公开(公告)号：CN110875196B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201910774022.6

申请日：2019-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊毅 ,  谢静华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  王守怡 ,  陈建勋

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了制造半导体器件的方法和封装件。该方法包括形成器件结构，该方法包括在半导体器件上方形成电连接至半导体器件的第一再分布结构，形成围绕第一再分布结构和半导体器件的模塑材料，在模塑材料和第一再分布结构上方形成第二再分布结构，第二再分布结构电连接至第一再分布结构，将互连结构附接至第二再分布结构，互连结构包括核心衬底，互连结构电连接至第二再分布结构，在互连结构的侧壁上以及第二再分布结构和互连结构之间形成底部填充材料。

公开(公告)号：CN102593072A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110249261.3

申请日：2011-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  林柏尧 ,  林宗澍 ,  张国钦 ,  王守怡

IPC: H01L23/02

CPC classification number: H01L23/16 ,  H01L23/055 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 在封装结构中，加强环位于第一封装部件的上方且与其顶面接合。第二封装部件位于第一封装部件的上方且与其顶面接合，且第二封装部件被加强环所围绕。金属盖位于加强环的上方且与其接合。金属盖具有贯通开口。本发明公开了一种倒装封装中用于提高可靠性的盖式设计。

公开(公告)号：CN110875196A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910774022.6

申请日：2019-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊毅 ,  谢静华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  王守怡 ,  陈建勋

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了制造半导体器件的方法和封装件。该方法包括形成器件结构，该方法包括在半导体器件上方形成电连接至半导体器件的第一再分布结构，形成围绕第一再分布结构和半导体器件的模塑材料，在模塑材料和第一再分布结构上方形成第二再分布结构，第二再分布结构电连接至第一再分布结构，将互连结构附接至第二再分布结构，互连结构包括核心衬底，互连结构电连接至第二再分布结构，在互连结构的侧壁上以及第二再分布结构和互连结构之间形成底部填充材料。

公开(公告)号：CN102593072B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110249261.3

申请日：2011-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  林柏尧 ,  林宗澍 ,  张国钦 ,  王守怡

IPC: H01L23/02

CPC classification number: H01L23/16 ,  H01L23/055 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 在封装结构中，加强环位于第一封装部件的上方且与其顶面接合。第二封装部件位于第一封装部件的上方且与其顶面接合，且第二封装部件被加强环所围绕。金属盖位于加强环的上方且与其接合。金属盖具有贯通开口。本发明公开了一种倒装封装中用于提高可靠性的盖式设计。

公开(公告)号：CN118676006A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410495488.3

申请日：2024-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张耕铭 ,  董志航 ,  余振华 ,  余国宠 ,  左克伟 ,  王守怡 ,  林资程 ,  梁世纬

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/68 ,  H01L23/544

Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法，包括在一顶部晶粒中形成多个第一接合特征以及包括多个第一图样的一第一对准标记，并在一底部晶圆中形成多个第二接合特征以及包括多个第二图样的一第二对准标记。方法亦包括决定一第一基准点以及一第二基准点，并利用第一对准标记以及第二对准标记，将顶部晶粒与底部晶圆对准。俯视时，第一图样的至少两者沿着一第一方向排列，第一图样的至少两者沿着不同于第一方向的一第二方向排列。通过将通过第一基准点以及第二基准点的一虚拟轴线调整为与第一方向大致上平行而使得顶部晶粒与底部晶圆对准。

公开(公告)号：CN113140532A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010229007.6

申请日：2020-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建勋 ,  余振华 ,  刘重希 ,  吴俊毅 ,  王守怡

IPC: H01L23/48

Abstract: 在实施例中，一种器件包括：半导体器件；以及重布线结构，包括：第一介电层；第一接地特征，位于第一介电层上；第二接地特征，位于第一介电层上；第一对传输线，位于第一介电层上，第一对传输线在侧向上设置在第一接地特征与第二接地特征之间，第一对传输线电耦合到半导体器件；第二介电层，位于第一接地特征、第二接地特征及第一对传输线上；以及第三接地特征，在侧向上沿第二介电层延伸且延伸穿过第二介电层，第三接地特征在实体上耦合到及电耦合到第一接地特征及第二接地特征，其中第一对传输线沿第三接地特征的长度连续地延伸。