公开(公告)号：CN109801914B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810385034.5

申请日：2018-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  张长昀 ,  林献钦 ,  陈弘凯

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种器件，包括衬底；半导体鳍，从衬底延伸；隔离结构，位于衬底上方并且横向位于半导体鳍之间；衬垫层，位于半导体鳍的侧壁和所述隔离结构之间；以及蚀刻停止层，位于衬底和隔离结构之间并且横向位于半导体鳍之间。蚀刻停止层包括与隔离结构和衬垫层的材料不同的材料。本发明的实施例还涉及衬底和隔离结构之间的蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN109860117B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201810385047.2

申请日：2018-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  张长昀 ,  林献钦 ,  陈弘凯

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/11 ,  H01L27/092

Abstract: 该方法包括提供具有衬底以及第一鳍和第二鳍的结构，第一鳍和第二鳍位于衬底上方并且通常沿着第一方向纵向定向；在第一鳍和第二鳍上方外延生长半导体源极/漏极(S/D)部件，其中，位于第一鳍上方的第一半导体S/D部件与位于第二鳍上方的第二半导体S/D部件合并；以及对第一鳍和第二鳍之间的区实施第一蚀刻工艺，其中，第一蚀刻工艺将第一半导体S/D部件和第二半导体S/D部件分隔开。本发明的实施例还涉及用于减小晶体管间隔的切割金属栅极工艺。

公开(公告)号：CN110660803A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910573430.5

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  徐国修 ,  田峻宇 ,  吴琬瑶 ,  张长昀 ,  陈弘凯 ,  洪连嵘

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

Abstract: 提供了SRAM结构。SRAM结构包括：衬底；P型阱区，位于衬底上方；N型阱区，位于衬底上方；PMOS晶体管，位于N型阱区中；NMOS晶体管，位于P型阱区中；隔离区，位于P型阱区和N型阱区之间的边界上方；以及介电结构，形成在隔离区中并且从隔离区延伸到P型阱区和N型阱区之间的边界。介电结构的深度大于隔离区的深度。PMOS晶体管通过隔离区与NMOS晶体管分隔开。本发明的实施例还涉及SRAM结构的形成方法。

公开(公告)号：CN109801914A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201810385034.5

申请日：2018-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  张长昀 ,  林献钦 ,  陈弘凯

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种器件，包括衬底；半导体鳍，从衬底延伸；隔离结构，位于衬底上方并且横向位于半导体鳍之间；衬垫层，位于半导体鳍的侧壁和所述隔离结构之间；以及蚀刻停止层，位于衬底和隔离结构之间并且横向位于半导体鳍之间。蚀刻停止层包括与隔离结构和衬垫层的材料不同的材料。本发明的实施例还涉及衬底和隔离结构之间的蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN102194755B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201010243829.6

申请日：2010-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈弘凯 ,  林宪信 ,  林家彬 ,  詹前泰 ,  彭远清

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明公开了鳍式场效晶体管及其制造方法，其方法包含形成延伸至一半导体基底的上方的一第一鳍状物和一第二鳍状物、与位于二者之间的一浅沟槽隔离区。一间隔定义于浅沟槽隔离区的上表面上方的第一与第二鳍状物之间。一第一高度定义于该浅沟槽隔离区的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间。一流动性的介电材料经沉积而置入间隔内。介电材料的上表面位于浅沟槽隔离区的上表面的上方，而在介电材料的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间定义出一第二高度。第二高度小于第一高度。在沉积步骤之后，在第一、第二鳍状物上，分别以外延成长形成位于介电材料上方的第一、第二鳍状物延伸结构。本发明减少或避免相邻的鳍状物延伸结构之间的间隙的窄化。

公开(公告)号：CN115768106A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211650130.0

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  徐国修 ,  田峻宇 ,  吴琬瑶 ,  张长昀 ,  陈弘凯 ,  洪连嵘

IPC: H10B10/00

Abstract: 本发明的实施例提供了一种制造静态随机存取存储结构的方法，包括：接收工件包括：第一鳍，设置在n型阱上方且沿着第一方向延伸，第二鳍和第三鳍，设置在p型阱上方且沿第一方向延伸，隔离部件，设置在第一鳍和第二鳍之间，第一、第二、第三和第四栅极结构，跨越第一鳍、第二鳍、第三鳍和隔离部件并且沿第二方向延伸；层间介电层设置在第一、第二、第三和第四栅极结构中的相邻栅极结构之间；在第一、第二、第三和第四栅极结构上方形成图案化掩模；使用图案化掩模作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以形成终止于隔离部件的顶表面的沟槽；执行第二蚀刻工艺以使沟槽完全延伸穿过隔离部件以形成延伸的沟槽；以及在延伸的沟槽中沉积带负电的介电材料。

公开(公告)号：CN109860117A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810385047.2

申请日：2018-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  张长昀 ,  林献钦 ,  陈弘凯

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/11 ,  H01L27/092

Abstract: 该方法包括提供具有衬底以及第一鳍和第二鳍的结构，第一鳍和第二鳍位于衬底上方并且通常沿着第一方向纵向定向；在第一鳍和第二鳍上方外延生长半导体源极/漏极(S/D)部件，其中，位于第一鳍上方的第一半导体S/D部件与位于第二鳍上方的第二半导体S/D部件合并；以及对第一鳍和第二鳍之间的区实施第一蚀刻工艺，其中，第一蚀刻工艺将第一半导体S/D部件和第二半导体S/D部件分隔开。本发明的实施例还涉及用于减小晶体管间隔的切割金属栅极工艺。

公开(公告)号：CN102194755A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010243829.6

申请日：2010-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈弘凯 ,  林宪信 ,  林家彬 ,  詹前泰 ,  彭远清

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明公开了鳍式场效晶体管及其制造方法，其方法包含形成延伸至一半导体基底的上方的一第一鳍状物和一第二鳍状物、与位于二者之间的一浅沟槽隔离区。一间隔定义于浅沟槽隔离区的上表面上方的第一与第二鳍状物之间。一第一高度定义于该浅沟槽隔离区的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间。一流动性的介电材料经沉积而置入间隔内。介电材料的上表面位于浅沟槽隔离区的上表面的上方，而在介电材料的上表面与第一、第二鳍状物的上表面之间定义出一第二高度。第二高度小于第一高度。在沉积步骤之后，在第一、第二鳍状物上，分别以外延成长形成位于介电材料上方的第一、第二鳍状物延伸结构。本发明减少或避免相邻的鳍状物延伸结构之间的间隙的窄化。