公开(公告)号：CN110660803A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910573430.5

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  徐国修 ,  田峻宇 ,  吴琬瑶 ,  张长昀 ,  陈弘凯 ,  洪连嵘

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

Abstract: 提供了SRAM结构。SRAM结构包括：衬底；P型阱区，位于衬底上方；N型阱区，位于衬底上方；PMOS晶体管，位于N型阱区中；NMOS晶体管，位于P型阱区中；隔离区，位于P型阱区和N型阱区之间的边界上方；以及介电结构，形成在隔离区中并且从隔离区延伸到P型阱区和N型阱区之间的边界。介电结构的深度大于隔离区的深度。PMOS晶体管通过隔离区与NMOS晶体管分隔开。本发明的实施例还涉及SRAM结构的形成方法。

公开(公告)号：CN115768106A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211650130.0

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  徐国修 ,  田峻宇 ,  吴琬瑶 ,  张长昀 ,  陈弘凯 ,  洪连嵘

IPC: H10B10/00

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造静态随机存取存储结构的方法，包括：接收工件包括：第一鳍，设置在n型阱上方且沿着第一方向延伸，第二鳍和第三鳍，设置在p型阱上方且沿第一方向延伸，隔离部件，设置在第一鳍和第二鳍之间，第一、第二、第三和第四栅极结构，跨越第一鳍、第二鳍、第三鳍和隔离部件并且沿第二方向延伸；层间介电层设置在第一、第二、第三和第四栅极结构中的相邻栅极结构之间；在第一、第二、第三和第四栅极结构上方形成图案化掩模；使用图案化掩模作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以形成终止于隔离部件的顶表面的沟槽；执行第二蚀刻工艺以使沟槽完全延伸穿过隔离部件以形成延伸的沟槽；以及在延伸的沟槽中沉积带负电的介电材料。