公开(公告)号：CN116741730A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310415915.8

申请日：2023-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  史朝文 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  萧闵谦 ,  郭峻江 ,  林宗澍

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于保护盖周围，隔离层设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107452634B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201710344109.0

申请日：2017-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李孟灿 ,  吴伟诚 ,  林宗澍

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 凸块下冶金(UBM)和再分布层(RDL)布线结构包括形成在管芯上方的RDL。RDL包括第一导电部分和第二导电部分。在RDL中第一导电部分和第二导电部分处于相同水平。RDL的第一导电部分通过RDL的绝缘材料与RDL的第二导电部分分离。UBM层形成在RDL上方。UBM层包括导电UBM迹线和导电UBM焊盘。UBM迹线将RDL的第一导电部分电连接至RDL的第二导电部分。UBM焊盘电连接至RDL的第二导电部分。导电连接器形成在UBM焊盘上方并且电连接至UBM焊盘。本发明实施例提供一种形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN112151495A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010453969.X

申请日：2020-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志楷 ,  林宗澍 ,  陈琮瑜 ,  胡宪斌 ,  魏文信

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开的一些实施例提供一种封装结构。封装结构包括一第一通孔结构以及一半导体裸片，第一通孔结构形成在一基板中，半导体裸片形成在第一通孔结构下方。封装结构还包括一导电结构，导电结构形成在基板上方的一护层中。导电结构包括一第一导孔部分以及一第二导孔部分，第一导孔部分直接地形成在第一通孔结构上方，且没有导电材料直接地形成在第二导孔部分下方并直接接触第二导孔部分。

公开(公告)号：CN106558559B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201610765751.1

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  陈宪伟 ,  余振华 ,  林宗澍 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及制造方法。一种具有接合焊盘的再分布层形成在衬底上方，其中一个或多个网孔延伸穿过接合焊盘。网孔可以布置为圆形形状，并且钝化层可以形成在接合焊盘和网孔上方。开口形成为穿过钝化层以及凸块下金属形成为与接合焊盘的暴露部分接触且在网孔上方延伸。通过利用网孔，可以减小或消除可能发生的侧壁分层和剥离。

公开(公告)号：CN104037136B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201310236871.9

申请日：2013-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  侯上勇 ,  谢政杰 ,  林宗澍

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/50 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、安装在衬底上的管芯、接合至管芯的加强板和将加强板连接至管芯的粘合层。本发明还公开了一种加强结构以及用于控制安装在衬底上的芯片翘曲的方法。

公开(公告)号：CN103137585B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210190255.X

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  普翰屏 ,  郑明达 ,  黄昶嘉 ,  刘浩君

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/293 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了用于形成细间距铜凸块结构的机构。所描述的形成铜柱结构的机构使在平坦导电表面上形成铜柱结构成为可能。另外，铜柱结构由杨氏模量比聚酰亚胺更高(或更硬的材料)的模塑层支持。所形成的铜柱结构大大减小了钝化层碎裂和围绕铜柱结构的电介质界面处分层的风险。

公开(公告)号：CN102903690B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210044730.2

申请日：2012-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄其达 ,  庄曜群 ,  林宗澍 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种位于半导体衬底或封装组件中的凸块结构包括：形成在半导体衬底的导电焊盘上方的凸块下金属化(UBM)层。UBM层的宽度大于导电焊盘的宽度。

公开(公告)号：CN103000591A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201110426156.2

申请日：2011-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  刘育志 ,  游明志 ,  林宗澍 ,  苏柏荣 ,  卢景睿 ,  林韦廷

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/10 ,  H01L21/563 ,  H01L23/16 ,  H01L23/36 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种芯片封装件的环结构包括：适用于接合至衬底的框架部和至少一个角部。框架部围绕半导体芯片并限定内部开口，内部开口暴露衬底表面的一部分。至少一个角部从框架部的角部朝向芯片延伸，并且该角部没有尖角。本发明还提供了一种芯片封装件的环结构。

公开(公告)号：CN111276453B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201910671415.4

申请日：2019-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱元升 ,  林宗澍 ,  郑志楷

IPC: H01L23/32 ,  H01L23/48 ,  H01L21/52

Abstract: 在实施例中，一种装置包括：集成电路管芯；重布线结构，位于集成电路管芯的前侧表面之上；插座，位于重布线结构之上；机械支架，位于插座之上，所述机械支架具有暴露出插座的开口，插座的边缘区与开口处的机械支架的边缘区交叠；第一支座螺钉，设置在机械支架的边缘区中，所述第一支座螺钉实体地接触插座，所述第一支座螺钉在插座与机械支架之间延伸第一距离；以及螺栓，延伸穿过机械支架及重布线结构。

公开(公告)号：CN112563229A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011007355.5

申请日：2020-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟诚 ,  邱建嘉 ,  谢正贤 ,  许立翰 ,  李孟灿 ,  林宗澍

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装包括半导体管芯、重布线结构及连接端子。重布线结构设置在半导体管芯上且包括设置在一对介电层之间的第一金属化层级。第一金属化层级包括电连接到半导体管芯的路由导电迹线以及与半导体管芯电绝缘的屏蔽板片。连接端子包括虚设连接端子及有效连接端子。虚设连接端子设置在重布线结构上且电连接到屏蔽板片。有效连接端子设置在重布线结构上且电连接到路由导电迹线。虚设连接端子的垂直投影落在屏蔽板片上。