色条。上述第一主要部件是设置于上述第一环形图案的散色条的一中央部分。本发明展现了改良聚焦深度、散色条印出窗口以及降低焦点位移。

公开(公告)号：CN110543083A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910439073.3

申请日：2019-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪爱真 ,  李永尧 ,  刘恒信 ,  王景澄 ,  王盈盈

IPC: G03F9/00

Abstract: 本发明的一些实施例揭露光刻叠对校正以及光刻工艺。根据本发明的一些实施例，一种方法包含：接收晶片；在所述晶片上方界定多个区；沿着第一方向，根据一方程式针对所述多个区的各者执行多区对准补偿；及根据所述多个补偿值，针对所述多个区的各者执行晶片对准及光刻曝光。逐区执行所述晶片对准及所述光刻曝光。

公开(公告)号：CN107065438A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610809128.1

申请日：2016-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪爱真 ,  黄晟砚 ,  卢欣荣 ,  曾衍迪

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请涉及用于光刻的场内过程控制。在一些实施例中，本申请案涉及一种用于光刻工具的过程控制的方法及系统。所述方法将参考图案转印到参考工件的曝光场以形成重叠参考层对。测量所述重叠参考层之间的未对准以形成第一基线映图及第二基线映图，且从所述第一基线映图及所述第二基线映图形成Δ基线映图。将生产图案转印到生产工件的曝光场以形成在第一生产层上方进行布置且与第一生产层对准的第二生产层。测量所述第一生产层与所述第二生产层之间的未对准以形成生产映图。变换所述Δ基线映图且随后与所述生产映图相加，以形成最终生产映图。基于所述最终生产映图更新处理工具的参数。